压敏电阻基本性能：（1）保护特性，当冲击源的冲击强（或冲击电流Isp=Usp/Zs)不超过规定值时，压敏电阻的限制电压不允许超过被保护对象所能承受的冲击耐电压（Urp）。（2）耐冲击特性，即压敏电阻本身应能承受规定的冲击电流，冲击能量，以及多次冲击相继出现时的平均功率。（3）寿命特性有两项，一是连续工作电压寿命，即压敏电阻在规定环境温度和系统电压条件应能可靠地工作规定的时间（小时数）。二是冲击寿命，即能可靠地承受规定的冲击的次数。（4）压敏电阻介入系统后，除了起到"安全阀"的保护作用外，还会带入一些附加影响，这就是所谓"二次效应"，它不应降低系统的正常工作性能。这时要考虑的因素主要有三项，一是压敏电阻本身的电容量（几十到几万PF），二是在系统电压下的漏电流，三是压敏电阻的非线性电流通过源阻抗的耦合对其他电路的影响。 压敏电阻的响应时间为ns级。塑封压敏电阻MOV电性

ZnO压敏电阻的电性能ZnO压敏电阻**重要的是其非线性的I-V特性，如图所示2.3，从功能上看，在电压值达到称为击穿电压或阀值电压的数值以前，压敏电阻接近于绝缘体;而在电压值超过这个数值以后就成为导体。使ZnO压敏电阻设计人员感兴趣的电性能是:在导电状态的非线性或者叫非欧姆性，以及稳态工作电压下的漏电流很小，观看一下曲线上三个重点的区段，对ZnO压敏电阻的这些特点就可以更明显了。曲线可以划分为三个阶段:预击穿区、非线性区、上升区。贴片压敏电阻MOV价格压敏电阻具有多种引线脚型。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件。压敏电阻是一种过压保护元件，一般用于交流电路浪涌保护。

压敏电阻基本参数：标称压敏电压(V)：指通过规定持续时间的脉冲电流（一般为1mA持续时间一般小于400mS）时压敏电阻器两端的电压值。2．电压比：指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。3．比较大限制电压(V)：在压敏能承受的比较大脉冲峰值电流Ip及规定波形下压敏电阻两端电压峰值。4．残压比：通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。5．通流容量(kA)：通流容量也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。6．漏电流(mA)：漏电流也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和比较大直流电压***过压敏电阻器电流。压敏电阻可通过并联的方式来增加整体通流能力。贴片压敏电阻MOV价格

10D压敏电阻脚间距一般为7.5mm。塑封压敏电阻MOV电性

在压敏电阻各种不同的应用中，要用到I-V特性曲线的所有区段，小电流线性区决定了功耗，即决定外加稳态电压时的工作电压。非线性区决定着施加瞬态浪涌时的限制电压。高电流区的特性**了保护大电流冲击比如雷电的极限情况。因此对于高电流运用情况，我们希望元件的上升出现在尽可能高的电流密度区段，这样会使元件电压上升**小。以下将介绍压敏电阻器的主要应用参数及其功能。研究表明在室温下ZnO晶粒的电阻率为()x10m，晶界区的电阻率约为(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同测定晶界电阻率的测试技术的情况下，所得到的晶界电阻率基本上是很接近的。因此决定压敏电压高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是获得所要求的元件的电压的构成单元。也就是说，这是压敏电压的体积效应。为提高压敏电压，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者减少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。对于一个固定的配方，晶粒大小的主要影响因素有:烧结温度、保温时间、原料的颗粒度。此外还可以在配方中引入一些新的添加剂，在烧结过程中抑制晶粒的长大或者改变晶界电阻率来提高元件的电压梯度。塑封压敏电阻MOV电性