IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。直接接地驱动：功率器件的接地端电位恒定，常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。奉贤区优势驱动电路售价

实现电气隔离：在需要电气隔离的应用中，驱动电路通过光耦、变压器等隔离器件，将输入信号与输出信号隔离开来，提高系统的安全性和稳定性。三、驱动电路的分类按功率器件的接地类型分类：直接接地驱动：功率器件的接地端电位恒定，常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。浮动接地驱动：功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动，典型的为自举驱动电路。按电路结构分类：隔离型驱动电路：包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。奉贤区优势驱动电路售价MOSFET驱动电路：使用MOSFET（场效应晶体管）作为开关元件，适用于高效能的开关电源和电机驱动。

Windows怎样知道安装的是什么设备，以及要拷贝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是从Windows 95时***始引入的一种描述设备安装信息的文件，它用特定语法的文字来说明要安装的设备类型、生产厂商、型号、要拷贝的文件、拷贝到的目标路径，以及要添加到注册表中的信息。通过读取和解释这些文字，Windows便知道应该如何安装驱动程序。几乎所有硬件厂商提供的用于Windows 9x下的驱动程序都带有安装信息文件。事实上，.inf文件不仅可用于安装驱动程序，还能用来安装与硬件并没有什么关系的软件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新时下载的系统部件就是利用.inf文件来说明如何安装该部件的。

如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2负载特性：了解负载的电流、电压和功率要求。

推挽驱动是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有OTL、OCL等）。是两个参数相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem- pole）输出电路。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。IGBT驱动：IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。青浦区制造驱动电路哪家好

由单个电子元器件连接起来组成的驱动电路，多用于功能简单的小功率驱动场合。奉贤区优势驱动电路售价

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E，然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）奉贤区优势驱动电路售价

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