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来源: 发布时间:2020-11-05

电力二极管:结构和原理简单,工作可靠; 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中*高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 制约因素:耐压,电流容量,开关的速度按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类。惠山区是什么电子器件销售推荐货源

电线 有连接口或终端在尽头的电线:电源线(Power cord);软线(Patch cord);示波器探棒(Test lead)。 开关 能够控制电路的开路或闭路的电子元件:开关(Switch) - 手动操作的开关;Keypad- 一群按钮开关的集he(例如只能输入数字的小键盘);继电器(Relay) - 电流操作的开关。它是一种电磁元件,有别于固态继电器(Solid State Relay);电磁开关:自动调温器(Thermostat) - 温度致动的开关;断路器(Circuit Break) -过电流致动的开关;限位开关(Limit Switch) - 机械式的启动开关;**开关(Mercury Switch);离心开关(Centrifugal Switch)。滨湖区正规电子器件销售均价电子元件的元件分类:端子与连接器。

为了保持电子元件运作的稳定性,通常将它们以合成树脂(Resin dispensing)包覆封装,以提高绝缘与保护不受环境的影响。?[1]? 元件也许是被动或有源的(passive or active):被动元件(Passive components)是一种电子元件,在使用时它们没有任何的增益或方向性。在电路分析(Network analysis)时,它们被称为电力元件(Electrical elements)。 有源元件(Active components)是一种电子元件,相对于被动元件所没有的,在使用时它们有增益或方向性。它们包括了半导体器件与真空管。 端子与连接器:用于电路连接的装置 端子(Terminal): 电子连接器(Connector):(Closed)、信号插座(Socket)、端子台(Screw terminal, Terminal Blocks)、信号接头(Header)。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件,推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。 80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管,以及各种组合器件,综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点,在性能上又有新的发展。例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性,又具有双极型功率晶体管的电流传导性能,它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。静电感应晶闸管保存了晶闸管导通压降低的优点,结构上避免了一般晶闸管在门极触发时必须在门极周围先导通然后逐步横向扩展的过程,所以比一般晶闸管有更高的开关速度,而且容许的结温升也比普通晶闸管高。这些新器件,在更高的频率范围内满足了电力电子技术的要求。电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。

功率集成电路指在一个芯片上把多个器件及其控制电路集he在一起。其制造工艺既概括了第yi代功率电子器件向大电流、高电压发展过程中所积累起来的各种经验,又综合了大规模集成电路的工艺特点。这种器件由于很大程度地缩小了器件及其控制电路的体积,因而能够有效地减少当器件处于高频工作状态时寄生参数的影响,这对提高电路工作频率和抑zhi外界干扰十分重要。 近期进展:2014年,美国奥巴马政fu连同企业一道投资1.4亿美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,发展新一代宽禁带电力半导体器件。进一步提高其工作频率仍然受到基区和集电区少子储存效应的影响。金坛区科技化电子器件销售透气

单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的,能通过的电流大小也是一定的。惠山区是什么电子器件销售推荐货源

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