ESD静电二极管参数详解?VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。?VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。?IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。?IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。?VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。?CJ：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。ESD静电

除了保护器件的ESD标称值外，电压值和ASIC端有多大电流也是关键因素。ESD保护器件功能是通过将大部分电流短路到地并将ASIC端的电压“箝位”到低于脉冲电压的值来实现的。贴片压敏电阻器（Varistor）是压敏电阻器的一种。它是用氧化锌非线性电阻元件作为主要器件而制成的电冲击保护器件。氧化锌非线性电阻元件是以氧化锌（ZnO）为主体材料，添加多种其他微量元素，用陶瓷工艺制成的化合物半导体元件。它的基本特性是电流一电压关系的非线性。当加在它两端的电压低于某个阀电压，即“压敏电压”时，它的电阻值极大，为兆欧级；而当加在它两端的电压超过压敏电压后，电阻值随电压的增高急速下降，可小到欧姆级、毫欧姆级。佛山ESD静电二极管厂家唛芯电子设有专业的EMC测试中心，为客户提供测试、方案设计与整改及技术支持。

压敏电阻：“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）（吸收器）”。压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。

ESD静电二极管特性?低电容，比较低可达到零点几皮法；?快速响应时间：通常小于1.0PS；?体积小，小型化器件，节约PCB空间；?工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；?灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数。ESD静电二极管选型指南1）ESD静电二极管的截止电压要大于电路中最高工作电压；2）脉冲峰值电流IPP和比较大箝位电压VC的选择，要根据线路上可能出现的比较大浪涌电流来选择合适IPP的型号，需要注意的是，此时的VC应小于被保护晶片所能耐受的比较大峰值电压；3）用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的ESD静电二极管；4）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。ESD封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。静电放电被认为是电子产品质量较大的潜在因素。

在ESD设计中我们会采用以下方法中的一种或几种来进行静电保护：（1）火花间隙法。这种方法是在一份材料中看到的，具体做法是在铜皮构成的微带线层使用前列相互对准的三角铜皮构成，三角铜皮一端连接在信号线，另一个三角铜皮连接地。当有静电时会产生前列放电进而消耗电能。（2）雪崩二极管来进行静电保护。这是设计中经常用到的一种方法，典型做法就是在关键信号线并联一雪崩二极管到地。该法是利用雪崩二极管快速响应并且具有稳定钳位的能力，可以在较短的时间内消耗聚集的高电压进而保护电路板。（3）采用有钳位二极管的CMOS器件或者TTL器件进行电路的保护。这种方法是利用了隔离的原理进行电路板的保护，由于这些器件有了钳位二极管的保护，在实际电路设计中减小了设计的复杂度。（4）使用高压电容进行电路保护。该做法通常将耐压至少为1.5KV的陶瓷电容放置在I/O连接器或者关键信号的位置，同时连接线尽可能的短，以便减小连接线的感抗。若采用了耐压低的电容，会引起电容的损坏而失去保护的作用。（5）多采用去耦电容。这些去耦电容要有低的ESL和ESR数值，对于低频的ESD来说，去耦电容减小了环路的面积，由于其ESL的作用使电解质作用减弱，可以更好的滤除高频能量。深圳市唛芯电子有限公司向客户提供完整的解决方案和测试整改等技术服务。华强北二极管静电防护元件

静电防护也成为电子产品质量控制的一项重要内容。ESD静电

如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏？来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改单单于增减元器件。通过调整PCB布局布线,能够很好地防范ESD。ESD静电

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