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青海高温光刻胶厂家

来源: 发布时间:2025-05-25

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。

厚板光刻胶 JT - 3006:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。需保存在干燥区域并密封,使用前要阅读参考技术资料。适用于厚板的光刻加工,在对精度、感光度和抗蚀刻要求高的生产场景中发挥作用,如特定的电路板制造领域。

水油光刻胶 SR - 3303:适用于光学仪器、太阳能电池等领域的光刻工艺。品质保障、性能稳定的特点,由工厂研发且支持定制,工厂直销。 光刻胶的关键应用领域。青海高温光刻胶厂家

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LCD显示

? 彩色滤光片(CF):

? 黑色矩阵(BM)光刻胶:隔离像素,线宽精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻胶:形成红/绿/蓝像素,需高色纯度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 阵列基板(Array):

? 栅极绝缘层光刻胶:用于TFT-LCD的栅极图案化,分辨率≤3μm。

 OLED显示(柔性/刚性)

? 像素定义层(PDL)光刻胶:在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构,线宽精度±1μm,需耐溶剂侵蚀(适应蒸镀工艺)。

? 触控电极(如ITO/PET):通过光刻胶图形化实现透明导电线路,线宽≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量转移前的芯片制备:使用高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)定义微米级LED阵列,良率要求>99.99%。
陕西网版光刻胶国产厂家正性光刻胶生产原料。

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光刻胶系列

厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;

水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;

LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;

半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。

公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。

凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
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光刻胶的工作原理:

1. 涂覆与曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均匀涂覆光刻胶,通过掩膜(或直接电子束扫描)对特定区域曝光。

2. 化学变化:曝光区域的光刻胶发生光化学反应(正性胶曝光后溶解,负性胶曝光后交联不溶)。

3. 显影与刻蚀:溶解未反应的部分,留下图案化的胶层,作为后续刻蚀或沉积的掩模,将图案转移到基底上。

在纳米技术中,关键挑战是突破光的衍射极限(λ/2),因此需依赖高能束曝光技术(如电子束光刻、极紫外EUV光刻)和高性能光刻胶(高分辨率、低缺陷)。

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聚焦封装需求,吉田公司提供从光刻胶到配套材料的一站式服务。青海高温光刻胶厂家

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。

LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。

半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。 青海高温光刻胶厂家

标签: 锡片 光刻胶
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