在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

热红外显微镜通过 AI 辅助分析，一键生成热谱图，大幅提升科研与检测效率。长波热红外显微镜

车规级芯片作为汽车电子系统的重心，其可靠性直接关系到汽车的安全运行，失效分析是对提升芯片质量、保障行车安全意义重大。在车规级芯片失效分析中，热红外显微镜发挥着关键作用。芯片失效常伴随异常发热，通过热红外显微镜分析其温度分布，能定位失效相关的热点区域。比如，芯片内部电路短路、元器件老化等故障，会导致局部温度骤升形成明显热点。从而快速定位潜在的故障点，为功率模块的失效分析提供了强有力的工具。可以更好的帮助车企优化芯片良率与安全性。无损热红外显微镜品牌热红外显微镜采用先进的探测器，实现对微小热量变化的快速响应 。

致晟光电自主研发的热红外显微镜 Thermal EMMI P系列，是电子工业中不可或缺的精密检测工具，在半导体芯片、先进封装技术、功率电子器件以及印刷电路板（PCB）等领域的失效分析中发挥着举足轻重的作用。

该设备搭载——实时瞬态锁相红外热分析（RTTLIT）系统，并集成高灵敏度红外相机、多倍率可选显微镜镜头、精确高低压源表等技术组件，赋予其三大特性：超凡灵敏度与亚微米级检测精度，可捕捉微弱热信号与光子发射；高精度温度测量能力（锁相灵敏度达0.001℃），支持动态功耗分析；无损故障定位特性，无需破坏器件即可锁定短路、开路等缺陷。凭借技术集成优势，ThermaEMMIP系列不仅能快速定位故障点，更能通过失效分析优化产品质量与可靠性，为半导体制造、先进封装及电子器件研发提供关键技术支撑。

半导体制程已逐步进入 3 纳米及更先进阶段，芯片内部结构日趋密集，供电电压也持续降低，这使得微观热行为对器件性能的影响变得更为明显。致晟光电热红外显微镜是在传统热发射显微镜基础上，经迭代进化而成的精密工具。在先进制程研发中，它在应对热难题方面能提供一定支持，在芯片设计验证、失效排查以及性能优化等环节，都能发挥相应的作用。其通过不断优化的技术，适应了先进制程下对微观热信号检测的需求，为相关研发工作提供了有助于分析和解决问题的热分布信息，助力研发人员更好地推进芯片相关的研究与改进工作。
热红外显微镜通过热辐射相位差算法，三维定位 3D 封装中 Z 轴方向的失效层。

当电子设备中的某个元件发生故障或异常时，常常伴随局部温度升高。热红外显微镜通过高灵敏度的红外探测器，能够捕捉到极其微弱的热辐射信号。这些探测器通常采用量子级联激光器等先进技术，或其他高性能红外传感方案，具备宽温区、高分辨率的成像能力。通过对热辐射信号的精细探测与分析，热红外显微镜能够将电子设备表面的温度分布以高对比度的热图像形式呈现，直观展现热点区域的位置、尺寸及温度变化趋势，从而帮助工程师快速锁定潜在的故障点，实现高效可靠的故障排查。热红外显微镜利用其高分辨率，观察半导体制造过程中的热工艺缺陷 。厂家热红外显微镜选购指南

热红外显微镜的高精度热检测，为电子设备可靠性提供保障 。长波热红外显微镜

热红外显微镜（Thermal EMMI) 图像分析是通过探测物体自身发出的红外辐射，将其转化为可视化图像，进而分析物体表面温度分布等信息的技术。其原理是温度高于零度的物体都会向外发射红外光，热红外显微镜通过吸收这些红外光，利用光电转换将其变为温度图像。物体内电荷扰动会产生远场辐射和近场辐射，近场辐射以倏逝波形式存在，强度随远离物体表面急剧衰退，通过扫描探针技术可散射近场倏逝波，从而获取物体近场信息，实现超分辨红外成像。长波热红外显微镜