加强光刻胶的机理研究，对新型光刻胶的设计开发、现有光刻技术的改进都是大有裨益的。另外，基础研究也需要贴合产业发展的实际和需求，如含铁、钴的光刻胶，尽管具有较好的光刻效果，但由于铁、钴等元素在硅基底中扩散速度很快，容易造成器件的污染，基本没有可能投入到产业的应用中去。光刻胶的研发和技术水平，能够影响一个国家半导体工业的健康发展。2019年，日本就曾经通过限制EUV光刻胶出口来制约韩国的芯片生产。因此，唯有加强我国自主的光刻胶研发，随着光刻技术的发展，不断开发出新材料、新配方、新工艺，才能保证我国的半导体工业的快速和健康发展。在PCB行业：主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。江浙沪化学放大型光刻胶印刷电路板

2005年，研究人员利用美国光源的高数值孔径微观曝光工具评价了RohmandHaas公司研发的新型ESCAP光刻胶MET-1K，并将其与先前的EUV-2D光刻胶相比较。与EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸扩散剂。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm区间，EUV-2D和MET-1K的图形质量都比较好；但当线宽小于50nm时，EUV-2D出现明显的线条坍塌现象，而MET-1K则直到35nm线宽都能保持线条完整。在45nm线宽时，MET-1K仍能获得较好的粗糙度，LER达到6.3nm。可见MET-1K的光刻性能要优于EUV-2D。从此，MET-1K逐渐代替EUV-2D，成为新的EUV光刻设备测试用光刻胶。嘉定化学放大型光刻胶在半导体集成电路制造行业：主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。

除了枝状分子之外，环状单分子树脂近年来也得到了迅速发展。这些单分子树脂的环状结构降低了分子的柔性，从而通常具有较高的玻璃化转变温度和热化学稳定性。由于构象较多，此类分子也难以结晶，往往具有很好的成膜性。起初将杯芳烃应用于光刻的是东京科技大学的Ueda课题组，2002年起，他们报道了具有间苯二酚结构的杯芳烃在365nm光刻中的应用。2007年，瑞士光源的Solak等利用对氯甲氧基杯芳烃获得了线宽12.5nm、占空比1∶1的密集线条，但由于为非化学放大光刻胶，曝光机理为分子结构被破坏，灵敏度较差，为PMMA的1/5。

在Shirota等的工作基础之上，2005年起，美国康奈尔大学的Ober课题组将非平面树枝状连接酸敏基团的策略进一步发展，设计并合成了一系列用于EUV光刻的单分子树脂光刻胶，这些光刻胶分子不再局限于三苯基取代主要，具有更复杂的枝状拓扑结构。三级碳原子的引入使其更不易形成晶体，有助于成膜性能的提高；更复杂的拓扑结构，也便于在分子中设置数量不同的酸敏基团，有利于调节光刻胶的灵敏度。他们研究了后烘温度、显影剂浓度等过程对单分子树脂材料膨胀行为的影响，获得20nm分辨率的EUV光刻线条，另外，他们也研究了利用超临界CO2作为显影剂的可能性。光刻胶行业的上下游合作处于互相依存的关系，市场新进入者很难与现有企业竞争，签约新客户的难度高。

起初被广泛应用的化学放大型EUV光刻胶是环境稳定的化学放大型光刻胶（ESCAP），该理念由IBM公司的光刻胶研发团队于1994年提出，随后Shipley公司也开展了系列研究。ESCAP光刻胶由对羟基苯乙烯、苯乙烯、丙烯酸叔丁酯共聚而成，其酸敏基团丙烯酸叔丁酯发生反应需要的活化能较高，因此对环境相对稳定，具有保质期长、后烘温度窗口大、升华物少、抗刻蚀性好等特点，后广泛应用于248nm光刻。1999年，时任Shipley公司研发人员将其应用于EUV光刻，他们在19种ESCAP光刻胶中筛选出性能好的编号为2D的EUV光刻胶。通过美国桑迪亚实验室研制的Sandia10XIEUV曝光工具，可获得密集线条的最高分辨率达70nm，线宽为100nm时LER为5.3nm，线宽为80nm时LER为7.5nm。该光刻胶即为Shipley公司推出的工具型EUV光刻胶EUV-2D。它取代PMMA成为EUV光刻设备的测试用光刻胶，直至2005年。按显示效果分类：光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。苏州正性光刻胶

有机-无机杂化光刻胶被认为是实现10nm以下工业化模式的理想材料。江浙沪化学放大型光刻胶印刷电路板

荷兰光刻高级研究中心的Brouwer课题组进一步优化了锡氧纳米簇的光刻工艺。他们发现后烘工艺可以大幅提高锡氧纳米簇光刻胶的灵敏度。尽管锡氧纳米簇的机理是非化学放大机理，但曝光后产生的活性物种仍然有可能在加热状态下继续进行反应。俄勒冈州立大学的Herman课题组制备了一种电中性的叔丁基锡Keggin结构（β-NaSn13）纳米簇。这一类的光刻胶在含氧气氛下的灵敏度远高于真空环境下的灵敏度，这可能与分子氧生成的反应活性氧物种有关。江浙沪化学放大型光刻胶印刷电路板