80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。 80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管,以及各种组合器件,综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点,在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性,又具有双极型功率晶体管的电流传导性能,它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点,结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程,所以比一般晶闸管有更高的开关速度,而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件,在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。溧阳科技化电子器件销售值得推荐
电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。80年代晶闸管的电流容量已达6000安,阻断电压高达6500伏。但这类器件工作频率较低。提高其工作频率,取决于器件关断期间如何加快基区少数载流子(简称少子)的复合速度和经门极抽取更多的载流子。降低少子寿命虽能有效地缩短关断电流的过程,却导致器件导通期正向压降的增加。因此必须兼顾转换速度和器件通态功率损耗的要求。80年代这类器件的*高工作频率在 10千赫以下。双极型大功率晶体管可以在100千赫频率下工作,其控制电流容量已达数百安,阻断电压1千多伏,但维持通态比其他功率可控器件需要更大的基极驱动电流。由于存在热激发二次击穿现象,限制它的抗浪涌能力。新吴区科技化电子器件销售推荐80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。
电线 有连接口或终端在尽头的电线:电源线(Power cord);软线(Patch cord);示波器探棒(Test lead)。 开关 能够控制电路的开路或闭路的电子元件:开关(Switch) - 手动操作的开关;Keypad- 一群按钮开关的集he(例如只能输入数字的小键盘);继电器(Relay) - 电流操作的开关。它是一种电磁元件,有别于固态继电器(Solid State Relay);电磁开关:自动调温器(Thermostat) - 温度致动的开关;断路器(Circuit Break) -过电流致动的开关;限位开关(Limit Switch) - 机械式的启动开关;**开关(Mercury Switch);离心开关(Centrifugal Switch)。
电子元件是电子电路中的基本元素,通常是个别封装,并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路,例如:放大器、无线电接收机、振荡器等,连接电子元件常见的方式之一是焊接到印刷电路板上。电子元件也许是单独的封装(电阻器、电容器、电感器、晶体管、二极管等),或是各种不同复杂度的群组,例如:集成电路(运算放大器、排阻、逻辑门等)。 电子器件是指在真空、气体或固体中,利用和控制电子运动规律而制成的器件。分为电真空器件、充气管器件和固态电子器件。在模拟电路中作整流、放大、调制、振荡、变频、锁相、控制、相关等作用;在数字电路中作采样、限幅、逻辑、存储、计数、延迟等用。充气管器件主要作整流、稳压和显示之用。固态电子器件如集成电路。电子元件的元件分类:电线与开关。
事实表明,无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业,还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业,都迫切需要高质量、高效率的电能。而电力电子正是将各种一次能源高效率地变为人们所需的电能,实现节能环保和提高人民生活质量的重要手段,它已经成为弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造和兴建高科技产业之间不可缺少的重要桥梁。而新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的**。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏,它对装置的总价值,尺寸、重量、动态性能,过载能力,耐用性及可靠性等,起着十分重要的作用。电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏。锡山区正规电子器件销售批发
按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类。溧阳科技化电子器件销售值得推荐
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠; 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中*高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 制约因素:耐压,电流容量,开关的速度溧阳科技化电子器件销售值得推荐
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