EVG101光刻胶处理系统的技术数据：可用模块：旋涂/OmniSpray®/开发分配选项：各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000cP的粘度；液体底漆/预湿/洗盘；去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）；恒压分配系统/注射器分配系统。智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能，提高效率设备和过程性能跟宗功能：智能处理功能；事/故和警报分析/智能维护管理和跟宗晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米EVG光刻机蕞新的曝光光学增强功能是对LED灯的设置。微流体光刻机原理

EVG®150光刻胶处理系统技术数据：模块数：工艺模块：6烘烤/冷却模块：蕞多20个工业自动化功能：Ergo装载盒式工作站/SMIF装载端口/SECS/GEM/FOUP装载端口智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米可用模块：旋涂/OmniSpray®/开发烘烤/冷却晶圆处理选项：单/双EE/边缘处理/晶圆翻转弯曲/翘曲/薄晶圆处理安徽光刻机价格怎么样IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm尺寸的晶圆。

HERCULES光刻轨道系统所述HERCULES®是一个高容量的平台整合整个光刻工艺流在一个系统中，缩小处理工序和操作者支持。HERCULES基于模块化平台，将EVG建立的光学掩模对准技术与集成的晶圆清洗，光刻胶涂层，烘烤和光刻胶显影模块相结合。HERCULES支持各种晶片尺寸的盒到盒处理。HERCULES安全地处理厚，弯曲度高，矩形，小直径的晶圆，甚至可以处理设备托盘。精密的顶侧和底侧对准以及亚微米至超厚（蕞大300微米）光刻胶的涂层可用于夹层和钝化应用。出色的对准台设计可实现高产量的高精度对准和曝光结果。

EVG6200NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG6200NT技术数据：曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能：全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5μm底侧对准：≤±1,0μm红外校准：≤±2,0μm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0μmNIL对准：≤±3.0μm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNILEVG150光刻胶处理系统拥有：Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。

    EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统；IQAligner自动掩模对准系统；IQAlignerNT自动掩模对准系统；【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。 EVG?620 NT / EVG?6200 NT 掩模对准系统（自动化和半自动化）支持的晶圆尺寸 ：150 mm / 200 mm。微流体光刻机试用

我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。微流体光刻机原理

公司技术团队由一群仪器仪表领域内具有丰富的经验的工程师组成。业务范围覆盖至半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等。半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪可分为通用型和专业型，通用型仪表主要包括工业自动控制系统装置制造、电工仪器仪表、绘图、计算及测量仪器、实验分析仪器、试验机制造、供应用仪器仪表、其他通用仪器；我国仪器仪表行业发展速度较快，但高阶产品供给能力依然欠缺，随时面临被断供的风险。系列政策出台，助力本土企业突围。政策助力对推动经济发展、促进相关行业技术升级、打破国外半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪垄断、提高半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪国产化率及国产替代等方面具有重要战略意义，近年来我国密集出台涉及仪器仪表行业及相关应用领域的产业政策，在政策支持下，我国本土企业有望突出重围。微流体光刻机原理

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