稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。正负极识别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。这里指的是指针式万用表。数字万用表由于测量电阻档所用电池与红黑表笔连接极性问题，测量二极管正负极结果与使用指针万用表结果相反，即测量结果较小那一次，黑笔接的是稳压二极管的负极，红表笔接的是稳压二极管的正极。硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分。山东高压二极管参数

整流桥一般带有足够大的电感性负载，因此整流桥不出现电流断续。一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器,故可将其负载视为恒流源。多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离，但整流变压器的等效容量大，体积庞大。由于一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器，故可将其负载视为恒流源。另外根据EMI测量标准，为减小电网阻抗对测量结果的影响，需要在整流桥的电网输入端接入线性阻抗稳定网络(LISN)。测试所用的LISN的结构如图1所示，其主要作用是：①减小电网阻抗对测量结果的影响；②隔离来自电网端的干扰。由于LISN的隔离作用，可以把电网端视作一*有基波电势和内阻抗的电源。 黑龙江快恢复二极管特性红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。

稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。[1]此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

高压二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压整流二极管电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有比较大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。高压二极管具有体积小,耐压高,速度快,稳定性好的特点高压二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。高压二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。 锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。

    肖特基二极管又称SBD,是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 二极管是电路中基本的电子元器件。江西快恢复二极管符号

二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比为动态电阻。山东高压二极管参数

高压SBD图2肖特基二极管长期以来，在输出12V～24V的SMPS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V～48V的SMPS中，只有选用200V～400V的FRED。设计者迫切需要介于100V～200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构，如图2所示。采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N－区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为，而肖特基势垒的结电压*约，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。山东高压二极管参数

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