表1实施例和对比例的碳化硅陶瓷的力学性能数据从上表1中可以看出，实施例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度均在400mpa左右，实施例2得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度甚至高达451mpa，远高于对比例得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度。实施例得到的碳化硅陶瓷的显微硬度至少为2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而对比例得到的碳化硅陶瓷的抗显微硬度和致密度均较低。由此可以看出，采用实施例中的碳化硅陶瓷的制备方法得到的碳化硅陶瓷的力学性能较好。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例*表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。耐温、耐磨、可高效加工的高比强材料用于此领域。安徽PC半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务

    上述碳化硅陶瓷的制备方法能够获得具有较好的力学性能的碳化硅陶瓷。附图说明图1为一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法的工艺流程图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面将结合具体实施方式对本发明进行更***的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻***。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。请参阅图1，一实施方式的碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：步骤s110：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合，并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，金属元素为稀土元素或锶元素。具体地，碳化硅微粉的粒径为μm～μm。选择上述粒径的碳化硅微粉有利于控制得到的碳化硅陶瓷的晶粒尺寸，从而提高碳化硅陶瓷的力学性能。稀土元素包括钇(y)、钕(nd)、铈(ce)、镧(la)及钐(sm)中的至少一种。CPVC半导体与电子工程塑料零件定制加工什么材料各种尼龙板及零件加工。

    从而能够缓解定位平面311两侧的应力集中现象，提高了驱动轴3和驱动衬套2上应力分布的均匀性。并且，在本实施例中，两圆柱面312与驱动衬套2套孔中的相应圆柱面相配合，能够实现定位平面311的精确定位，保证定位平面311与驱动衬套2套孔中的平面紧密贴合，避免平面之间的空隙导致驱动轴3和驱动衬套2在传动过程中相互碰撞、磨损。此外，两定位平面311以驱动轴3的轴线为对称中心对称设置，使得驱动轴3与驱动衬套2通过平面传动时受到的力矩也是中心对称的，避免了驱动衬套2与驱动轴3的轴线之间发生偏移，保证了定位精度。为提高工艺盘组件结构的整体强度，推荐地，如图6所示，驱动衬套2包括相互连接的***衬套部210和第二衬套部220，***衬套部210和第二衬套部220沿工艺盘转轴1的轴线方向排列，第二衬套部220位于***衬套部210朝向驱动轴体部320的一侧，驱动衬套2的套孔包括形成在***衬套部210中的驱动通孔211和形成在第二衬套部220中的轴通孔221，驱动通孔211与驱动连接部310匹配；***衬套部210的外径小于第二衬套部220的外径，定位凸起222形成在第二衬套部220的外壁上，且第二衬套部220与工艺盘转轴1的安装孔相配合。在本实用新型的实施例中。

    作为推荐，所述圆弧基准台7的半经设置在1mm的倍数。采用此技术方案，便于测量以及计算。作为推荐，所述抓数治具1的长度设置在40-60mm，宽度设置在30-50mm。采用此技术方案，尺寸小，便于使用，以及保存。作为推荐，所述**基准块2的宽度和第二基准块3的宽度一致，其宽度设置在8-12mm。采用此技术方案，有助于减少**基准块2和第二基准块3的变形。作为推荐，所述抓数治具1的表面粗糙度设置在。采用此技术方案，表面光滑便于使用，以提升半导体零件9的抓数精度。具体实施例在使用前，先将半导体零件的一侧贴附于**基准面，然后，移动半导体零件，将半导体零件的另一侧靠紧到第二基准面，如图2所示；在实际检测时，先将治具效准在检测平台上，然后，通过抓取圆弧基准台的切边来计算半导体零件的基准点，并通过抓取的基准点测量半导体零件的倒角尺寸和崩口尺寸，并将检测的崩口尺寸大于倒角尺寸的不合格的半导体零件剔除。以上所述，*为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此。CNC 钻孔服务 ， CNC 钻孔部件。

    得到排胶后的***预制坯。(5)将排胶后的***预制坯升温至300℃，加入第二碳源酚醛树脂，加热2h，然后抽真空1h，再以氮气加压至5mpa，进行压力浸渗，让高含碳液体渗入预制坯的孔隙中，降温得到第二预制坯。(6)将第二预制坯放置于真空排胶炉中，以每分钟℃的速度升温至900℃，保温3h，排胶后，机加工得到排胶后的第二预制坯。(7)将排胶后的第二预制坯和硅粉按质量比为1∶2在石墨坩埚中混合，然后放置于真空高温烧结炉中进行反应烧结，烧结温度为1600℃，保温时间为3h，冷却后，得到碳化硅陶瓷。实施例3本实施例的碳化硅陶瓷的制备过程具体如下：(1)以氧化铈与碳化硅微粉的质量比为5∶100，得到氯化铈与碳化硅微粉的质量比为，然后将氯化铈溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散剂丙烯酸铵与丙烯酸钠的混合物，然后加入粒径为10μm的碳化硅微粉，搅拌均匀，得到***浆料。在冰浴条件下加入与***浆料的质量比为∶1的环氧丙烷，搅拌均匀得第二浆料。将第二浆料在闭式喷雾塔中喷雾，得到表面覆盖有氧化铈的碳化硅颗粒。然后将碳化硅颗粒在真空条件、900℃下进行热处理1h，得到预处理颗粒。(2)将第二分散剂丙烯酸铵与丙烯酸钠的混合物溶解在水中形成溶液。半导体行业就是这样一种需要CNC加工部件的行业。浙江PE半导体与电子工程塑料零件定制加工特色

且在整个价值链中，具备可追溯性；安徽PC半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务

    本发明涉及陶瓷领域，特别是涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。背景技术：反应烧结碳化硅陶瓷是由细颗粒sic和添加剂压制成素坯，在高温下与液态硅接触，坯体中的碳与渗入的si反应，生成新的sic，并与原有颗粒sic相结合，游离硅填充了气孔，从而得到高致密性的陶瓷材料。反应烧结碳化硅在烧结过程中尺寸几乎无变化，相比于常压烧结、热压烧结碳化硅材料来说，加工成本大幅降低，广泛应用于石油、化工、航空航天、核工业及半导体等领域。但是反应烧结碳化硅材料存在力学性能较差的问题，从而限制了反应烧结碳化硅材料的应用。技术实现要素：基于此，有必要提供一种力学性能好的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法。此外，还提供一种碳化硅陶瓷和半导体零件。一种碳化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、***分散剂及***溶剂混合并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，所述金属元素为稀土元素或锶元素；将所述预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和***碳源混合造粒，得到造粒粉；将所述造粒粉成型，得到***预制坯；将所述***预制坯与第二碳源混合加热，使所述第二碳源呈液态。安徽PC半导体与电子工程塑料零件定制加工24小时服务

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