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宁波负性光刻胶价格

来源: 发布时间:2025-06-14

? 化学反应:

? 正性胶:曝光后光敏剂(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在碱性显影液中溶解;

? 负性胶:曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。

5. 显影(Development)

? 显影液:

? 正性胶:碱性水溶液(如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH),溶解曝光区域;

? 负性胶:有机溶剂(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光区域。

? 方法:喷淋显影(PCB)或沉浸式显影(半导体),时间30秒-2分钟,需控制显影液浓度和温度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化胶膜,提升耐蚀刻性和热稳定性。

? 条件:

? 温度:100-150℃(半导体用正性胶可能更高,如180℃);

? 时间:15-60分钟(厚胶或高耐蚀需求时延长)。

7. 蚀刻/离子注入(后续工艺)

? 蚀刻:以胶膜为掩膜,通过湿法(酸碱溶液)或干法(等离子体)刻蚀基板材料(如硅、金属、玻璃);

? 离子注入:胶膜保护未曝光区域,使杂质离子只能注入曝光区域(半导体掺杂工艺)。

8. 去胶(Strip)

? 方法:

? 湿法去胶:强氧化剂(如硫酸+双氧水)或有机溶剂(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去胶:氧等离子体灰化(半导体领域,无残留)。

吉田半导体全系列产品覆盖,满足多元化需求。宁波负性光刻胶价格

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聚焦先进封装需求,吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域,吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术(180℃),焊接空洞率 < 5%;针筒锡膏适用于 01005 超微型元件,印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队,公司为客户提供工艺优化建议,帮助降低生产成本,增强市场竞争力。大连3微米光刻胶供应商吉田半导体材料的绿色环保与可持续发展。

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国际标准与客户认证
公司通过ISO9001、ISO14001等认证,并严格执行8S现场管理,生产环境洁净度达Class 10级。其光刻胶产品已通过京东方、TCL华星的供应商认证,在显示面板领域的市占率约5%,成为本土企业中少数能与日本JSR、德国默克竞争的厂商。

全流程可追溯体系
吉田半导体建立了从原材料入库到成品出库的全流程追溯系统,关键批次数据(如树脂分子量分布、光敏剂纯度)实时上传云端,确保产品一致性和可追溯性。这一体系使其在车规级芯片等对可靠性要求极高的领域获得突破,2023年车用光刻胶销售额同比增长120%。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。

负性光刻胶

  • SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。


正性光刻胶 光刻胶的技术挑战现在就是需要突破难关!

  • LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
  • 半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
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技术挑战与发展趋势

 更高分辨率需求:

? EUV光刻胶需解决“线边缘粗糙度(LER)”问题(目标<5nm),通过纳米颗粒分散技术或新型聚合物设计改善。

 缺陷控制:

? 半导体级正性胶要求金属离子含量<1ppb,颗粒(>50nm)<1个/mL,需优化提纯工艺(如多级过滤+真空蒸馏)。

 国产化突破:

? 国内企业(如上海新阳、南大光电、容大感光)已在KrF/ArF胶实现批量供货,但EUV胶仍被日本JSR、美国陶氏、德国默克垄断,需突破树脂合成、PAG纯度等瓶颈。

 环保与节能:

? 开发水基显影正性胶(减少有机溶剂使用),或低烘烤温度胶(降低半导体制造能耗)。

典型产品示例

? 传统正性胶:Shipley S1813(G/I线,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩阵)。

? DUV正性胶:信越化学的ArF胶(用于14nm FinFET制程)、中芯国际认证的国产KrF胶(28nm节点)。

? EUV正性胶:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。

正性光刻胶是推动半导体微缩的主要材料,其技术进步直接关联芯片制程的突破,未来将持续向更高精度、更低缺陷、更绿色工艺演进。
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吉田半导体 YK-300 正性光刻胶:半导体芯片制造的材料

YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性,成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出,在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证,良率达 98% 以上,生产过程执行 ISO9001 标准,帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求,为国产芯片制造提供稳定材料支撑。
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