2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路，降低了成本。大功率或大电流的稳压电源，一般采用L－C滤波电路。但是，大电流的滤波电抗器体积大，重量重，价格也较贵，因此，在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理，构成一个闭环反馈系统。主要包括：调整管，取样电路，基准电压源，误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A，电流很大，所以，为减小调整管功耗，采用并联形式，在本电源中，调整管用两个大功率三极管并联，使每管流过电流为10A左右。这样，每个管子的功耗不大于40W，减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右，因此应采用大功率晶体三极管，选取β＝40～50，这样，基极电流应达2×0．3A，即600mA。而一般集成运算放大器输出电流只有几十毫安级，不能让比较放大电路的输出端直接来推动调整管，因此在比较放大电路的输出端与调整管的基极之间，加入推动级，此处选择一个小功率三极管，构成复合管的形式。启动电阻Rc取2k。防振电容C取10μF。在稳压电路中，基准源是整个稳压系统工作的参考，稳压的**终效果取决于基准源的水平。因此，该电源中。当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按?5mv/只/℃）。南京可控硅销售

    5.光控晶闸管检测用万用表检测小功率光控晶闸管时，可将万用表置于R×1档，在黑表笔上串接1～3节1．5V干电池，测量两引脚之间的正、反向电阻值，正常时均应为无穷大。然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口，此时应能测出一个较小的正向电阻值，但反向电阻值仍为无穷大。在较小电阻值的一次测量中，黑表笔接的是阳极A，红表笔接的是阴极K。也可用图lO中电路对光控晶闸管进行测量。接通电源开关S，用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口。为其加上触发光源(大功率光控晶闸管自带光源，只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可，不用外加光源)后，指示灯EL应点亮，撤离光源后指示灯EL应维持发光。若接通电源开关S后(尚未加光源)，指示灯FL即点亮，则说明被测晶闸管已击穿短路。若接通电源开关、并加上触发光源后，指示灯EL仍不亮，在被测晶闸管电极连接正确的情况下，则是该晶闸管内部损坏。若加上触发光源后，指示灯发光，但取消光源后指示灯即熄灭，则说明该晶闸管触发性能不良。(1)判别各电极：根据BTG晶闸管的内部结构可知，其阳极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联的PN结，而阳极A与门极G之问却只有一个PN结。因此。南京可控硅销售整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成。

    1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块。

    2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化。调整器具有多种控制信号选择。

    为G极加上正向触发信号，指示灯亮，说明晶闸管已被触发导通。若将开关S断开，指示灯维持发光，则说明晶闸管的触发能力正常。若将开关s的K2触点接通，为G极加上反向触发信号，指示灯熄灭，则说明晶闸管的关断能力正常。4．温控晶闸管的检测(1)判别各电极：温控晶闸管的内部结构与普通晶闸管相似，因此也可以用判别普通晶闸管电极的方法来找出温控晶闸管的各电极。(2)性能检测：温控晶闸管的好坏也可以用万用表大致测出来，具体方法可参考普通晶闸管的检测方法。图9是温控晶闸管的测试电路。电路中，R是分流电阻，用来设定晶闸管VT的开关温度，其阻值越小，开关温度设置值就越高。c为抗干扰电容，可防止晶闸管vT误触发。HL为6．3v指示灯(小电珠)，S为电源开关。接通电源开关s后，晶闸管VT不导通，指示灯HL不亮。用电吹风“热风档”给晶闸管VT加温，当其温度达到设定温度值时，指示灯亮，说明晶闸管VT已被触发导通。若再用电吹风“冷风”档给晶闸管VT降温(或待其自然冷却)至一定温度值时，指示灯能熄灭，则说明该晶闸管性能良好。若接通电源开关后指示灯即亮或给晶闸管加温后指示灯不亮，或给晶闸管降温后指示灯不熄灭，则是被测晶闸管击穿或性能不良。可控硅触发板用于水泵、风机等软启动控制，调速节能控制等。南京可控硅销售

可控硅触发板现场调试一般不需要示波器即可完成。南京可控硅销售

双向晶闸管的电极引线不规则，通常G极是在T1极侧引出而不是T2极侧。双向晶闸管的两个主电极T1和T2还是有区别的，双向晶闸管的触发通常是相对与T1与G之间的电流。

可控硅的作用之一就是可控整流，这也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能，并没有实现可控，而一旦把二极管换做可控硅，便构成了一个可控整流电路。

 在一个**基本的单相半波可控整流电路中，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。 南京可控硅销售

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