P3电位器调整。调整范围*电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~****电流限制（选件）：内置电流变换器，外接10KΩ电位器调整。调整范围20%~****过流报警（选件）：内置电流变换器，板内P2电位器调整。调整范围***~150%*散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms*起动/停止开关:外接开关*调功/调压切换(选件):外接开关*工作环境:温度范围：-30~+50℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下存储温度：-30~+60℃其它要求：通风良好，不受日光直射或热辐射，无腐蚀性、可燃性气体*安装形式和要求:壁挂式，垂直安装绝缘电阻:模块输出端与外壳，500VDC；**小控制板电源端与外壳，500VDC；控制输入端与外壳，500VDC；控制板输入端与电源端，500VDC*介电强度：模块输出端与外壳之间，2000VAC1分钟；控制电源端与外壳之间，2000VAC1分钟单相电力调整器是移相型闭环电力控制器，其**部件采用国外生产的高性能、高可靠性的**级可控硅触发**集成电路。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。现场调试一般不需要示波器即可完成。在双变换UPS中，此装置既为逆变器供电，又给蓄电池充电，故称为整流器/充电机。单相整流可控硅生产加工
**交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其比较高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，比较大功率才能达到30W。（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。单向可控硅、双向可控硅检测可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有***阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压。通用可控硅货源整流器常用的冷却方式有自然冷却、纯风扇冷却、自然冷却和风扇冷却相结合三种。
选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源，并选择其稳定电压为6．4V。由特性较好的三端集成稳压器供电，限流电阻采用精密金属膜电阻R（温度系数约为±1×10－5／℃）。为了减小噪声的影响，将稳压管封装在盛油的小容器里，噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集－射极电压经电阻分压，并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端；在集电极电压的取样电路中串入一稳压管，由该管决定调整管压降大小。此处选3．3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度，应使集－射极采样电阻完全对称，并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1＝R3，R2＝R4；设分压系数n＝R2／（R1＋R2）；集成运算放大器输出为Uo；放大系数为K；调整管集电极电压为UC；调整管发射极电压为UE；A点电压为UA；B点电压为UB；有：当调整管压降增大，UcE上升，使Uo增大，即触发器的控制电压Ub增大，而集成触发器KJ785是负极型的：控制电压增大，导通角减小。因此，触发脉冲后移，整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。
工作原理
本控制器输出触发脉冲必须同时具备两个条件，分别是：控制输入有效和可控硅两端电压为零，两个条件缺其中任何一个都不能输出触发脉冲。控制信号有效的较早周波检测过零，过零条件满足即输出触发脉冲，在以后的控制信号有效的时间段内持续输出触发脉冲。
性能特点
高可靠的可控硅电压过零触发，三相**控制，脉冲隔离输出，安全可靠。
有自同步功能，免去传统可控硅电路认定同步和相序的麻烦，使用与调试方便。
适用于阻性负载、感性负载、容性负载等类型。
一体化结构，接线简单，互换性好。
驱动能力强，每路可以输出600毫安的电流，6V触发电压,可以驱动4000A可控硅。
工作可靠,有非常强的抗干扰能力，适用性强，耐压高。
调整器具有软起动、软关断功能，减少对电网的冲击和干扰，使主回路晶闸管更加安全可靠。
1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块。盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。通用可控硅货源
输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。单相整流可控硅生产加工
双向晶闸管的电极引线不规则，通常G极是在T1极侧引出而不是T2极侧。双向晶闸管的两个主电极T1和T2还是有区别的，双向晶闸管的触发通常是相对与T1与G之间的电流。
可控硅的作用之一就是可控整流，这也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能，并没有实现可控，而一旦把二极管换做可控硅，便构成了一个可控整流电路。
在一个**基本的单相半波可控整流电路中，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。 单相整流可控硅生产加工
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