晶闸管和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子领域的两大重要器件,各自具有独特的性能优势和适用场景。
结构与原理方面,晶闸管是四层PNPN结构的半控型器件,依靠门极触发导通,但关断需依赖外部电路条件;IGBT是电压控制型全控器件,结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,可通过栅极电压快速控制导通和关断。
性能对比显示,晶闸管的优势在于高耐压(可达10kV以上)、大电流容量(可达数千安培)和低导通损耗(约1-2V),适合高压大容量、低开关频率(通常低于1kHz)的应用,如高压直流输电、工业加热和电机软启动。IGBT则在中低压(通常<6.5kV)、高频(1-100kHz)场景中表现出色,其开关速度快、驱动功率小,广泛应用于变频器、新能源发电和电动汽车。
晶闸管的触发电路需匹配门极特性以提高可靠性。福建晶闸管种类
双向晶闸管的参数选择与应用注意事项
选择双向晶闸管时,需综合考虑以下参数:1)额定通态电流(IT (RMS)):应根据负载电流的有效值选择,一般取 1.5-2 倍余量,以避免过载。例如,对于 10A 负载电流,可选择 16A 额定电流的双向晶闸管。2)额定电压(VDRM/VRRM):需高于电路中可能出现的最大电压峰值,通常取 2-3 倍安全裕量。在 220V 交流电路中,应选择耐压 600V 以上的器件。3)门极触发电流(IGT)和触发电压(VGT):根据驱动电路能力选择,IGT 一般在几毫安到几十毫安之间。4)维持电流(IH):应小于负载电流,确保双向晶闸管导通后能维持状态。应用时还需注意:1)避免在潮湿、高温环境下使用,以防性能下降。2)对于感性负载,需在负载两端并联 RC 吸收网络,抑制反电动势。3)触发脉冲宽度应大于负载电流达到维持电流所需的时间,确保可靠触发。4)安装时需保证散热良好,避免器件因过热损坏。 中国澳门平板型晶闸管晶闸管在光伏逆变器中用于DC-AC转换。
单向晶闸管的参数选择指南
在选择单向晶闸管时,需要综合考虑多个参数,以确保器件能够满足实际应用的要求。额定通态平均电流是指晶闸管在正弦半波导通时,允许通过的**平均电流。选择时,应根据负载电流的大小,留出一定的余量,一般取额定电流为实际工作电流的 1.5-2 倍。额定电压是指晶闸管能够承受的**正向和反向电压。选择时,额定电压应高于实际工作电压的峰值,一般取额定电压为工作电压峰值的 2-3 倍。维持电流是指晶闸管维持导通状态所需的**小电流。如果负载电流小于维持电流,晶闸管可能会自行关断。此外,还需要考虑晶闸管的门极触发电流、触发电压、开关时间等参数。在高频应用中,应选择开关速度快的晶闸管,以减少开关损耗。
晶闸管特点可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR),是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。那么,用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断,可以断开阳极电源或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压,那么,在电压过零时,晶闸管会自行关断。 晶闸管的开关速度较慢,不适合高频电路。
普通晶闸管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。以**简单的单相半波可控整流电路为例,在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及(d),只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。 晶闸管的失效模式包括过热烧毁、电压击穿等。ABB晶闸管质量
晶闸管常用于电机调速、温度控制、电焊机等工业应用。福建晶闸管种类
晶闸管模块(Thyristor Module)是一种集成了晶闸管芯片、驱动电路、散热结构和保护功能的功率电子器件,广泛应用于工业控制、电力电子、新能源等领域。与分立式晶闸管相比,模块化设计具有更高的功率密度、更好的散热性能和更便捷的系统集成能力。
晶闸管芯片:如单向晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、门极可关断晶闸管(GTO)等。
驱动电路:部分模块(如智能功率模块IPM)内置驱动IC,简化外部控制。
散热基板:采用铜或铝基板,部分大功率模块采用陶瓷基板(如AlN、Al?O?)以提高导热性。
封装结构:常见的有塑封(TO-247)、螺栓型(如SEMIKRONSKM系列)、平板压接式等。
保护元件:部分模块集成温度传感器、过流保护、RC缓冲电路等。
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