根据高频电路信号特性和ESD防护能力的要求来选用不同的防护器件和不同的防护中路结构，防护器件的结电容需要满足表1的要求，防护电路的开启电压(触发电压)和箱位电压(或二极管导通电压)应大于高频信号可能的比较大峰值电压，同时要远远小于被?；て骷腅SD或值电乐，ESD防护电路的响应时间要小于被?；て骷南煊κ奔?。高频信号频率低于1GHz，可以直接选用低容值的双向TVS管进行ESD防护，如果信号功率小，峰值电平低于二极管的正向导通电压，也可以直接选用低容值的快速开关二极管两个反向并联后进行双向ESD防护，如果信号峰值电平高于二极管的正向导通电压，应采用两个快速开关二极管反向串联后进行双向ESD防护。ESD静电保护元件的浪涌防护等级可用IPP这个参数来表示。天津低压ESD?；ぴ?/p>
国际电工委员会(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了测试标准IEC61000-4-2来评价电子设备的ESD抗扰度等级。但人们在研究静电放电的危害时，主要关心的是静电放电产生的注入电流对电火工品、电子器件、电子设备及其他一些静电敏感系统的危害，忽视了静电放电的电磁脉冲效应，直到20世纪90年代初Wilson才***提出ESD过程中产生的辐射场影响。IEC61000-4-2标准虽几经修改，规范了ESD模拟器对水平耦合板和垂直耦合板的放电方式，但没有关于ESD辐射场的明确规定，对ESD模拟器也*规定了放电电流的典型波形和4个关键点参数。通常被测设备(equip—mentundertest，EUT)是易受电磁场影响的。许多学者在实际测试时发现，由于ESD模拟器内部继电器与接地回路等因素的影响，符合IEC61000-4-2标准要求的不同END模拟器所得测试结果并不相同。陕西低压ESD?；ぴ⌒驮贓SD设计中，Diode是一种常见的器件。
常见的ESD静电放电模式有四种，分别是人体放电模型、机器放电模型、带电器件模型、感应放电模型：1.HBM，人体放电模型，即带电人体对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：人体——器件——地。2．MM，机器模型，即带电设备对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：机器——器件——地。3．CDM，带电器件模型，即带电器件直接对敌放电。放电途径为：器件——地。4．FICDM,感应放电模型，即器件感应带电后放电。途经：电场——器件带电——地。
静电ESD?；ぴ⌒妥⒁馐孪睿?.传输速率，也就是电容量的控制，现在随着工艺的不断完善，电容量越做越低。2.符合测试要求的标准，不是越高越好，而是适合自已的产品，例如：空气放电15KV 接触 8KV3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑，yint公司首席技术经理，说过一句很经典的话，在电路中，假如非万不得已不要增加多余的器件，每增加一个，就是增加失效风险，?；さ钠骷膊焕?。ESD器件作为?；て骷灿惺б婊?，所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。典型的机器模型对小电阻放电的波形, 峰值电流可达几百安培，持续时间决定于放电通路的电感为几百纳秒。
人体放电模型（HBM）法规：十九世纪时，人们曾用这种模型来调查矿坑中的气体混合物事件。美国***标准MIL-STD-883的第3015.8号方法建立了一个简化的等效电路，以及模拟人体模型需要的测试程序。另一个国际广为使用的法规是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：静电放电敏感度测试。人体模型主要用在工厂生产环境中，另一个类似的法规IEC61000-4-2，是系统级的静电测试法规，则是在在系统层级的测试。我国静电放电对应的国标相对应的标准为GB/T17626.2。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求。陕西低压ESD?；ぴ⌒?/p>
高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感。天津低压ESD?；ぴ?/p>
ESD静电放电机器模型,机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容是200pF，等效电阻为0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。静电放电充电器件模型,半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的。天津低压ESD?；ぴ?/p>
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