在本实施例中，当n＝0时，即，当处理从步骤s300转移到步骤s301时，在关闭所有功耗电路130的情况下测量结温。在步骤s302中，诊断部分170确定测量结果是否正常。如果测量结果异常，则处理进入步骤s303，而如果测量结果正常，则处理进入步骤s304。如果所有功耗电路130都关闭，则如果没有从温度传感器120获取测量结果，或者如果没有获取指示预定温度范围(例如，定义为操作保证范围的环境温度的温度范围)的测量结果，则诊断部分170确定测量结果异常。否则，诊断部分170确定测量结果正常。当多个功耗电路130中的至少一个接通时，检查此时获取的结温与上一次在步骤s301中获取的结温之间的差值(即，结温的变化δtj)和与预定适当量的偏差量是否等于或小于预定阈值。当偏差超过阈值时，诊断部分170确定测量结果异常。另一方面，当偏移量不超过阈值时，诊断部分170确定测量结果正常。在步骤s303中，诊断部分170确定温度传感器120中已经发生错误，并且结束诊断操作。在步骤s304中，诊断部分170确定计数值n是否大于诊断数n。当计数值n大于诊断数n时，处理进入步骤s305。在步骤s305中，诊断部分170确定温度传感器120正常，并且结束诊断操作。如果计数值n等于或小于n，则在步骤s304之后。半导体器件专门设备应用宽广LED封装,光通讯,半导体封装,支持1对1定制化生产设计.湖北工程半导体器件设备知识宣传

    可以降低保证微控制器100的操作的环境温度的下限。此外，由于在使用半导体工艺制造的微控制器中的操作保证的温度范围的约束，该功能可以降低设计逻辑块110的难度，其中逻辑速率(例如，逻辑块110的操作频率)在低温下劣化。第二实施例接下来，将描述第二实施例。图5是示出根据第二实施例的微控制器200的示例性配置的框图。微控制器200与根据率先实施例的微控制器100的不同之处在于，提供多个功耗电路130并且控制器140被替换为控制器150。控制器150与控制器140的不同之处在于，它控制多个功耗电路130的开关。在下文中，将描述与率先实施例的不同点，并且将省略对与率先实施例相同的点的描述。根据本实施例的控制器150根据由温度传感器120测量的温度与逻辑块110的下限温度之间的差值来控制功耗电路130消耗功率。具体地，当由温度传感器120测量的当前结温低于逻辑块110的下限温度时，控制器150接通更多的功耗电路130。即，例如，当所测量的结温小于下限温度并且结温与逻辑块110的下限温度之间的差值不小于d1且小于d2时，控制器150接通n1个功耗电路130，并且当所测量的结温小于下限温度并且结温与逻辑块110的下限温度之间的差值不小于d2时，控制器150接通n2个功耗电路130。四川标准半导体器件设备在线半导体器件由（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号有第三、四、五部分）组成。

    本发明涉及用于控制半导体器件的方法和半导体器件，例如，本发明涉及用于确保半导体器件操作的技术。近年来，对更高可靠性和功能安全性的需求不断增加，特别是在汽车工业中。因此，在半导体器件中，还需要扩大半导体器件可以操作的温度。日本未审专利申请公开，其能够通过使用包括功率晶体管的线性调节器电路来控制对发光二极管的供电，并且能够防止功率晶体管的过度发热。作为相关技术，日本未审专利申请公开。日本未审专利申请公开，其用于容易地抑制由与时钟周期同步的电路引起的功耗状态的差异引起的电源电压的变化。技术实现要素：日本未审专利申请公开，但是不能防止过低的结温。如果由于环境温度低而导致结温过低，则可能无法确保半导体器件中的逻辑块的正常操作。因此，本领域需要一种能够限定半导体器件可以正常操作的低环境温度的技术。根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得很清楚。根据一个实施例，半导体器件包括用于控制功耗电路的功率耗散使得在温度传感器处测量的结温不小于逻辑块的预定下限操作温度的控制器。根据率先实施例，可以将半导体器件可以正常操作的环境温度定义为低于不使用根据率先实施例的技术时的环境温度。

    其中d1图6是示出与微控制器200中的结温控制相关的示例性操作的流程图。在下文中，将参考图6描述微控制器200的操作。图6所示的温度控制过程例如在微控制器200启动时执行。在步骤s200中，如在图3的步骤s100中，设定测量周期和结温的下限。在步骤s200之后，处理进入步骤s201。在步骤s201中，测量结温。也就是说，控制器150获取由温度传感器120测量的微控制器100的结温。在步骤s201之后，处理进入步骤s202。在步骤s202中，控制器150根据在步骤s201中获取的结温与逻辑块110的下限温度之间的温度差来确定要操作的功耗电路130的数目。因此，在当前结温低于逻辑块110的下限温度时，产生更多的强制热量。当由温度传感器120测量的当前结温等于或大于预定阈值时，控制器150关闭所有功耗电路130。在步骤s202中，控制器150重置计数器的计数t。在步骤s202之后，处理进入步骤s203。在步骤s203中，类似于图3中的步骤s104，控制器150确定在步骤s200中设置的测量周期是否已经过去。当测量周期已经过去时(步骤s203中的“是”)，处理进入步骤s204。在步骤s204中，如在图3的步骤s105中，控制器150确定是否已经接收到指示终止温度控制的信号。当接收到指示终止温度控制的信号时，温度控制终止。半导体是指一种导电性可控,范围从绝缘体到导体之间的材料。

    当来自反相器133的输出被输入到n沟道mos晶体管132的栅极并且n沟道mos晶体管132接通时，电流流过电阻器131以产生热量。图2所示的配置是功耗电路130的示例性配置，并且功耗电路130的配置不限于此。功耗电路130可以是通过包括诸如电阻器等加热元件来消耗功率的电路。接下来，将描述与微控制器100中的结温控制相关的操作。图3是示出与微控制器100中的结温控制相关的示例性操作的流程图。在下文中，将参考图3描述微控制器100的操作。图3所示的温度控制过程例如在微控制器100启动时执行，但是可以在其他预定定时执行。在步骤s100中，设定测量结温的测量周期和下限。如上所述，设定结温的下限是逻辑块110的下限温度，即逻辑块110能够正常操作的温度范围的下限。例如，这些设置通过读取存储在诸如微控制器100中提供的非易失性存储器等存储电路中的预定测量周期和预定下限温度来执行。下限温度是基于用于制造逻辑块110、逻辑块110的特定配置等的半导体工艺而预先定义的温度。在步骤s100之后，处理进入步骤s101。在步骤s101中，测量结温。也就是说，控制器140获取由温度传感器120测量的微控制器100的结温。然后，控制器140确定所获取的温度是否等于或大于在步骤s100中设置的下限温度。半导体产品所需的生产设备,属于半导体行业产业链的支撑环节,在半导体产业链中的地位至关重要。四川低碳半导体器件设备治理

对半导体层进行掺杂而在非原胞区上形成保护结构，以及在阱区进行掺杂而在原胞区内形成工作结构。湖北工程半导体器件设备知识宣传

    第三实施例接下来，将描述第三实施例。图9是示出根据第三实施例的微控制器300的示例性配置的框图。微控制器300与根据第二实施例的微控制器200的不同之处在于，控制器150被替换为控制器160，并且添加了诊断部分170。在下文中，将描述与第二实施例的不同点，并且将省略对与第二实施例相同的点的描述。控制器160与控制器150的不同之处在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160还具有用于诊断温度传感器120的控制功能。下面，将描述用于诊断温度传感器120的控制器160的控制功能。在诊断部分170执行诊断操作的同时，控制器160控制消耗功率的功耗电路的数目(即，操作的功耗电路130的数目)。具体地，在诊断部分170随着功耗电路130的数目的变化而执行诊断操作的同时，控制器160设置消耗功率一次或多次的功耗电路130的数目。例如，控制器160具有要操作的一个功耗电路130和在预定的等待时间过去之后要操作的两个功耗电路130。在本实施例中，控制器160在每个预定等待时间由诊断部分170执行诊断的同时改变数目以增加要操作的功耗电路130的数目。具体地，当诊断部分170执行诊断操作时，控制器160首先将要操作的功耗电路130设置为0，然后将要操作的功耗电路130设置为1。此后。湖北工程半导体器件设备知识宣传

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