? 正性光刻胶
? YK-300:适用于半导体制造,具备高分辨率(线宽≤10μm)、耐高温(250℃)、耐酸碱腐蚀特性,主要用于28nm及以上制程的晶圆制造,适配UV光源(365nm/405nm)。
? 技术优势:采用进口树脂及光引发剂,绝缘阻抗高(>10^14Ω),满足半导体器件对绝缘性的严苛要求。
? 负性光刻胶
? JT-1000:负性胶,主打优异抗深蚀刻性能,分辨率达3μm,适用于功率半导体、MEMS器件制造,可承受氢氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等强腐蚀液处理。
? SU-3:经济型负性胶,性价比高,适用于分立器件及低端逻辑芯片,光源适应性广(248nm-436nm),曝光灵敏度≤200mJ/cm2。
2. 显示面板光刻胶
? LCD正性光刻胶YK-200:专为TFT-LCD制程设计,具备高涂布均匀性(膜厚误差±1%)、良好的基板附着力,用于彩色滤光片(CF)和阵列基板(Array)制造,支持8.5代线以上大规模生产。
? 水性感光胶JT-1200:环保型产品,VOC含量<50g/L,符合欧盟RoHS标准,适用于柔性显示基板,可制作20μm以下精细网点,主要供应京东方、TCL等面板厂商。
产业链配套:原材料与设备协同发展。厦门阻焊油墨光刻胶
? 化学反应:
? 正性胶:曝光后光敏剂(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在碱性显影液中溶解;
? 负性胶:曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影(Development)
? 显影液:
? 正性胶:碱性水溶液(如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH),溶解曝光区域;
? 负性胶:有机溶剂(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光区域。
? 方法:喷淋显影(PCB)或沉浸式显影(半导体),时间30秒-2分钟,需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化胶膜,提升耐蚀刻性和热稳定性。
? 条件:
? 温度:100-150℃(半导体用正性胶可能更高,如180℃);
? 时间:15-60分钟(厚胶或高耐蚀需求时延长)。
7. 蚀刻/离子注入(后续工艺)
? 蚀刻:以胶膜为掩膜,通过湿法(酸碱溶液)或干法(等离子体)刻蚀基板材料(如硅、金属、玻璃);
? 离子注入:胶膜保护未曝光区域,使杂质离子只能注入曝光区域(半导体掺杂工艺)。
8. 去胶(Strip)
? 方法:
? 湿法去胶:强氧化剂(如硫酸+双氧水)或有机溶剂(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去胶:氧等离子体灰化(半导体领域,无残留)。
珠海厚膜光刻胶国产厂家负性光刻胶曝光后形成不溶结构,适用于平板显示等对厚度要求较高的场景。
定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
? 树脂(成膜剂):
? 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。
? 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
? 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。
工作原理
? 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。
? 曝光时:
? 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
? 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱?;し从Γ蠓岣呦杂八俾剩槊舳忍嵘?0倍以上)。
? 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
工艺流程
? 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。
? 方法:
? 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);
? 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;
? 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。
? 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。
? 条件:
? 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);
? 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);
? 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。
? 曝光方式:
? 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。
KrF/ArF光刻胶是当前半导体制造的主流材料,占市场份额超60%。
吉田半导体水性感光胶 JT-1200:水油兼容,钢片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题,提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求,吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性,确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良,易做精细网点,适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证,生产过程严格控制金属离子含量,确保电子产品可靠性。
根据反应类型,光刻胶分为正胶(曝光部分溶解)和负胶(曝光部分固化)。珠海厚膜光刻胶国产厂家
负性光刻胶生产原料。厦门阻焊油墨光刻胶
国际标准与客户认证
公司通过ISO9001、ISO14001等认证,并严格执行8S现场管理,生产环境洁净度达Class 10级。其光刻胶产品已通过京东方、TCL华星的供应商认证,在显示面板领域的市占率约5%,成为本土企业中少数能与日本JSR、德国默克竞争的厂商。
全流程可追溯体系
吉田半导体建立了从原材料入库到成品出库的全流程追溯系统,关键批次数据(如树脂分子量分布、光敏剂纯度)实时上传云端,确保产品一致性和可追溯性。这一体系使其在车规级芯片等对可靠性要求极高的领域获得突破,2023年车用光刻胶销售额同比增长120%。
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