不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：1．额定正向工作电流额定正向工作电流是指二极管长期连续T作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140℃左右，锗管为90℃左右)时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的lN400l型锗二极管的额定正向工作电流为lA。2．大浪涌电流大浪涌电流是允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值通常为额定正向工作电流的20倍左右。发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED。光明区电路二极管电压

从正向电压变成反向电压时，理想情况是电流能瞬时截止，实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。6．大功率大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别重要。反向电流()是指二极管在规定的温度和高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2APl型锗二极管，在25℃时，反向电流为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。南山区高压整流二极管测试TVS瞬态抑制二极管和ESD静电二极管，这两者工作原理是一样，只是在功率、应用场合、封装形式方面截然不同。

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。ESD静电二极管简称ESD，是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。

早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今**普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。开关二极管可以很好的保护的电路，防止电路因为短路等问题而被烧坏，也可实现传统开关的功能。发光二极管整流

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。光明区电路二极管电压

TSS管是利用半导体工艺制成的保护器件，主要用于信号电路的防雷保护。不能用在电源端口。TSS器件的通流容量一般较高可达到150A(8/20uS)。TSS管和TVS管都是利用半导体工艺制成的限压保护器件，TSS管是电压开关型的。TVS是电压钳位型的。TSS管在响应时间，结电容方面与TVS管是相同特点，易于制成表贴器件，很适合在单板上使用。TSS管适合于信号电平较高的信号电路保护。TSS管在响应时间、结电容方面具有与TVS管相同的特点。易于制成表贴器件，很适合在单板上使用，TSS管动作后，将过电压从击穿电压值附近下拉到接近0V的水平，这时二极管的结压降小，所以用于信号电平较高的线路(例如：模拟用户线、ADSL等)保护时通流量比TVS管大，保护效果也比TVS管好。TSS适合于信号电平较高的信号线路的保护。光明区电路二极管电压

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