而当没有接收到指示终止温度控制的信号时，处理返回到步骤s201。接下来，将与率先实施例进行比较来描述本实施例的效果。图7是示出根据率先实施例的微控制器100的状态的时间变化的图。图8是示出根据第二实施例的微控制器200的状态的时间变化的图。在图7和8中，上部所示的曲线图是示出功耗电路130的驱动电流之和的转变的曲线图，而下部所示的曲线图是示出结温tj的转变的曲线图。如图7所示，在根据率先实施例的微控制器100中，可存在两种驱动电流状态：接通和断开。另一方面，如图8所示，在根据第二实施例的微控制器200中，驱动电流可以采用更多状态。因此，在根据第二实施例的微控制器200中，可以实现根据所测量的结温与逻辑块110的下限温度之间的差值的大小的灵活的驱动电流(即，发热值)。因此，例如，当环境温度很低时，通过接通很多功耗电路130，结温可以在几个周期内达到逻辑块110的下限温度。另外，由于可以进行灵活的温度控制，因此可以防止结温过度升高。提高结温导致漏电流增加，并且因此结温变得高于所需温度是不可取的。在本实施例中，当结温小于逻辑块110的下限温度并且差值很小时，发热量被抑制并且温度被强制增加。因此，可以抑制明显超过下限温度的结温。半导体碳化硅材料的半导体器件用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。浙江哪些半导体器件设备设计

    当来自反相器133的输出被输入到n沟道mos晶体管132的栅极并且n沟道mos晶体管132接通时，电流流过电阻器131以产生热量。图2所示的配置是功耗电路130的示例性配置，并且功耗电路130的配置不限于此。功耗电路130可以是通过包括诸如电阻器等加热元件来消耗功率的电路。接下来，将描述与微控制器100中的结温控制相关的操作。图3是示出与微控制器100中的结温控制相关的示例性操作的流程图。在下文中，将参考图3描述微控制器100的操作。图3所示的温度控制过程例如在微控制器100启动时执行，但是可以在其他预定定时执行。在步骤s100中，设定测量结温的测量周期和下限。如上所述，设定结温的下限是逻辑块110的下限温度，即逻辑块110能够正常操作的温度范围的下限。例如，这些设置通过读取存储在诸如微控制器100中提供的非易失性存储器等存储电路中的预定测量周期和预定下限温度来执行。下限温度是基于用于制造逻辑块110、逻辑块110的特定配置等的半导体工艺而预先定义的温度。在步骤s100之后，处理进入步骤s101。在步骤s101中，测量结温。也就是说，控制器140获取由温度传感器120测量的微控制器100的结温。然后，控制器140确定所获取的温度是否等于或大于在步骤s100中设置的下限温度。浙江哪些半导体器件设备设计半导体器件由（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号有第三、四、五部分）组成。

    本发明涉及用于控制半导体器件的方法和半导体器件，例如，本发明涉及用于确保半导体器件操作的技术。近年来，对更高可靠性和功能安全性的需求不断增加，特别是在汽车工业中。因此，在半导体器件中，还需要扩大半导体器件可以操作的温度。日本未审专利申请公开，其能够通过使用包括功率晶体管的线性调节器电路来控制对发光二极管的供电，并且能够防止功率晶体管的过度发热。作为相关技术，日本未审专利申请公开。日本未审专利申请公开，其用于容易地抑制由与时钟周期同步的电路引起的功耗状态的差异引起的电源电压的变化。技术实现要素：日本未审专利申请公开，但是不能防止过低的结温。如果由于环境温度低而导致结温过低，则可能无法确保半导体器件中的逻辑块的正常操作。因此，本领域需要一种能够限定半导体器件可以正常操作的低环境温度的技术。根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得很清楚。根据一个实施例，半导体器件包括用于控制功耗电路的功率耗散使得在温度传感器处测量的结温不小于逻辑块的预定下限操作温度的控制器。根据率先实施例，可以将半导体器件可以正常操作的环境温度定义为低于不使用根据率先实施例的技术时的环境温度。

    控制器140输出指示功耗电路130停止消耗功率的信号。也就是说，当所获取的结温等于或大于预定阈值时，控制器140关闭功耗电路130。当结温等于或大于逻辑块110的下限温度并且小于预定阈值时，控制器140可以接通功耗电路130。预定阈值可以是等于或大于逻辑块110的下限温度的温度。因此，预定阈值可以是逻辑块110的下限温度，或者预定阈值可以是通过向下限温度添加裕度而获取的温度。控制器140包括用于对测量周期进行计数的计数器电路，并且当计数器电路指示的计数器值超过测量周期时，再次执行功耗电路130的开/关控制。当控制器140使用功耗电路130接收指示终止温度控制的信号时，该信号使用功耗电路130终止温度控制。这些信号可以从例如已经开始操作的逻辑块110输出。图2是示出功耗电路130的示例性配置的电路图。如图2所示，功耗电路130包括电阻器131、n沟道mos晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管)132和反相器133。电源电压vdd被施加到功耗电路130，并且电流流过电阻器131的率先状态和没有电流流过电阻器131的第二状态响应于来自控制器140的控制信号c而被切换。控制信号c对应于用于指示上述功耗的信号。功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。

    不需要功耗电路130升高结温的温度区域被示出为温度区域s2。在温度区域s1中，耗电路130接通，并且驱动电流iload流过功耗电路130(参见图4顶部的曲线图)。也就是说，驱动电流iload流过电阻器131。在温度区域s1中，控制器140控制功耗电路130的接通/断开，使得结温保持等于或大于逻辑块110的下限温度tlb。结果，在温度区域s1中，结温tj如图4的下图所示。因此，可以扩展逻辑块110的正常操作的环境温度的覆盖范围。另一方面，在温度区域s2中，由于环境温度ta足够高，所以结温tj变为等于或高于下限温度tlb，这是由于环境温度和由于逻辑块110的自发热引起的温度升高，并且因此功耗电路130继续关闭。结温tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封装的热阻，idd是微控制器100的操作电流，即逻辑块110的操作电流，并且vdd是微控制器100的电源电压。上面已经描述了率先实施例。在微控制器100中，当结温小于逻辑块110的操作温度下限时，功耗电路130接通，从而微控制器100根据消耗的功率和微控制器100的封装的热阻产生热量。因此，结温被迫等于或高于逻辑块110可以操作的温度的下限。结果，与不提供上述配置时相比。半导体器件设备为了与集成电路相区另，有时也称为分立器件。新疆低碳半导体器件设备24小时服务

半导体行业技术高、进步快,一代产品需要一代工艺,而一代工艺需要一代设备。浙江哪些半导体器件设备设计

    DC/AC)的制作218交流和直流波形的类别218电路原理图和元件明细表218制作工艺219运行中存在的问题221太阳能发电、风力发电与市电电网联合供电的试验装置222太阳能电池和风力发电的混合式发电222实现三方联合供电的梦想223和孩子们一起获取大自然赐予的绿色能源225在郊外别墅房自建微型太阳能电站227建电站的设想227系统结构图227从独有型太阳能发电系统到系统(市电)联系型228从“云霄一号”到“云霄三号”228云霄三号的系统结构和元件明细表229节电、发电、卖电统计清单230不用逆变器的全直流供电太阳能发电系统试作——从50W发展到1000W232和太阳能电池的初接触232增大太阳能电池容量的二期工程232全直流供电的系统结构图和元件明细表232运行情况和节电效果233国外某家庭自装太阳能发电系统(独有型)节电效果统计233系统概况233运行情况和节电效果234国外某家庭自装太阳能发电(系统联系型)、买电和卖电的统计(国外实例)235实例之一235实例之二237第8章利用微波传输太空超级太阳能发电站的电功率239微波输电计划239SSPS计划概述239送电(发射)系统概述241传输损耗243接收系统243结论246近期进展246美国私营太阳能公司介入太空太阳能电站。浙江哪些半导体器件设备设计

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