取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸，针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示，改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层（如黑色所示），用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口，并有助于产生抵消CM电压，使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流，使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应（流入二次层的CM电流接近于零）减少了CM发射，明显帮助设计满足EMI频谱标准，且CM滤波很好小。
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5.线性调节器（LDO）-稳压IC概述和选择指南-
稳压IC概述稳压IC低压差线性稳压器（LDO）是一种简单、有效的调节由较高输入电压供电的输出电压的方法。德州仪器（TI）拥有***的LDO产品组合，其特点是小尺寸封装、低静态电流（低IQ）以扩展电池寿命长，低噪声LDO具有高电源抑制比（PSRR），低固有噪声，高输出电流和快速瞬态响应速度快，高压LDO适用于恶劣的汽车环境。
稳压IC减少解决方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，当今电子设计的复杂性和密度相当于有限的PCB空间。为了应对电子设备越来越小的趋势，稳压IC-LDO必须提供相同的性能，同时消耗尽可能少的空间。TI提供了许多LDO，可满足高性能需求和微小的解决方案规模。
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隔离
以比较高的工作电压和可靠性提高安全性-稳压IC技术趋势
隔离是指在存在危险高压时的可靠保护。电流隔离将两个区域电隔离，允许功率或信号通过屏障传输，而不影响人身安全
安全性，同时防止接地电位差，提高抗噪性。TI的隔离技术组合，包括电容性SiO2绝缘屏障和集成变压器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大标准协会（CSA）和美国保险商实验室（UL）的标准，而不会影响性能。要了解有关隔离的更多信息，请参阅我们的所有隔离解决方案。
传输信号
?采用高质量隔离技术、低延迟数据传输和出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），提高系统鲁棒性和可靠性。
传输功率
?通过在单个封装中集成传输电源所需的高压隔离组件，减少热负荷并简化EMI合规性。
稳压IC的EMI，除了了解特定应用的适当标准外，了解如何测量EMI也很重要，因为这些知识将使您深入了解如何减少EMI。EMI测量通常分为传导和辐射，这揭示了测量方法和EMI的产生方式。虽然传导发射通常与较低频率（<30 MHz）相关，而辐射发射通常与较高频率（>30 MHz）相关，但两者之间的区别并不那么简单，因为传导和辐射频率范围确实重叠。
传导发射测量旨在量化设备产生并返回其电源的EMI。重要的是：减少许多应用中的这些排放，因为其他敏感电路通常连接到相同的电源线。在处理现代汽车中数量不断增加的长线束时，降低传导电磁干扰尤为重要。
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功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET?技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
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升压稳压器-稳压IC
将输入电压高效转换到更高的输出电压
查看所有产品
我们品类丰富的升压稳压器产品系列包括同步和非同步器件，这些器件能够以高达 96% 的效率满足从几毫安到 100A 等各种应用的需求。我们的产品具有有助于延长电池寿命的低静态电流 (IQ)、实现小尺寸的高功率密度和实现低 EMI 的展频技术等关键特性。您可以找到升压、SEPIC 和反激式解决方案。
按类别分类:
升压控制器（外部开关）
升压转换器（集成开关）
升压模块（集成电感器）
按类型选择
控制器
我们提供灵活的同步和非同步升压控制器以支持更高的功率级别。
我们的低功耗升压转换器可满足您对小尺寸解决方案、低系统成本和高功率密度的需求。
我们的升压模块支持小解决方案尺寸、高功率密度和快速设计。
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深圳市特克电子技术有限公司致力于电子元器件，以科技创新实现高质量管理的追求。特克集团深耕行业多年，始终以客户的需求为向导，为客户提供高质量的集成电路，芯片，IC，二三极管。特克集团继续坚定不移地走高质量发展道路，既要实现基本面稳定增长，又要聚焦关键领域，实现转型再突破。特克集团始终关注自身，在风云变化的时代，对自身的建设毫不懈怠，高度的专注与执着使特克集团在行业的从容而自信。