每个单元线路结构的八条栅极线通过自对准双倍图案化(sadp)形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。在又一实施例中,每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线,每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成,并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。在这个实施例中,每个单元线路结构的八条栅极线通过saqp形成,并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成顺序地且重复地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。还提供一种制造集成电路的方法。所述方法包括:在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线,所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸;以及在栅极层上方的导电层中形成多条金属线,所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,使得包括在所述多条金属线中的6n条金属线和包括在所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。在所述方法的一些实施例中。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,有想法的不要错过哦!山东晶振回收市场
根据信号线束需要插接的位置,调节紧固螺栓12上连杆13的位置到合适的地方,顺时针转动紧固螺栓12,将连杆13的位置固定;逆时针转动线夹14底部的螺丝,使得线夹14张开,将信号线穿过线夹14,顺时针转动线夹14底部的螺丝,将信号线固定在线夹14的内部,将信号线的端头安装在信号接头9上的93的底端,将93按入母头91的内部,通过卡扣92固定;将主板1通过减震螺栓10安装固定在预先设置的安装位置,顺时针拧紧减震螺栓10即可,当设备运转时,为该显示驱动集成电路结构供电,散热风扇4通电转动,主板1上的电子元件2运转产生大额热量,鳍形设计的散热板3将电子元件2上的热量吸收,通过散热风扇4转动带起的空气流动排出设备。对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。四川集成电路回收处理上海海谷电子有限公司为您提供回收,欢迎新老客户来电!
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚 拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例,但是本领域技术人员将容易理解,在实质上不脱离本发明构思的情况下,可以在示例实施例中进行许多修改。
具备以下有益效果:该组合式集成电路芯片,通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块,当芯片本体与集尘电路板安装的时候,首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中,接着通过螺母与螺纹块连接,达到固定散热机构的目的,之后打开管盖,并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水,接着盖上管盖,在芯片本体工作散发热量的时候,热量被空心导热块吸收,同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发,并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中,利用空心散热块和第二空心散热块较 大的散热面积快速的把热量导出,然后水蒸汽凝结成水珠,水珠回到空心导热块中继续吸收热量,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了芯片的使用寿命。该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现,本实用新型能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了芯片的使用寿命。附图说明图1为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片的结构示意图;图2为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片a部分的结构示意图。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!
在图5中的具有n=1的单元线路结构中,存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构,多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构,第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻,并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下:“d”表示双倍,“p”表示图案,“g”表示栅极。例如,双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11=wdg+wglpg12=pdg-(wdg+wgl)在表达式2中,wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度,wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选,有需要可以联系我司哦!四川电子元件物料回收中心
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导电覆盖层可以由金属氮化物(例如,tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如,钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如,沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。山东晶振回收市场
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