沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT原理方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然***一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。私人模块批发

    200～1500V一次短路电流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge栅极电压10～30V10～+30V±1%±10～30V本测试单元包括动态参数测试组成部分，主要组成材料及其要求如下所示。动态参数测试部分主要材料清单表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰抑制电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套1动态参数测试单元技术要求环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度-20℃～60℃；3)工作环境温度：-5℃～40℃；4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)；5)震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力≤；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。重庆模块平台高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主。

    1～1200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二极管反向恢复测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vcc二极管电压50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢复电流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向关断电荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢复时间20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向关断能量损失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V。

    同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则出现了很多新技术，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的**高工作结温与功率密度不断提高，IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕芯片背面焊接固定与正面电极互连两方面改进。模块技术发展趋势：无焊接、无引线键合及无衬板/基板封装技术；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要应用领域作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT已广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、****等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。1）新能源汽车IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用，是电动汽车及充电桩等设备的**技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%，占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面：A）电动控制系统大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机。IGBT是由 双极结型晶体三极管和绝缘栅型场效应管 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件。

    采用焊接或粘接等方式将主电极6、连接桥板5、绝缘体7以及底板l可靠的固定连接，外壳9则固定在底板1上，外壳9的顶部具有定位凹槽91。见图1所示，本实用新型的主电极6为两个以上折边的条板，同样经弯曲后的主电极6也具有吸收和释放机械应力和热应力的特点，主电极6的内侧与连接桥板5固定连接，主电极6的另一侧穿出外壳9并弯折后覆在外壳9顶部，而覆在外壳9顶部的主电极6上设有过孔61，该过孔61与壳体9上的定位凹槽91对应，定位凹槽91的槽边至少设有两个平行的平面，可对螺母进行定位，由于主电极6不受外力，可保证二极管芯片3不受外力影响，在定位凹槽91的下部设有过孔，保证螺栓不会顶在壳体9上，而下过渡层4、二极管芯片3、上过渡层2、连接桥板5、绝缘体7以及主电极6—侧的外周灌注软弹性胶8密封，将连接区域保护密封，***再用环氧树脂灌注充满壳体空间。权利要求1、一种非绝缘双塔型二极管模块，包括底板(1)、二极管芯片(3)、主电极(6)以及外壳(9)，其特征在于所述二极管芯片(3)的下端面通过下过渡层(4)固定连接在底板(1)上，二极管芯片(3)的上端面通过上渡层(2)与连接桥板(5)的一侧固定连接，连接桥板(5)是具有两个以上折弯的条板，连接桥板(5)的另一侧通过绝缘体。IGBT模块输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。四川自动化模块

1964年，双向晶闸管在GE公司开发成功，应用于调光和马达控制。私人模块批发

    可通过连接桥板的变形来释放所受到的应力，加之主电极也为折弯的条板，主电极的一侧固定连接在连接桥板上，使主电极也能释放机械应力和热应力，因此可通过连接桥板以及主电极降低二极管芯片的机械应力和热应力，有效地降低了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机械应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽，而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应，由于螺钉安装时的力矩方向为水平方向，因此在模块装配及电极装配的过程中，主电极不再受外部机械应力的影响，故二极管芯片没有机械应力的作用，在工作运行时也不会受到机械应力的影响，提高了二极管工作可靠性。3、本实用新型通过软弹性胶对下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连接桥板、绝缘体以及主电极灌注密封，因此二极管芯片能通过软弹性胶进行保护，不仅使连接桥板和主电极能释放因振动而产生的机械应力以及工作中所产生的热应力，而且通过软弹性胶使热应力不会作用于二极管芯片上，因此二极管工作可靠性得到很大提高。以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。图1是已有非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。私人模块批发

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