2014年，印度理工学院曼迪分校的Gonsalves课题组将硫鎓离子连接在高分子侧基上，构造了一系列非化学放大光刻胶。该光刻胶主链为聚甲基丙烯酸甲酯，侧基连接二甲基苯基硫鎓盐作为光敏基团，甲基作为惰性基团，咔唑或苯甲酸作为增黏基团。二甲基苯基硫鎓盐通常用来作为化学放大光刻胶的光致产酸剂，Gonsalves课题组也曾利用此策略构建了化学放大光刻胶体系，研发人员利用EUV光照后硫鎓离子转变为硫醚、从而溶解性发生改变的性质，将其用作非化学放大型负性光刻胶。利用碱性水性显影液可将未曝光区域洗脱，而曝光区域无法洗脱。硫离子对EUV光的吸收比碳和氢要强，因此可获得较高的灵敏度，并可得到20nm线宽、占空比为1∶1的光刻图案。能量（光和热）可以活化光刻胶。华东化学放大型光刻胶树脂

有研究结果表明，在EUV光照下，某特定光刻胶分子每吸收一个光子可以产生2.1个活性物种，这一效率分别是KrF光刻和ArF光刻的6倍和15倍。由于在光刻胶材料中有二次电子的产生，EUV光刻在机理上与电子束光刻有相近之处。因为商用EUV光刻机价格昂贵，对光刻胶材料研发人员开放的同步辐射EUV干涉线站机时有限，所以近年来，在EUV光刻胶的研发过程中也常利用电子束光刻开展相关机理、工艺研究和基本性能的评测，也有一些尚未实际应用于EUV光刻但已有电子束光刻研究结果的光刻胶。江浙沪光交联型光刻胶单体经过多年技术积累，国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能，国内公司市场份额逐步提升，国产替代正在进行。

一般的光刻工艺流程包括以下步骤：1）旋涂。将光刻胶旋涂在基底上（通常为硅，也可以为化合物半导体）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻胶膜，确保光刻胶溶剂全部挥发。3）曝光。经过掩模版将需要的图形照在光刻胶膜上，胶膜内发生光化学反应。4）后烘。某些光刻胶除了需要发生光反应，还需要进行热反应，因此需要在曝光后对光刻胶膜再次烘烤。5）显影。曝光（及后烘）后，光刻胶的溶解性能发生改变，利用适当的显影液将可溶解区域去除。经过这些过程，就完成了一次光刻工艺，后续将视器件制造的需要进行刻蚀、离子注入等其他工序。一枚芯片的制造，往往需要几次甚至几十次的光刻工艺才能完成。

2010年，美国英特尔公司的Masson报道了一种含有Co的聚合物光刻胶，由Co2（CO）8与高分子链中的炔烃部分络合反应生成。EUV曝光后，在光酸的作用下发生高分子断链反应，溶解度发生变化，可形成30nm的光刻线条，具有较高的灵敏度，但LER较差。2014年，课题组报道了一种铋化合物，并将其用于极紫外光刻。这种由氯原子或酯键配合的铋寡聚物可在EUV光照后发生分子间交联反应。不过尽管铋的EUV吸收能力很强，但此类配合物的灵敏度并不高，氯配合铋寡聚物能实现分辨率21nm，所需剂量高达120mJ·cm?2。聚合度越小，发生微相分离的尺寸越小，对应的光刻图形越小。

为了解决EUV光刻面临的新问题，适应EUV光刻的新特点，几大类主体材料相继应用于EUV光刻的实践之中，常用的策略如下。1）提高灵敏度：引入对EUV吸收截面大的元素，使用活化能更低的反应基团和量子效率更高的光敏剂，应用化学放大机理；2）提高分辨率：减小化合物的体积（即降低化合物的分子量），增强光刻胶对基底的黏附力和本身的刚性；3）降低粗糙度：减小化合物的体积或纳米颗粒的尺寸，减少活性物种在体系内部的扩散，降低光刻胶的灵敏度；4）提高对比度：降低光刻胶主体材料对光的吸收；5）提高抗刻蚀性：引入金属元素或芳香结构；6）提高成膜性能：引入非对称、非平面的柔性基团以防止结晶。光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前主要技术主要掌握在日、美等国际大公司手中，全球供应市场高度集中。江苏正性光刻胶显影

所有用来喷洒光刻胶的设备要求尽可能洁净，光刻胶管需要定期清洗。华东化学放大型光刻胶树脂

起初发展起来的单分子树脂材料是具有三苯基取代的枝状分子。三苯基取代主要具有刚性的非平面结构，不易结晶且性质稳定，具有较高的玻璃化转变温度。1996年，日本大阪大学的Shirota课题组首度发表了单分子树脂材料作为光刻胶的报道。他们制备的枝状小分子TsOTPB和ASITPA可作为非化学放大型光刻胶，利用电子束光刻形成线条。TsOTPB在曝光过程中分解，可形成150nm宽的正性线条；ASITPA在曝光过程中双键聚合，可形成70nm宽的负性线条。随后，他们又在以三苯基苯为主要的树枝状分子末端引入了叔丁氧羰基，构建了的正性化学放大光刻胶体系，灵敏度与原始的材料相比提高。t-Boc基团遇到光致产酸剂产生的酸后发生离去反应，露出酚羟基，从而可溶解于碱性显影液中。华东化学放大型光刻胶树脂