在半导体行业飞速发展的现在，芯片集成度不断提升，器件结构日益复杂，失效分析的难度也随之大幅增加。传统检测设备往往难以兼顾微观观测与微弱信号捕捉，导致许多隐性缺陷成为 “漏网之鱼”。苏州致晟光电科技有限公司凭借自主研发实力，将热红外显微镜与锁相红外热成像系统创造性地集成一体，推出 Thermal EMMI P 热红外显微镜系列检测设备（搭载自主研发的 RTTLIT （实时瞬态锁相红外系统），为半导体的失效分析提供了全新的技术范式。

电激励激发缺陷热特征，锁相热成像系统识别。直销锁相红外热成像系统售价

致晟光电推出的多功能显微系统，创新实现热红外与微光显微镜的集成设计，搭配灵活可选的制冷/非制冷模式，可根据您的实际需求定制专属配置方案。这套设备的优势在于一体化集成能力：只需一套系统，即可同时搭载可见光显微镜、热红外显微镜及InGaAs微光显微镜三大功能模块。这种设计省去了多设备切换的繁琐，更通过硬件协同优化提升了整体性能，让您在同一平台上轻松完成多波段观测任务。相比单独购置多套设备，该集成系统能大幅降低采购与维护成本，在保证检测精度的同时，为实验室节省空间与预算，真正实现性能与性价比的双重提升。实时锁相锁相红外热成像系统价格电激励为锁相热成像系统提供稳定热信号源。

RTTLIT 系统采用了先进的锁相热成像（Lock-In Thermography）技术，这是一种通过调制电信号来大幅提升特征分辨率与检测灵敏度的创新方法。在传统的热成像检测中，由于背景噪声和热扩散等因素的影响，往往难以精确检测到微小的热异常。而锁相热成像技术通过对目标物体施加特定频率的电激励，使目标物体产生与激励频率相同的热响应，然后通过锁相放大器对热响应信号进行解调，只提取与激励频率相关的热信号，从而有效地抑制了背景噪声，极大地提高了检测的灵敏度和分辨率。

失效背景调查就像是为芯片失效分析开启“导航系统”，能帮助分析人员快速了解芯片的基本情况，为后续工作奠定基础。收集芯片型号是首要任务，不同型号的芯片在结构、功能和特性上存在差异，这是开展分析的基础信息。同时，了解芯片的应用场景也不可或缺，是用于消费电子、工业控制还是航空航天等领域，不同的应用场景对芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相径庭。失效模式的收集同样关键，短路、漏电、功能异常等不同的失效模式，指向的潜在问题各不相同。比如短路可能是由于内部线路故障，而漏电则可能与芯片的绝缘性能有关。失效比例的统计也有重要意义，如果同一批次芯片失效比例较高，可能暗示着设计缺陷或制程问题；如果只是个别芯片失效，那么应用不当的可能性相对较大。
电激励强度可控，保护锁相热成像系统检测元件。

电子产业的电路板老化检测中，电激励的锁相热成像系统效果优异，为电子设备的维护和更换提供了科学依据，有效延长了设备的使用寿命。电路板在长期使用过程中，会因元件老化、线路氧化、灰尘积累等原因，导致性能下降，可能出现隐性缺陷，如电阻值漂移、电容漏电、线路接触不良等。这些隐性缺陷在设备正常工作时可能不会立即显现，但在负载变化或环境温度波动时，可能会导致设备故障。通过对老化的电路板施加适当的电激励，模拟设备的工作状态，老化缺陷处会因性能参数的变化而产生与正常区域不同的温度变化。锁相热成像系统能够检测到这些温度变化，并通过分析温度场的分布特征，评估电路板的老化程度和潜在故障风险。例如，在检测工业控制设备的电路板时，系统可以发现老化电容周围的温度明显高于正常区域，提示需要及时更换电容，避免设备在运行过程中突然故障。锁相热成像系统放大电激励下的微小温度差异。低温热锁相红外热成像系统原理

高灵敏度红外相机（ mK 级），需满足高帧率（至少为激励频率的 2 倍，遵循采样定理）以捕捉周期性温度变化。直销锁相红外热成像系统售价

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。直销锁相红外热成像系统售价