应用KY-TSC系列投切开关是在三相系统中用来投切电容,和其他投切器相比,该投切开关具有在投切时无涌流,无接触噪声以及很高的开关频率。这些优点是通过触发电路,晶闸管,二极管,以及一些辅助电路实现。该投切器适合用在负载变化较快的场合。组成单元该投切器主要有双向可控硅,触发电路,吸收电路,散热片,以及冷却装置等元件组成。出点电路在电压过零前后进行判断是否输出控制信号(DC12V),进而使可控硅进行导通或关断。触发电路能够可靠的保证控制信号的输出,散热片的良好的导热作用以及散热风机的添加,改善了投切开关的散热效果。该装置有内置过温保护开关,以及控制风机自动运行的温度开关,从而为安全的运行提供了良好的条件。 调整器具有“自动限流”功能,负载电流大于额定值时,调压器输出电流被限制在额定值左右。单相整流可控硅订制
选择价格便宜、性能很好的热敏元件AD590,将其加装在调整管的散热片上。当温度达60℃左右时,启动风扇降温,当温度回落至40℃左右时,关闭风扇。当温度高达85℃时,给可控硅触发回路发出***信号,关断可控硅,进而关断电路,避免调整管过热损坏。电路如图3所示。AD590的外部特性:0℃时,其电流为273μA;温度每上升1℃,电流增加1μA;温度每下降1℃,电流减小1μA;工作温度为-50℃~+150℃;为避免比较器频繁动作或误动作,选择滞环宽度为1V。取R=40kΩ;选择集成运放由单电源+5V供电,可由CW78M15分压得到。设温度65℃时比较器基准电压为EmH,有:设温度40℃时比较器基准电压为EmL,有取:R1=2k;Rf=10k校验:所以:当温度为61℃时,启动风扇;当降低为40℃时,关闭风扇。当调整管温度达80℃左右时,比较器输出零电平,***可控硅,进而关断电路。该稳压电源中,短路保护的功能为当检测到输出电压低于2V并延时2s后时,就判断为短路。发出***信号关断可控硅,关断电路,防止损坏器件。限流保护的作用是当负载电流超过20A时,减小调整管基极电流,使输出电流减小。3结束语这种新型跟.踪式可控硅直流稳压电源成本低,性能较好,精度较高,适于BP机发射台使用。安徽散热可控硅隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流,并能承受较大的短路电流。
上海凯月电子科技有限公司是一家集科研开发、制造、销售于一体的高科技民营企业,专业生产销售可控硅触发器、大功率高精度可控硅触发板、电力调整器、软启动器、智能调压模块、中小型固态继电器、中频电源和节电设备等700多个产品规格。广泛应用于工业机床、加热设备、节能、电力驱动等自动化控制领域。
公司拥有先进的研发测试生产设备,雄厚的技术力量。公司视质量为企业***生命,严格按照国际ISO9001质量体系组织设计生产。产品均采用无铅自动焊接技术全自动电脑贴片生产,每台产品须通过电磁兼容测试,须在高温及高压环境下老化48小时工作以上,确保能够生产出高质量、高精度、高可靠的产品。主要技术指标均达国际标准。质量的优化,从而使本公司的销售网络广褒千里,纵横全国,部分产品远销中东、马来西亚、等***和中国台湾地区。
焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(μA左右),还具有耐压高(比较高1200V)、工作电流大(~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。
稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1,所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极,光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极,光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极,NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1,单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1,变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1,变压器B1的输出端1连接电源输出端1,变压器B2的输出端2连接电源输出端2,所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1,所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2,所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2,所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐,所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端,电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比,具有以下优点和效果:单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离,提高了单向可控硅的耐受性能,实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。整流器/充电机应有输出滤波器以将加在蓄电池的纹波电压减少到**小。安徽散热可控硅
常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器,产品规格很多,电压从几十伏到几千伏,电流从几安到几千安。单相整流可控硅订制
也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。单相整流可控硅订制
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