本发明涉及剥离液技术领域：，更具体的说是涉及一种光刻胶剥离液再生方法。背景技术：：电子行业飞速发展，光刻胶应用也越来越***。在半导体元器件制造过程中，经过涂敷-显影-蚀刻过程，在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后，必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材，才能再进行下道工序。因此，光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。而随着电子行业的发展以及高世代面板的面世，光刻胶剥离液的使用越来越多。剥离液废液中含有光刻胶树脂、水和某些金属杂质，而剥离液废液的处理主要是通过焚烧或者低水平回收，其大量的使用但不能够有效地回收，对环境、资源等都造成了比较大的影响。有鉴于此，申请人研发出以下的对使用后的光刻胶剥离液回收及再生方法。技术实现要素：本发明的目的是提供一种光刻胶剥离液再生方法。为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液，包括以下质量组分：光刻胶剥离液再生方法，包括以下步骤：s1：回收剥离液新液使用后的剥离液废液，将剥离液废液经过蒸馏、加压工序，得出剥离液废液的纯化液体；纯化液体中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物；s2：制备添加剂。剥离液应用于什么样的场合？杭州中芯国际用剥离液报价

    所述卷边辊与所述胶面收卷辊通过皮带连接，所述收卷驱动电机与所述胶面收卷辊通过导线连接。进一步的，所述电加热箱与所述干燥度感应器通过导线连接，所述电气控制箱与所述液晶操作面板通过导线连接。进一步的，所述主支撑架由合金钢压制而成，厚度为5mm。进一步的，所述干燥度感应器与所述电气控制箱通过导线连接。进一步的，所述防溅射挡板共有两块，倾斜角度为45°。进一步的，所述电气控制箱与所述表面印刷结构通过导线连接，所述电气控制箱与所述胶面剥离结构通过导线连接。本**技术的有益效果在于：采用黏合方式对印刷品胶面印刷进行剥离，同时能够对印刷品胶面进行回收，节约了大量材料，降低了生产成本。附图说明图1是本**技术所述一种印刷品胶面印刷剥离复合装置的主视结构简图；图2是本**技术所述一种印刷品胶面印刷剥离复合装置的电气控制箱外观结构简图；图3是本**技术所述一种印刷品胶面印刷剥离复合装置的表面印刷结构主视结构简图；图4是本**技术所述一种印刷品胶面印刷剥离复合装置的胶面剥离结构主视结构简图。附图标记说明如下：1、主支撑架；2、横向支架；3、伺服变频电机；4、电机减速箱；5、印刷品传送带；6、印刷品放置箱；7、表面印刷结构。惠州市面上哪家剥离液销售厂家哪家的剥离液性价比比较高？

    所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的，所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，～1wt％硫脲类缓蚀剂和～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏，所以稳定性较高，水溶性较好，耐电解质，易于生物降解，泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性，所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果，另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

    采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构，同时相比于传统的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域，光学领域，电学领域，声学领域，生物领域，mems制造，nems制造，集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓；图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列；图3为实施例1步骤三的结构图；图4为实施例1步骤四的结构图；图5为实施例1步骤五的结构图；图6为实施例1步骤六的结构图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并清洗；步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰；步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜，如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形，如图4所示。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层，如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜，在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。好的剥离液的标准是什么。

砷化镓也有容易被腐蚀的特点，比如碱性的氨水、酸性的盐酸、硫酸、硝酸等。去胶，也成为光刻胶的剥离。即完成光刻镀膜等处理之后，需要去除光刻胶之后进行下一步。有时直接采用**+异丙醇的方式就可以去除。但是对于等离子体处理过的光刻胶，一般就比较难去除干净。有的人把**加热到60℃，虽然去胶效果快了一些，但是**沸点是60℃，挥发的特别快，而且**蒸汽也有易燃的风险，因此找一款去胶效果好的光刻胶剥离液十分有必要。介绍常见的一款剥离液，该剥离液去胶效果好，但是对砷化镓有轻微腐蚀，不易长时间浸泡。工艺参数因产品和光刻胶的种类而不同，但基本上都要加热。华星光电用的哪家的剥离液？杭州铜蚀刻液剥离液厂家现货

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    用显微镜观察也难以看出的程度)3：有少量残渣4：基本能剥离，但一部分残渣多5：一半以上能剥离，但一部分残渣多6：基本不能剥离，但一部分剥离7：不能剥离【表2】由该结果可知，在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成，与使用氢氧化钠的比较组成相比，即使l/s狭窄，也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理，将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90％以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外，剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后，将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制：s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1：没有变化2：极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3：略有变化4：发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。杭州中芯国际用剥离液报价

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