吉田半导体突破光刻胶共性难题,提升行业生产效率,通过优化材料配方与工艺,吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题,助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题,吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%,密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术,在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤,使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本,推动行业生产效率提升。光刻胶的技术挑战现在就是需要突破难关!东莞厚膜光刻胶国产厂商
? 化学反应:
? 正性胶:曝光后光敏剂(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在碱性显影液中溶解;
? 负性胶:曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影(Development)
? 显影液:
? 正性胶:碱性水溶液(如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH),溶解曝光区域;
? 负性胶:有机溶剂(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光区域。
? 方法:喷淋显影(PCB)或沉浸式显影(半导体),时间30秒-2分钟,需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化胶膜,提升耐蚀刻性和热稳定性。
? 条件:
? 温度:100-150℃(半导体用正性胶可能更高,如180℃);
? 时间:15-60分钟(厚胶或高耐蚀需求时延长)。
7. 蚀刻/离子注入(后续工艺)
? 蚀刻:以胶膜为掩膜,通过湿法(酸碱溶液)或干法(等离子体)刻蚀基板材料(如硅、金属、玻璃);
? 离子注入:胶膜保护未曝光区域,使杂质离子只能注入曝光区域(半导体掺杂工艺)。
8. 去胶(Strip)
? 方法:
? 湿法去胶:强氧化剂(如硫酸+双氧水)或有机溶剂(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去胶:氧等离子体灰化(半导体领域,无残留)。
佛山光刻胶耗材吉田半导体光刻胶,45nm 制程验证,国产替代方案!
吉田半导体厚板光刻胶 JT-3001:国产技术助力 PCB 行业升级
JT-3001 厚板光刻胶支持 500nm/min 深蚀刻,成为国产 PCB 电路板制造推荐材料。
吉田半导体自主研发的 JT-3001 厚板光刻胶,分辨率 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,适用于高密度 PCB 制造。其无卤无铅配方通过欧盟 RoHS 认证,已应用于华为 5G 基站主板量产。产品采用国产原材料与全自动化工艺,批次稳定性达 99.5%,帮助客户提升生产效率 20%,加速国产 PCB 行业技术升级,推动 PCB 行业国产化进程。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。
其他光刻胶
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水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
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水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。
松山湖半导体材料厂家吉田,全系列产品支持小批量试产!
行业地位与竞争格局
1. 国际对比
? 技术定位:聚焦细分市场(如纳米压印、LCD),而国际巨头(如JSR、东京应化)主导半导体光刻胶(ArF、EUV)。
? 成本优势:原材料自主化率超80%,成本低20%;国际巨头依赖进口原材料,成本较高。
? 客户响应:48小时内提供定制化解决方案,认证周期为国际巨头的1/5。
2. 国内竞争
国内光刻胶市场仍由日本企业垄断(全球市占率超60%),但吉田在纳米压印、LCD光刻胶等领域具备替代进口的潜力。与南大光电、晶瑞电材等企业相比,吉田在细分市场的技术积累更深厚,但ArF、EUV光刻胶仍需突破。
风险与挑战
技术瓶颈:ArF、EUV光刻胶仍依赖进口,研发投入不足国际巨头的1/10。
客户认证周期:半导体光刻胶需2-3年验证,吉田尚未进入主流晶圆厂供应链。
供应链风险:部分树脂(如ArF用含氟树脂)依赖日本住友电木。
行业竞争加剧:国内企业如南大光电、晶瑞电材加速技术突破,可能挤压吉田的市场份额。
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光刻胶厂家推荐吉田半导体,23 年研发经验,全自动化生产保障品质!东莞厚膜光刻胶国产厂商
企业定位与资质
? 成立背景:深耕半导体材料行业23年,位于松山湖经济技术开发区,注册资本2000万元,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。
? 质量体系:通过ISO9001:2008认证,严格执行8S现场管理,原材料源自美国、德国、日本等国,确保产品稳定性。
? 市场布局:产品远销全球,与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系,覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。
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企业优势
? 研发能力:拥有多项专利证书,自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品,配备全自动化生产设备,具备从材料合成到成品制造的全流程能力。
? 产能与品控:采用进口原材料和严格制程管控,确保金属杂质含量低于行业标准(如半导体光刻胶金属杂质<5ppb),良率达99%以上。