稳压IC专题
由于DC/DC转换器的功率路径中存在寄生电感，高转换率还会导致高频开关节点振铃，从而进一步增加振铃频率及以上的发射。
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下页的图7显示了切换节点上的转换速率和相关振铃如何影响排放。限制开关转换引起的EMI发射的传统方法是通过在开关设备的栅极驱动路径中添加有意的电阻来降低它们的速度。这会导致转换速度变慢，导致更快的发射衰减，并在振铃频率下减少8到10 dB的发射。然而，这种开关边缘的减速会导致开关转换器的峰值电流效率降低2%-3%。
集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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取消绕组-TI稳压IC技术专题
与非隔离变流器不同，隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模（CM）EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容，CM电流也从初级流向次级，导致测量的CM EMI增加。按照惯例，您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。
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升压稳压器-稳压IC
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我们品类丰富的升压稳压器产品系列包括同步和非同步器件，这些器件能够以高达 96% 的效率满足从几毫安到 100A 等各种应用的需求。我们的产品具有有助于延长电池寿命的低静态电流 (IQ)、实现小尺寸的高功率密度和实现低 EMI 的展频技术等关键特性。您可以找到升压、SEPIC 和反激式解决方案。
按类别分类:
升压控制器（外部开关）
升压转换器（集成开关）
升压模块（集成电感器）
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控制器
我们提供灵活的同步和非同步升压控制器以支持更高的功率级别。
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升压升压转换器-数据表规定了-稳压IC
集成功率MOSFET开关。可实现的实际输出电流的粗略估计是占空比的函数，可以使用以下公式进行估计：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降压升压转换器-ADC/DC转换器必须能够在所有可能的输入电压条件下调节输出电压，无论VIN高于或低于VOUT。
TI的单电感buck-boost变换器在芯片上集成了四个功率MOSFET，以节省空间并在操作模式之间无缝过渡。
分轨变流器-TPS6513x分轨系列的每个成员
转换器（+VOUT1/–VOUT2）从一个输入轨产生调节的正负电源电压。这降低了BOM成本和空间，同时为工业和汽车应用提供了前列的性能。
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低噪音和精度-TI稳压IC发展趋势-2
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和准确性。
为了比较大限度地提高系统性能和可靠性，监控、调节和处理电源链中信号的能力至关重要。高精度系统需要精确的低噪声基准，以及低噪声和纹波的供电轨。TI使用**工艺组件和先进的电路和测试技术，以提高精度并将失真降至比较低。
?高级功能，如陶瓷封装和电路板应力管理技术
管理硅和电路板压力。
系统噪音缓解
?技术进步，使系统级抗干扰性更好
具有高电源抑制比（PSRR）、低压差调节器（LDO）和片上滤波的干扰和噪声。
高PSRR可实现更好的滤波和更低的输出噪声。
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