本实用新型涉及治具领域，尤其涉及一种针对半导体零件的抓数治具。背景技术：半导体零件即半导体晶体，晶体是脆性的，加工过程中会在边缘形成碎石块似的崩碎。如有较大应力加载到晶体的解理方向上，会造成很大的崩碎面积，破坏中间已加工好的表面。因此，在加工端面前，应对半导体晶体进行端面边缘的倒角，使得在加工端面时，不容易产生破坏性的崩口。然而，在实际加工时，大部分的晶体多多少少的会发生不影响晶体性能的轻微崩口，以及极少部分会发生破坏性的崩口，为了防止破坏后的晶体被继续使用，因此，我们需要制作一个治具，用于检测晶体的崩口尺寸，将破坏严重的晶体剔除。技术实现要素：本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种针对半导体零件的抓数治具，本实用新型设计新颖，结构简单、合理，能够通过设置的**基准面和第二基准面定位半导体零件的位置，并通过设置的圆弧基准台的切边抓取半导体零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半导体零件。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：一种针对半导体零件的抓数治具，包括抓数治具，所述抓数治具包括设置的**基准块以及与**基准块垂直连接的第二基准块。我们有能力为您研发并生产所需的各种零件。浙江电木半导体与电子工程塑料零件定制加工特色

    碳化硅的自扩散系数小，在不添加烧结助剂的情况下，很难烧结，即使在高温高压下也很难烧结出致密的组织。而采用金属元素的氧化物为烧结助剂能够降低烧结温度，促进烧结体组织致密化，从而提高碳化硅陶瓷的力学性能。***分散剂包括四甲基氢氧化铵、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸铵、丙烯酸钠、聚乙烯醇及聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种。***分散剂能够使碳化硅微粉和稀土元素的氯化物在***溶剂中混合均匀，从而利于后续的喷雾及热处理过程。具体地，步骤s110包括：步骤s112：将金属元素的氯化物、***分散剂、***溶剂及碳化硅微粉混合，得到***浆料。具体地，金属元素的氯化物的加入量按金属元素的氧化物的质量为碳化硅微粉的质量的％～％计算得到。进一步地，金属元素的氯化物的加入量按金属元素的氧化物的质量为碳化硅微粉的质量的2％～3％计算得到。具体地，***溶剂能够溶解金属元素的氯化物。在其中一个实施例中，***溶剂为水和乙醇的混合物。可以理解，在其他实施例中，***溶剂还可以为其他能够溶解金属元素的氯化物的溶剂。步骤s114：在冰浴条件下，将***浆料与环氧丙烷混合，得到第二浆料，且环氧丙烷与***浆料的质量比为(～)∶1。将***浆料与环氧丙烷混合。北京PF 半导体与电子工程塑料零件定制加工管材PE板及零件加工(聚乙烯板)。

    表1实施例和对比例的碳化硅陶瓷的力学性能数据从上表1中可以看出，实施例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度均在400mpa左右，实施例2得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度甚至高达451mpa，远高于对比例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度。实施例得到的碳化硅陶瓷的显微硬度至少为2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而对比例得到的碳化硅陶瓷的抗显微硬度和致密度均较低。由此可以看出，采用实施例中的碳化硅陶瓷的制备方法得到的碳化硅陶瓷的力学性能较好。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例*表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

    采用此技术方案，有助于减少**基准块和第二基准块的变形。作为推荐，所述抓数治具的表面粗糙度设置在。采用此技术方案，表面光滑便于使用，以提升半导体零件的抓数精度。本实用新型的有益效果是：设计新颖，结构简单、合理，能够通过设置的**基准面和第二基准面定位半导体零件的位置，并通过设置的圆弧基准台的切边抓取半导体零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半导体零件；且同一治具上设置有多个抓数治具，有助于批量检测。上述说明*是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：图1为本实用新型涉及的抓数治具示意图；图2为本实用新型涉及的抓数治具排列示意图；图3为本实用新型涉及的半导体零件与抓数治具的连接示意图。图中标号说明：抓数治具1，**基准块2，第二基准块3，**基准面4，第二基准面5。用于刻蚀、CVD和离子植入等干式制程工具的材料，可降低成本和提高性能。

    自然界中的物质，根据其导电性能的差异可划分为导电性能良好的导体（如银、铜、铁等）、几乎不能导电的绝缘体（如橡胶、陶瓷、塑料等）和半导体（如锗、硅、砷化镓等）。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。它的导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而***变化，特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是其***应用于制造各种电子元器件和集成电路的基本依据。半导体材料的特点半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的，因此相应的有N型和P型之分。半导体材料通常具有一定的禁带宽度，其电特性易受外界条件（如光照、温度等）的影响。不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。杂质（特别是重金属快扩散杂质和深能级杂质）对材料性能的影响尤大。因此，半导体材料应具有很高的纯度，这就不仅要求用来生产半导体材料的原材料应具有相当高的纯度，而且还要求超净的生产环境，以期将生产过程的杂质污染减至**小。半导体材料大部分都是晶体，半导体器件对于材料的晶体完整性有较高的要求。此外，对于材料的各种电学参数的均匀性也有严格的要求。工程塑料,绝缘材料板机加工零件。江西电木半导体与电子工程塑料零件定制加工密度

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    分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。常见的半导体材料特点常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是**常用的一种半导体材料。有以下共同特点：1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有***变化。3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。据美国物理学家组织网报道，一个国际科研团队***研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有***的电学特性，而且成本低廉。浙江电木半导体与电子工程塑料零件定制加工特色

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