可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。结构原件可控硅类型可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。静安区品牌晶闸管销售厂家

从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管.当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。普陀区品牌晶闸管品牌可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。

安装过程中，螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量；和接头片接触的散热器表面应处理，保证平坦，10mm上允许偏差0.02mm；安装力矩（带垫圈）应在0.55nm 和0.8nm 之间；应避免使用自攻丝螺钉，因为挤压可能导致安装孔周围的隆起，影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制，也是这种安装方法的缺点；器件应首先机械固定，然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅**初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

PNPN四层组成(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:电流⒈ 额定通态电流（IT）即比较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；闵行区质量晶闸管设计

额定通态电流（IT）即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。静安区品牌晶闸管销售厂家

将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接，就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源，只要将负载与本电路串联后接通电源，两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生，调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断，因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通，一个的正向压降就是另一个的反向压降，因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。静安区品牌晶闸管销售厂家

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