与普通热等静压烧结相比，有如下优点：降低成本，无需投资大的热等静压机，并取消了包套和剥套工序，所需气体量比热等静压烧结的要少；生产率高，适宜批量生产，采用特殊成型法，可生产异型制品，无需后续加工。热等静压（HP）利用常温等压工艺与高温烧结合的新技术，解决了普通压中缺乏横向压力和制品密度不均匀的问题，并可使纳米陶瓷的致密度进一步提高。所采用高温等静压工艺，制备了纳米结构的单相SiC及Si 3 N 4 / SiC复相陶瓷，在温度为1850℃，压力 200MPa条件下保温1h，可获得晶粒尺寸 100nm，结构均匀，致密的单相SiC纳米结构陶瓷。在温度在1750℃，压力150MPa 条件下保温1h，可获得晶粒尺寸50nm左右，结构致密，均匀的复相Si 3 N 4 /SiC纳米陶瓷。在江苏中超金属科技，特种陶瓷的创新之路永无止境。普陀区有哪些特种陶瓷

对于空气中很难烧结的制品，为防止其氧化，可在炉膛内通入一定量的某种气体，在此特种气氛下进行烧结称为。此法适用于：制备高压钠灯用的氧化铝透光灯管。其他如等透光陶瓷也采用气氛烧结法。MgO32,OYOBe,氮化硅、碳化硅等非金属陶瓷也必须在氮及惰性气体中进行烧结。对于在常压高温易于气化的材料，可使其在稍高压压力下烧结。陶瓷中含有某种挥发性比较高的物质时，在烧结过程中，将不断向大气扩散，从而使基质中失去准备的化学计量比。在烧结使为保持必要的成分比。除在配方中适当加重易挥发组分外，还应注意烧成时的气氛保护。例如将合成的WC-Co纳米冷压成型，然后在H2气氛下低于WC-Co的共熔温度（1300℃）进行液相烧结，比传统的WC-Co硬质合金的烧结温度低100℃以上。为了防止晶粒长大，可加入适量添加剂，如VC、TaC、Cr2O3等，可有效地减缓WC晶粒在液相烧结中的迅速长大。**终合成晶粒度为200nm的WC-Co硬度合金。崇明区特种陶瓷牌子特种陶瓷，江苏中超金属科技的匠心独运之作，令人赞叹不已。

成型特种陶瓷的成型技术与方法比起传统陶瓷来说更加丰富、更加***，而且具有不同的特点。热压铸成型主要是利用含蜡料浆加热熔化后具有流动性和塑性，冷却后能在金属膜中凝固成一定形状的胚体的。热压铸成型用的蜡类黏结剂，通常为石蜡，为改善料浆的流动性，减少石蜡用量可加入少量(0.5%～5%)的表面活性物质如油酸、蜂蜡、硬脂酸等。黏结剂含量一般为瓷料重量的10%～18%。成型时料浆温度为50～85℃，压缩空气压力比0.1～ 0.5MPa，通常大型制品料浆温度和空气压力偏高。热压铸成型工艺适合形状较复杂，精度要求高的中小型产品生产。

目前国内外主要采用Al2O3陶瓷作为集成电路基板材料，然而随着电子元器件向高性能、高密度、大功率、小型化、低成本方向发展，迫切希望采用高导热系数陶瓷基板，理论上**适宜的候选材料有金刚石（C）、立方氮化硼（BN）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）和氮化铝（AlN）等。由于AlN导热系数高达250W·m-1·K-1，虽比SiC及BeO略低，但比Al2O3略高8~10倍，其体积电阻率，击穿强度，介电损耗等电气性能可与Al2O3瓷媲美，且介电常数较低，机械强度也较高，热膨胀系数为4.4ppm/℃，接近于Si可进行多层布线。江苏中超金属科技，用实力证明特种陶瓷的无限价值。

可以认为是比较好候选材料之一。目前日本德山曹达、东芝及美国一些公司已开始相当规模的应用，AlN陶瓷年总产量已逾千吨。国内目前AlN基板尚处于起步阶段，主要基本指标导热率大都在130~180W·m-1·K-1。一些研究单位科技攻关产品性能已接近国际水平，但高性能、批量化、产品一致性和低成本化等方面的问题尚有待进一步解决。（5）电阻基体材料电阻是电路的基本元件，应用面广，需求量大。一般碳膜、金属膜电阻技术含量较低，产品价值不高，单件产品为微利，由于原材料、劳动力、能源等因素，目前国际市场有一定销路，但国内市场，价格竞争激烈。另一方面，高性能、超小型、大功率、高稳定性新型片式、无感电阻国内外市场广阔，具有良好的社会经济效益，由于技术和装备方面的问题，目前我国尚处于起步阶段。以后有相关的业务记得找他们。锡山区常见特种陶瓷

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增塑剂用来调节聚合物的流动特性。水基粘结剂含有水溶性聚合物、凝胶或水玻璃。这类粘结剂通常采用低压成型以避免粉末与粘结剂的分离和减少模具磨损及残余应力。由于水易于除去，这使得制造较厚的元件成为可能。粘结剂溶液的凝固或胶凝使生品具有了强度。在烧结前，水从生品中蒸发或升华出去，使变形降至比较低程度。新型的、采用聚苯乙烯的固体聚合物溶液的粘结剂配方已经被采用以避免变形。主填充剂用溶液浸渍法除去。由于聚苯乙烯的骨架结构没法被削弱，所以避免了生品的变形。主填充剂是一种小的有机物分子，它既有苯环又有极性集团。苯环使它在混合时可溶于聚苯乙烯，极性集团则使它在脱脂时可溶于水或醇等溶剂中。普陀区有哪些特种陶瓷

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