本实用新型涉及治具领域,尤其涉及一种针对半导体零件的抓数治具。背景技术:半导体零件即半导体晶体,晶体是脆性的,加工过程中会在边缘形成碎石块似的崩碎。如有较大应力加载到晶体的解理方向上,会造成很大的崩碎面积,破坏中间已加工好的表面。因此,在加工端面前,应对半导体晶体进行端面边缘的倒角,使得在加工端面时,不容易产生破坏性的崩口。然而,在实际加工时,大部分的晶体多多少少的会发生不影响晶体性能的轻微崩口,以及极少部分会发生破坏性的崩口,为了防止破坏后的晶体被继续使用,因此,我们需要制作一个治具,用于检测晶体的崩口尺寸,将破坏严重的晶体剔除。技术实现要素:本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种针对半导体零件的抓数治具,本实用新型设计新颖,结构简单、合理,能够通过设置的**基准面和第二基准面定位半导体零件的位置,并通过设置的圆弧基准台的切边抓取半导体零件的倒角以及崩口的尺寸,以剔除不良的半导体零件。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:一种针对半导体零件的抓数治具,包括抓数治具,所述抓数治具包括设置的**基准块以及与**基准块垂直连接的第二基准块。我们通常使用 3 轴、4 轴和 5 轴CNC机器。湖北PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳
所述工艺盘组件为前面所述的工艺盘组件,所述工艺盘组件的工艺盘设置在所述工艺腔中。在本实用新型提供的工艺盘组件以及半导体设备中,工艺盘转轴通过驱动衬套、驱动连接部与驱动轴体部连接,驱动连接部的横截面为非圆形,而驱动衬套的套孔与驱动连接部相匹配,工艺盘转轴的安装孔与驱动衬套相匹配。从而通过非圆柱体的驱动连接部与驱动衬套上的异形孔之间的配合将扭矩传递至驱动衬套,进而基于安装孔与驱动衬套的配合关系传递至工艺盘转轴,从而能够避免驱动轴与驱动衬套之间发生相对滑动,提高了工艺盘转轴旋转角度的控制精度,进而提高了工件的放置精度。附图说明附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:图1是本实用新型提供的工艺盘组件的结构示意图;图2是图1所示的工艺盘组件的a-a向剖视图;图3是图2中虚线圈出部分的放大示意图;图4是图3的局部放大示意图;图5是本实用新型提供的工艺盘组件中驱动轴的结构示意图;图6是本实用新型提供的工艺盘组件中驱动衬套的结构示意图;图7是本实用新型提供的工艺盘组件中驱动衬套与驱动轴连接后的结构示意图。北京PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管材为行业的关键部件提高N倍寿命、免维护。
可被用于制造现代电子设备中***使用的场效应晶体管??蒲Ъ颐潜硎?,**新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。在目前的消费市场上,电子产品都很昂贵,主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成,制造成本很高;而碳基(塑料)有机电子产品不仅制造方便、成本低廉,而且轻便柔韧可弯曲,**了“电子设备无处不在”这一未来趋势。以前的研究表明,碳结构越大,其性能越优异。但科学家们一直未曾研究出有效的方法来制造更大的、稳定的、可溶解的碳结构以进行研究,直到此次祖切斯库团队研制出这种新的用于制造晶体管的有机半导体材料。有机半导体是一种塑料材料,其拥有的特殊结构让其具有导电性。在现代电子设备中,电路使用晶体管控制不同区域之间的电流。科学家们对新的有机半导体材料进行了研究并探索了其结构与电学属性之间的关系。
本发明涉及陶瓷领域,特别是涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。背景技术:反应烧结碳化硅陶瓷是由细颗粒sic和添加剂压制成素坯,在高温下与液态硅接触,坯体中的碳与渗入的si反应,生成新的sic,并与原有颗粒sic相结合,游离硅填充了气孔,从而得到高致密性的陶瓷材料。反应烧结碳化硅在烧结过程中尺寸几乎无变化,相比于常压烧结、热压烧结碳化硅材料来说,加工成本大幅降低,广泛应用于石油、化工、航空航天、核工业及半导体等领域。但是反应烧结碳化硅材料存在力学性能较差的问题,从而限制了反应烧结碳化硅材料的应用。技术实现要素:基于此,有必要提供一种力学性能好的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法。此外,还提供一种碳化硅陶瓷和半导体零件。一种碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃~900℃下进行加热处理,得到预处理颗粒,其中,所述金属元素为稀土元素或锶元素;将所述预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和***碳源混合造粒,得到造粒粉;将所述造粒粉成型,得到***预制坯;将所述***预制坯与第二碳源混合加热,使所述第二碳源呈液态。工程塑料,绝缘材料板机加工零件。
本实用新型涉及半导体设备领域,具体地,涉及一种半导体设备中的工艺盘组件,以及一种包括该工艺盘组件的半导体设备。背景技术:半导体设备通常由工艺腔和设置在工艺腔内的工艺盘组成,工艺盘用于承载待加工的工件,工件与工艺腔中通入的工艺气体发生化学反应或者由工艺气体形成沉积物沉积在工件表面,完成晶片的外延等半导体工艺。为了保证工艺盘上热量的均匀性,通常采用电机等设备驱动工艺盘旋转,目前的工艺盘驱动机构通常包括滑动轴、衬套和石英转轴。其中,石英转轴用于驱动工艺盘旋转,衬套套设在滑动轴上,石英转轴套设在衬套上,且滑动轴、衬套和石英转轴三者轴线重合,衬套通过贴合面之间的摩擦作用将滑动轴的扭矩传递至石英转轴上。然而,基于这种结构目前的半导体设备经常出现工件放偏、工艺效果不佳、工艺盘旋转卡顿等问题。技术实现要素:本实用新型旨在提供一种用于半导体设备的工艺盘组件,该工艺盘组件能够解决上述技术问题中的至少一者。为实现上述目的,作为本实用新型的***个方面,提供一种半导体设备中的工艺盘组件,包括工艺盘和工艺盘转轴,所述工艺盘转轴用于驱动所述工艺盘旋转,所述工艺盘组件还包括驱动轴和驱动衬套。高耐磨,抗冲击,耐腐蚀塑胶零部件加工。湖北PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳
耐热聚合物可用作耐高温薄膜绝缘材料、耐高温纤维、耐高温涂料、 耐高温粘合剂等。湖北PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳
步骤s160:将第二预制坯以℃/min~℃/min的速率升温至900℃,保温2h~4h,进行排胶。对第二预制坯进行排胶能够将第二预制坯中的第二碳源转化为碳,从而在后续步骤中与液态硅反应得到碳化硅。步骤s170:将第二预制坯和硅粉进行反应烧结,得到碳化硅陶瓷。其中,反应烧结的温度为1400℃~1800℃,反应烧结的时间为1h~5h。第二预制坯和硅粉的质量比为1∶(~4)。进一步地,反应烧结的温度为1700℃~1800℃。具体地,步骤s170在真空高温烧结炉中进行。将第二预制坯和硅粉进行反应烧结,第二预制坯中的碳与渗入的硅反应,生成锌的碳化硅,并与原有的颗粒碳化硅相结合,游离硅填充了气孔,从而得到高致密性的碳化硅陶瓷。上述碳化硅陶瓷的制备方法至少具有以下优点:(1)上述碳化硅陶瓷的制备方法采用高温压力浸渗二次补充碳源的方式,提高了预制坯密度,降低孔隙率,也降低了游离硅的尺寸和数量,从而提高了反应烧结碳化硅材料的力学性能。(2)上述碳化硅陶瓷的制备方法通过预处理碳化硅微粉,让金属元素均匀沉降在碳化硅颗粒表面,**终会存在于晶界处,具有促进烧结,降低气孔率,提高抗弯强度和高温性能的作用。湖北PP半导体与电子工程塑料零件定制加工管壳
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