苏州致晟光电科技有限公司自主研发的RTTLIT （实时瞬态锁相热分析系统），该技术的温度灵敏度极高，部分型号甚至可达 0.0001℃，功率检测限低至 1μW。这意味着它能够捕捉到极其微弱的热信号变化，哪怕是芯片内部极为微小的漏电或局部发热缺陷都难以遁形。这种高灵敏度检测能力在半导体器件、晶圆、集成电路等对精度要求极高的领域中具有无可比拟的优势，能够帮助工程师快速、准确地定位故障点，较大程度上的缩短了产品研发和故障排查的时间。锁相热成像系统让电激励检测效率大幅提升。直销锁相红外热成像系统运动

电子产业的存储器芯片检测中，电激励的锁相热成像系统发挥着独特作用，为保障数据存储安全提供了有力支持。存储器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是电子设备中用于存储数据的关键部件，其存储单元的质量直接决定了数据存储的可靠性。存储单元若存在缺陷，如氧化层击穿、接触不良等，会导致数据丢失、读写错误等问题。通过对存储器芯片施加电激励，进行读写操作，缺陷存储单元会因电荷存储异常而产生异常温度。锁相热成像系统能够定位这些缺陷单元的位置，帮助制造商在生产过程中筛选出合格的存储器芯片，提高产品的合格率。例如，在检测固态硬盘中的 NAND Flash 芯片时，系统可以发现存在坏块的存储单元区域，这些区域在读写操作时温度明显升高。通过标记这些坏块并进行屏蔽处理，能够有效保障数据存储的安全，推动电子产业存储领域的健康发展。非破坏性分析锁相红外热成像系统市场价高灵敏度锁相热成像技术能够检测到极微小的热信号，可检测低至uA级漏电流或微短路缺陷。

失效背景调查就像是为芯片失效分析开启“导航系统”，能帮助分析人员快速了解芯片的基本情况，为后续工作奠定基础。收集芯片型号是首要任务，不同型号的芯片在结构、功能和特性上存在差异，这是开展分析的基础信息。同时，了解芯片的应用场景也不可或缺，是用于消费电子、工业控制还是航空航天等领域，不同的应用场景对芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相径庭。失效模式的收集同样关键，短路、漏电、功能异常等不同的失效模式，指向的潜在问题各不相同。比如短路可能是由于内部线路故障，而漏电则可能与芯片的绝缘性能有关。失效比例的统计也有重要意义，如果同一批次芯片失效比例较高，可能暗示着设计缺陷或制程问题；如果只是个别芯片失效，那么应用不当的可能性相对较大。

光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）技术常被集成于同一检测系统，合称为光发射显微镜（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理与应用上形成巧妙互补，能够协同应对集成电路中绝大多数失效模式，大幅提升失效分析的全面性与效率。OBIRCH技术的独特优势在于，即便失效点被金属层覆盖形成“热点”，其仍能通过光束照射引发的电阻变化特性实现精细检测——这恰好弥补了EMMI在金属遮挡区域光信号捕捉受限的不足。电激励模式多样，适配锁相热成像系统不同需求。

ThermalEMMI（热红外显微镜）是一种先进的非破坏性检测技术，主要用于精细定位电子设备中的热点区域，这些区域通常与潜在的故障、缺陷或性能问题密切相关。该技术可在不破坏被测对象的前提下，捕捉电子元件在工作状态下释放的热辐射与光信号，为工程师提供关键的故障诊断线索和性能分析依据。在诸如复杂集成电路、高性能半导体器件以及精密印制电路板（PCB）等电子组件中，ThermalEMMI能够快速识别出异常发热或发光的区域，帮助工程师迅速定位问题根源，从而及时采取有效的维修或优化措施。锁相热成像系统通过识别电激励引发的周期性热信号，可有效检测材料内部缺陷，其灵敏度远超传统热成像技术。直销锁相红外热成像系统运动

检测速度快，但锁相热红外电激励成像所得的位相图不受物体表面情况影响，对深层缺陷检测效果更好。直销锁相红外热成像系统运动

锁相热成像系统的电激励方式在电子产业的 LED 芯片检测中扮演着不可或缺的角色，为 LED 产品的质量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 结，pn 结的质量直接决定了 LED 的发光效率、寿命和可靠性。如果 pn 结存在缺陷，如晶格失配、杂质污染等，会导致芯片的电光转换效率下降，发热增加，严重影响 LED 的性能。通过对 LED 芯片施加电激励，使芯片处于工作状态，缺陷处的电流分布和热分布会出现异常，导致局部温度升高。锁相热成像系统能够精确检测到这些温度差异，并通过图像处理技术，清晰显示出 pn 结缺陷的位置和形态。

制造商可以根据检测结果，筛选出良好的 LED 芯片，剔除不合格产品，从而提升 LED 灯具、显示屏等产品的质量和使用寿命。例如，在 LED 显示屏的生产过程中，利用该系统对 LED 芯片进行检测，可使产品的不良率降低 30% 以上，推动了电子产业中 LED 领域的发展。 直销锁相红外热成像系统运动