为减少电源中的电磁干扰而进行的省时、经济高效的创新-IT稳压IC关键技术
随着电子系统变得越来越密集和互连，减少电磁干扰（EMI）的影响成为越来越重要的系统设计考虑因素。
1、什么是EMI？
电磁干扰（EMI）是一种电磁能量，是开关电流和电压产生的不良副产品，它来自各种物理现象，并在严格的电磁干扰测试中表现出来。
2、减少电磁干扰的常规方法
减少电磁干扰是一项充满权衡的努力。减少电磁干扰的传统方法包括使用大型、昂贵的滤波器或降低开关转换率，这是一种直接影响效率的技术。
3、减少电磁干扰的创新
为了实现开关电源的所有优点，降低EMI技术必须解决传统的权衡问题。这需要针对低频和高频EMI的创造性解决方案，以及精确的建模技术。
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结论
电子技术的快速发展给功率转换器的设计带来了巨大的压力，因为复杂的系统被塞进了越来越小的空间。敏感系统的接近性使得抑制EMI具有挑战性。在设计功率转换器时，必须格外小心，以符合标准机构规定的限制，以确保关键系统能够在噪声环境中安全运行。
低EMI设计可以节省大量开发周期时间，同时还可以减少电路板面积和解决方案成本。TI提供多种功能和技术来缓解EMI，如扩频、有源EMI滤波、抵消绕组、封装创新、集成输入旁路电容器和真正的转换速率控制方法。
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功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题
在CISPR 25等标准中，通常会将fm设置在9 kHz左右，以优化低频段，但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题，您可以进一步以伪随机方式调制三角调制，以传播可听能量，而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式，这是TPS55165-Q1（同步降压-升压转换器）上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带（因此也限于单个RBW），而是多个频带的事实带来了困境，因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频（DRSS）的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面，每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息，请参阅应用报告“EMI抑制技术，双随机扩频”
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TI稳压IC-减少高频发射的创新
到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通?；峒跎俚推捣⑸洌?lt;30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。
火棒? 包裹
减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，进而减少开关节点振铃。
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TI稳压IC-火棒? 包裹
热棒封装翻转硅芯片，并将其直接放置在引线框架上，以比较大限度地减少由运行开关电流的引脚上的键合线引起的寄生电感。图16显示了HotRod软件包的结构和优点。
随着功率回路电感的改善，热棒式封装也有助于降低功率路径中的电阻，从而提高效率，同时使较小的解决方案尺寸成为可能。
HotRod封装中设备的另一个好处是，它们有助于并行输入路径引脚，即DC/DC转换器输入电容的布局安排。通过优化DC/DC转换器的引脚，使输入电容器的布局具有对称性，输入功率回路产生的反向磁场位于对称回路内，从而将对附近系统的发射降至比较低。平行输入路径进一步将高频EMI降至比较低，尤其是在**严格的FM频段，如下图17所示。
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