东莞负性光刻胶生产厂家

来源：发布时间：2025-06-02

吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒，国产替代再迎新进展

自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证，吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶，分辨率达 90nm，适用于 14nm 及以上制程，已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方，突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%，蚀刻选择比达 4:1，性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程，为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。

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不同光刻胶类型的适用场景对比

类型波长范围分辨率典型应用产品

G线/i线光刻胶 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩阵吉田半导体JT-100系列

KrF光刻胶 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制备吉田半导体YK-300系列

ArF光刻胶 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED电极图案化国际主流：JSR ARF系列

EUV光刻胶 13.5nm ≤7nm 7nm以下先进制程、3D NAND堆叠研发中（吉田半导体合作攻关）

水性光刻胶全波长适配 5-50μm 柔性显示、环保PCB阻焊层吉田半导体WT-200系列

总结：多领域渗透的“工业维生素”

光刻胶的应用深度绑定电子信息产业，从半导体芯片的“纳米级雕刻”到PCB的“毫米级线路”，再到显示面板的“色彩精细控制”，其技术参数（分辨率、耐蚀刻性、灵敏度）需根据场景设计。随着**新能源（车规芯片、光伏）、新型显示（Micro LED）、先进制造（纳米压?。?*等领域的发展，光刻胶的应用边界将持续扩展，成为支撑制造的关键材料。

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? 化学反应：

? 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；

? 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。

5. 显影（Development）

? 显影液：

? 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；

? 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。

? 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。

? 条件：

? 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；

? 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。

7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）

? 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；

? 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。

8. 去胶（Strip）

? 方法：

? 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。

依托自主研发与国产供应链，吉田半导体 LCD 光刻胶市占率达 15%，跻身国内前段企业。吉田半导体 YK-200 LCD 正性光刻胶采用国产树脂与单体，实现 100% 国产化替代。其分辨率 0.35μm，附着力 > 3N/cm，性能优于 JSR 的 AR-P310 系列。通过与国内多家大型企业的深度合作，产品覆盖智能手机、电视等显示终端，年供货量超 200 吨。公司建立国产原材料溯源体系，确保每批次产品稳定性，推动 LCD 面板材料国产化进程。

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厚板光刻胶

电路板制造：在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时，厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性，比如汽车电子、工业控制等领域的电路板，能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
功率器件制造：像绝缘栅双极晶体管（IGBT）这类功率器件，需要承受高电压和大电流，厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节，保障芯片内部电路的精细布局，提高器件的性能和可靠性。

负性光刻胶

半导体制造：在芯片制造过程中，用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构，如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺，能实现精确的图形转移，确保芯片各部分之间的电气连接正常。
平板显示制造：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）的制造中，用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例，负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案，控制液晶分子的排列，从而实现图像显示。

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原料准备

? 主要成分：树脂（成膜剂，如酚醛树脂、聚酰亚胺等）、感光剂（光引发剂或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻胶单体）、溶剂（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加剂（调节粘度、感光度、稳定性等，如表面活性剂、稳定剂）。

? 原料提纯：对树脂、感光剂等进行高纯度精制（纯度通常要求99.9%以上），避免杂质影响光刻精度。

配料与混合

? 按配方比例精确称量各组分，在洁净环境，如万中通过搅拌机均匀混合，形成胶状溶液。

? 控制温度（通常20-30℃）和搅拌速度，避免气泡产生或成分分解。

过滤与纯化

? 使用纳米级滤膜（孔径0.05-0.2μm）过滤，去除颗粒杂质（如金属离子、灰尘），确保胶液洁净度，避免光刻时产生缺陷。

性能检测

? 物理指标：粘度、固含量、表面张力、分子量分布等，影响涂布均匀性。

? 化学指标：感光度、分辨率、对比度、耐蚀刻性，通过曝光实验和显影测试验证。

? 可靠性：存储稳定性（常温/低温保存下的性能变化）、耐温性（烘烤过程中的抗降解能力）。

包装与储存

? 在惰性气体（如氮气）环境下分装至避光容器（如棕色玻璃瓶或铝罐），防止感光剂氧化或光分解。

? 储存条件：低温（5-10℃）、避光、干燥，部分产品需零下环境（如EUV光刻胶）。

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标签：光刻胶锡片

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