深圳市盟科电子科技有限公司2025-07-22

可控硅容易损坏的原因主要有以下几方面。首先是过电压，包括操作过电压和浪涌过电压，比如电路开关操作时产生的瞬态电压、雷击引入的浪涌电压等，超过可控硅的反向耐压或正向转折电压时，会导致击穿损坏。其次是过电流，当电路中的电流超过可控硅的额定电流且未及时切断时，会使芯片温度急剧升高，造成 PN 结烧毁。再者，散热不良也是重要原因，可控硅导通时会产生功耗，若散热装置设计不合理，如散热器面积过小、风扇故障等，会导致结温过高，缩短寿命甚至损坏。另外，触发电路异常也可能导致损坏，比如触发电压过高、触发脉冲过宽或过窄，会使可控硅误导通或无法正常导通，引发电路故障。还有，可控硅的反向恢复时间不匹配电路要求，在高频电路中可能因反向电流过大而损坏，以及长期使用后性能老化、参数漂移，也会增加损坏的概率。?

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