在当今科技飞速发展的时代，电子设备的性能与可靠性至关重要。从微小的芯片到复杂的电路板，任何一个环节出现故障都可能导致整个系统的崩溃。在这样的背景下，苏州致晟光电科技有限公司自主研发的实时瞬态锁相热分析系统（RTTLIT）应运而生，犹如一颗璀璨的明星，为电子行业的失效分析领域带来了全新的解决方案。

致晟光电成立于 2024 年，总部位于江苏苏州，公司秉持着 “需求为本、科技创新” 的理念，专注于电子产品失效分析仪器设备的研发与制造。 电激励与锁相热成像系统，电子检测黄金组合。半导体失效分析锁相红外热成像系统P20

电激励的锁相热成像系统在电子产业的柔性电子检测中展现出广阔的应用前景，为柔性电子技术的发展提供了关键的质量控制手段。柔性电子具有可弯曲、重量轻、便携性好等优点，广泛应用于柔性显示屏、柔性传感器、可穿戴设备等领域。然而，柔性电子材料通常较薄且易变形，传统的机械检测或接触式检测方法容易对其造成损伤。电激励方式在柔性电子检测中具有独特优势，可采用低电流的周期性激励，避免对柔性材料造成破坏。锁相热成像系统能够通过检测柔性电子内部线路的温度变化，识别出线路断裂、层间剥离、电极脱落等缺陷。例如，在柔性显示屏的检测中，系统可以对显示屏施加低电流电激励，通过分析温度场分布，发现隐藏在柔性基底中的细微线路缺陷，确保显示屏的显示效果和使用寿命。这一技术的应用，有效保障了柔性电子产品的质量，推动了电子产业中柔性电子技术的快速发展。锁相锁相红外热成像系统技术参数快速定位相比其他检测技术，锁相热成像技术能够在短时间内快速定位热点，缩短失效分析时间。

电激励的参数设置对锁相热成像系统在电子产业的检测效果有着决定性的影响，需要根据不同的检测对象进行精细调控。电流大小的选择尤为关键，必须严格适配电子元件的额定耐流值。如果电流过小，产生的热量不足以激发明显的温度响应，系统将难以捕捉到缺陷信号；

而电流过大则可能导致元件过热损坏，造成不必要的损失。频率的选择同样不容忽视，高频电激励产生的热量主要集中在元件表面，适合检测表层的焊接缺陷、线路断路等问题；低频电激励则能使热量渗透到元件内部，可有效探测深层的结构缺陷，如芯片内部的晶格缺陷。在检测复杂的集成电路时，技术人员往往需要通过多次试验，确定比较好的电流和频率参数组合，以确保系统能够清晰区分正常区域和缺陷区域的温度信号，从而保障检测结果的准确性。例如，在检测高精度的传感器芯片时，通常会采用低电流、多频率的电激励方式，以避免对芯片的敏感元件造成干扰。

通过大量海量热图像数据，催生出更智能的数据分析手段。借助深度学习算法，构建热图像识别模型，可快速准确地从复杂热分布中识别出特定热异常模式。如在集成电路失效分析中，模型能自动比对正常与异常芯片的热图像，定位短路、断路等故障点，有效缩短分析时间。在数据处理软件中集成热传导数值模拟功能，结合实验测得的热数据，反演材料内部热导率、比热容等参数，从热传导理论层面深入解析热现象，为材料热性能研究与器件热设计提供量化指导。在复合材料检测中，电激励能使缺陷区域产生独特热响应，锁相热成像系统可将这种响应转化为清晰的缺陷图像。

锁相热成像系统借助电激励在电子产业的微型电子元件检测中展现出极高的灵敏度，满足了电子产业向微型化、高精度发展的需求。随着电子技术的不断进步，电子元件正朝着微型化方向快速发展，如微型传感器、微型继电器等，其尺寸通常在毫米甚至微米级别，缺陷也更加细微，传统的检测方法难以应对。电激励能够在微型元件内部产生微小但可探测的温度变化，即使是纳米级的缺陷也能引起局部温度的细微波动。锁相热成像系统结合先进的锁相技术，能够从强大的背景噪声中提取出与电激励同频的温度信号，将微小的温度变化放大并清晰显示出来，从而检测出微米级的缺陷。例如，在检测微型加速度传感器的敏感元件时，系统能够发现因制造误差导致的微小结构变形，这些变形会影响传感器的测量精度。这一技术的应用，为微型电子元件的质量检测提供了有力支持，推动了电子产业向微型化、高精度方向不断发展。非接触式检测在不破坏样品的情况下实现成像，适用于各种封装状态的样品，包括未开封的芯片和PCBA。热红外成像锁相红外热成像系统性价比

锁相热成像系统让电激励下的缺陷无所遁形。半导体失效分析锁相红外热成像系统P20

失效背景调查就像是为芯片失效分析开启“导航系统”，能帮助分析人员快速了解芯片的基本情况，为后续工作奠定基础。收集芯片型号是首要任务，不同型号的芯片在结构、功能和特性上存在差异，这是开展分析的基础信息。同时，了解芯片的应用场景也不可或缺，是用于消费电子、工业控制还是航空航天等领域，不同的应用场景对芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相径庭。失效模式的收集同样关键，短路、漏电、功能异常等不同的失效模式，指向的潜在问题各不相同。比如短路可能是由于内部线路故障，而漏电则可能与芯片的绝缘性能有关。失效比例的统计也有重要意义，如果同一批次芯片失效比例较高，可能暗示着设计缺陷或制程问题；如果只是个别芯片失效，那么应用不当的可能性相对较大。
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