吉田半导体突破光刻胶共性难题，提升行业生产效率，通过优化材料配方与工艺，吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题，助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题，吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%，密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术，在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤，使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本，推动行业生产效率提升。光刻胶的关键应用领域。无锡厚膜光刻胶报价

广东吉田半导体材料有限公司以光刻胶为中心，逐步拓展至半导体全材料领域，形成了 “技术驱动、全产业链覆盖” 的发展格局。公司产品不仅包括芯片与 LCD 光刻胶，还延伸至锡膏、焊片、靶材等配套材料，为客户提供一站式采购服务。

• 产品远销全球 50 多个地区，客户包括电子制造服务商（EMS）及半导体厂商。
• 获评 “广东省专精特新企业”“广东省创新型中小企业”，并通过技术企业认证。
• 生产基地配备自动化设备，年产能超千吨，满足大规模订单需求。

1. 正性光刻胶（如 YK-300）
   应用场景：用于芯片的精细图案化，如集成电路（IC）、分立器件（二极管、三极管）的制造。
   特点：高分辨率（可达亚微米级），适用于多层光刻工艺，确保芯片电路的高精度与可靠性。
2. 负性光刻胶（如 JT-1000）
   应用场景：用于功率半导体（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及传感器（如 MEMS）的微结构成型。
   特点：抗蚀刻能力强，适合复杂图形的转移，尤其在深宽比要求较高的工艺中表现优异。
3. 纳米压印光刻胶（JT-2000）
   应用场景：第三代半导体（GaN、SiC）芯片、量子点器件及微流控芯片的制造。特点：耐高温（250℃）、耐酸碱，支持纳米级精度图案复制，降低芯片的制造成本。

 吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限

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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品，各有特性与优势，适用于不同领域。

厚板光刻胶 JT - 3001：具有优异的分辨率和感光度，抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准，保质期 1 年，适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景，如一些特殊的电路板制造。

SU - 3 负性光刻胶：分辨率优异，对比度良好，曝光灵敏度高，光源适应。重量为 100g，常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000：有 1L 和 100g 两种规格，具有优异的分辨率，准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造，能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶：耐强酸强碱，耐高温达 250°C，长期可靠性高，粘接强度高。重量 100g，适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺，如一些半导体器件的制造。 无锡厚膜光刻胶报价