惠州3微米光刻胶感光胶

来源：发布时间：2025-05-27

工艺流程

? 目的：去除基板表面油污、颗粒，增强感光胶附着力。

? 方法：

? 化学清洗（硫酸/双氧水、去离子水）；

? 表面处理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化处理）。

涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半导体/显示领域，厚度控制精确（纳米至微米级），转速500-5000rpm；

? 喷涂/辊涂：PCB/MEMS领域，适合大面积或厚胶（微米至百微米级，如负性胶可达100μm）。

? 关键参数：胶液黏度、涂布速度、基板温度（影响厚度均匀性）。

前烘（Soft Bake）

? 目的：挥发溶剂，固化胶膜，增强附着力和稳定性。

? 条件：

? 温度：60-120℃（正性胶通常更低，如90℃；负性胶可至100℃以上）；

? 时间：5-30分钟（根据胶厚调整，厚胶需更长时间）。

曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G线（436nm）、I线（365nm）用于传统光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半导体先进制程（分辨率至20nm）；

? 极紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性胶适用）。

? 曝光方式：

? 接触式/接近式：掩膜版与胶膜直接接触（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通过物镜聚焦（半导体，分辨率高，如ArF光刻机精度达22nm）。

负性光刻胶的工艺和应用场景?；葜?微米光刻胶感光胶

制版光刻胶应用场景：印刷电路板（FPC）、触摸屏（TP）的掩膜版制作，以及光学元件（如衍射光栅）的微纳加工。特点：高分辨率与耐化学性，确保模板的长期使用寿命。

水性光刻胶（JT-1200）应用场景：环保要求高的电子元件（如医疗设备、汽车电子）的制造，以及柔性电路的生产。特点：以水为溶剂，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 环保标准。

水油两用光刻胶（JT-2001/SR-3308）适用于混合工艺场景（如部分环节需水性显影，部分需溶剂显影），提升生产灵活性。青岛阻焊光刻胶报价吉田半导体光刻胶，45nm 制程验证，国产替代方案!

光刻胶（Photoresist）是一种对光敏感的高分子材料，主要用于光刻工艺中，通过光化学反应实现图案的转移，是半导体、集成电路（IC）、印刷电路板（PCB）、液晶显示（LCD）等制造领域的材料之一。

光刻胶特性与组成

? 光敏性：在特定波长（如紫外光、极紫外光EUV等）照射下，会发生化学结构变化（如交联或分解），从而改变在显影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 树脂（成膜剂）：形成基础膜层，决定光刻胶的机械和化学性能。

? 光敏剂：吸收光能并引发化学反应（如光分解、光交联）。

? 溶剂：调节粘度，便于涂覆成膜。

? 添加剂：改善性能（如感光度、分辨率、对比度等）。

正性光刻胶

半导体分立器件制造：对于二极管、三极管等半导体分立器件，正性光刻胶可实现精细的图形化加工，满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时，正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度，能精确刻画器件的结构，提高器件性能。
微机电系统（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等，结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤，可在硅片等材料上制作出高精度的微结构，确保 MEMS 器件的功能实现。

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作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。

吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：

YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。

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主要应用场景

印刷电路板（PCB）：

? 通孔/线路加工：负性胶厚度可达20-50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铁、碱性氯化铜），适合制作大尺寸线路（线宽/线距≥50μm），如双面板、多层板的外层电路。

? 阻焊层：作为绝缘保护层，覆盖非焊盘区域，需厚胶（50-100μm）和高耐焊接温度（260℃以上），负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。

微机电系统（MEMS）：

? 深硅蚀刻（DRIE）：负性胶作为蚀刻掩膜，厚度可达100μm以上，耐SF?等强腐蚀性气体，用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构（深宽比＞20:1）。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用负性胶的厚胶成型能力。

平板显示（LCD）：

? 彩色滤光片（CF）基板预处理：在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层，耐湿法蚀刻（如HF溶液），确保后续RGB色阻层的精确涂布。

功率半导体与分立器件：

? IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻：负性胶用于制作较宽的隔离沟槽（宽度＞10μm），耐高浓度酸碱蚀刻，降低工艺成本。

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标签：锡片光刻胶锡膏

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