因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。[1]·通态(峰值)电压VTM的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。[1]·维持电流：IH是维持可控硅保持通态所必需的小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。[1]·电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。[1]双向可控硅安装编辑对负载小，或电流持续时间短(小于1秒钟)的双向可控硅，可在自由空间工作。但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。[1]双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。很多场合下，铆接不是一种推荐的方法。[1]夹子压接：是推荐的方法，热阻小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装（sot82和sot78）和绝缘封装。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。重庆进口Mitsubishi三菱可控硅模块销售厂

    以产品的封装不同而不同。意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明一般分为小值/典型值/大值，而非“=”一个参数值。双向可控硅特点及应用编辑双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2，一个门极G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。[1]·耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕量。[1]·电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小。重庆进口Mitsubishi三菱可控硅模块销售厂它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。

    “双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不能代替两只反极性并联的可控硅，而且需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。中文名双向可控硅外文名TRIAC发明时间1957年性能单向导电性分类普通可控硅、双向可控硅等意思三端双向交流开关目录1产品命名2特点及应用3安装4参数符号5元件简介6产品分类7封装形式8构造原理9产品特性10触发电路11工作原理12产品判别13测量方法14伏安特性?反向特性?正向特性15检测方法16黄金规则17典型应用18产品区别19注意事项20保护措施双向可控硅产品命名编辑双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取三个字母)交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。三端双向可控硅由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。双向：Bi-directional(取一个字母)控制：Controlled(取一个字母)整流器：Rectifier(取一个字母)再由这三组英文名词的字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。双向：Bi-directional(取一个字母)三端：Triode。

    没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。触发导通在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。双向可控硅产品判别编辑双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。

    符号英文单词参数中文参数说明单位IT(AV)AVERAGEON-STATECURRENT通态平均电流838电子838电子国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40oC和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的大工频正弦半波电流的平均值。这也是标称其额定电流的参数。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时同样应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的此项电流定额，并应留一定的裕量。一般选取其通态平均电流为按此原则所得计算结果的。AVTMPeakon-statevoltagedrop通态峰值电压指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。VIDRMMaximumforwardorreverseleakagecurrent断态重复峰值漏电流为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的高结温Tjm下测出。mAIRRMMaximumreverseleakagecurrent反向重复峰值漏电流mAIDSM断态不重复平均电流门极断路时。一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路。重庆进口Mitsubishi三菱可控硅模块销售厂

额定通态电流（IT）即比较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。重庆进口Mitsubishi三菱可控硅模块销售厂

    在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。AVTOOnstatethresholdvoltage门槛电压-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通态电流均方值AITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。AIGMForwardPeakGateCurrent门极峰值电流-AI2TCircuitFusingConsideration周期电流平方时间积-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通态临界电流上升率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。重庆进口Mitsubishi三菱可控硅模块销售厂