固定层110a和自由层114a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态，并且从而使得多个存储单元104a,1至104b,2能够分别存储数据状态，数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件106的电阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低电阻状态，则存储单元104a,1将存储位值(例如，逻辑“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高电阻状态，则存储单元104a,1将存储第二位值(例如，逻辑“1”)。调节访问装置108分别具有通过其可以控制提供给相关的工作mtj器件106的电流的电阻。例如，调节访问装置108a,1被配置为控制提供给工作mtj器件106a,1的电流，第二调节访问装置108b,1被配置为控制提供给第二工作mtj器件106b,1的电流等。调节访问装置108被配置为通过控制提供给工作mtj器件106的电流来选择性地对存储器阵列102内的一个或多个工作mtj器件106提供访问。在一些实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个调节mtj器件109，一个或多个调节mtj器件109分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层112b与自由层114b分隔开的固定层110b。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与相关的工作mtj器件106连接的并联连接的调节mtj器件和第二调节mtj器件206。在一些实施例中。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎新老客户来电！黑龙江电子元件物料回收行情

信号dout的回转率是可控制的。初，src电路104向驱动器电路102提供一预设回转率，并且驱动器电路102驱动信号dout，其中信号dout具有该预设回转率。该预设回转率可以是特定值，或者可以是一范围中的数值。通常，一预设回转率被设计为满足一规范的要求。在信号dout的电气特性不理想的情况下，使用者在一使用者应用端12上测试ic元件10。使用者应用端12的一示波器120测量信号dout的一电压，并且示波器120，基于测量结果，在使用者应用端12的一使用者界面124上显示一电压波形122的图表。使用者基于例如使用者界面124的显示器上所示的电压来查看和计算信号dout的一实际回转率。接下来，使用者发送命令(例如，二进制数字)到src电路104。举例来说，通过使用者界面124的键盘、鼠标游标、触控显示器、按钮或其他控制件发送命令。替代地，使用者通过ic元件10的输入端引脚或固件码发送命令。src电路104，根据命令，增加或者降低信号dout的回转率。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。参照图2，迭代流程包括操作200、202、204、206和208。应当注意，操作206指的“评估”程序不软件模块的功能，而是在回到操作200的回转率(slewrate。浙江废弃电子料回收收购上海海谷电子有限公司回收值得用户放心。

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同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中，在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1，在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，其中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上(s200)。根据示例实施例，可以通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成多条金属线。sadp和saqp是制造技术。此外，根据示例实施例，可以通过单图案化(即，直接图案化)、sadp或saqp形成多条栅极线。单图案化也是制造技术。下面将参照图4a至图4i描述单图案化、sadp和saqp。在一些实施例中，单元线路结构对应于未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。在一些示例实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的可以来电咨询！

集成电路还包括连接在第二位线和工作mtj器件之间的第二调节mtj器件，字线连接至字线解码器并且第二位线连接至位线解码器。在一些实施例中，集成电路还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线，偏置电压线连接至偏置电路，偏置电路被配置为选择性地将偏置电压施加至偏置电压线。在又一些其它实施例中，本发明涉及一种形成集成电路的方法。该方法包括在衬底上方形成互连层；在互连层正上方形成多个mtj器件，多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流；以及在多个mtj器件上方形成第二互连层，互连层和第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中，一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中，该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到。上海海谷电子有限公司回收获得众多用户的认可。广东高价电子元器件回收行情

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可以使用侧壁间隔件261至266作为第二心轴图案在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距的目标图案。图5至图10是示出应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。为了便于描述，在层中形成的图案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在图5至图10中。图案dpm、qpm、dpg和qpg可以与参照图4a至图4i描述的心轴图案对应，并且可以在中间过程期间被去除以被排除在终集成电路中。在下文中，将参照图5、图6和图7描述通过sadp形成多条列金属线的示例实施例。参照图5、图6和图7，单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个可以包括分别布置在方向x上的六条列金属线ml1至ml6和四条栅极线gl1至gl4。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方形成双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3。标签“dpm”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“m”表示金属。例如，双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3可以布置为在方向x上具有相同的双倍心轴节距pdm并且双倍心轴节距pdm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个，可以使用三个双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3在列导电层ccl中形成六条列金属线ml1至ml6。黑龙江电子元件物料回收行情

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