5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。DO-201封装的TVS有1.5KE系列（5000W）、LCE系列。陕西5000W瞬态抑制二极管功率计算
上海来明电子有限公司成立于2010年，是一家致力于电子元器件服务的供应链整合管理机构，专注为客户提供电子元器件产品及一站式供应链解决方案，包括长期成本降低、急需元器件交货供应解决方案、物料清单供应解决方案等，致力于成为全球**的电子元器件服务商。我们拥有丰富的电子元器件行业上下游产业资源及渠道，为客户提供***增值服务，持续为客户创造价值。我们拥有团队丰富的经验、海量质量货源、系统的供应链、完善的质量保证体系，可满足客户个性化方案定制。细分时代的到来，我们携手借助互联网的力量与用户互动并产生价值，以不断创新和服务价值输出，成为电子器件行业“立体多维方案品牌服务运营商”。安徽贴片瞬态抑制二极管功率计算引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良。
热电击穿：当pn结施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。
对于接口电路来说，为了保护我们的内部电路，都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS，而TVS是由二极管构成的，是二极管就会有结电容，结电容的大小会对信号造成一定的影响，特别是高速信号，而这里给出了建议的结电容大小，以使对信号的影响尽可能的降低，保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议：GPIO接口结电容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天线＜0.2pF。TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
反向击穿性PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。TVS 器件可以按极性分为单极性和双极性两种。重庆400W瞬态抑制二极管封装
SMB/DO-214AA封装的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。陕西5000W瞬态抑制二极管功率计算
TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，被广泛应用于各类电子电路中浪涌保护或静电保护。陕西5000W瞬态抑制二极管功率计算
上海来明电子有限公司是我国TVS、ESD、MOV，放电管、保险丝、继电器，二三极管MOS管、晶振，NTC，PPTC，电容专业化较早的有限责任公司（自然）之一，公司成立于2010-08-11，旗下晶导微电子,意昇,美硕,成镐，已经具有一定的业内水平。来明电子致力于构建电子元器件自主创新的竞争力，来明电子将以精良的技术、优异的产品性能和完善的售后服务，满足国内外广大客户的需求。