热红外显微镜（Thermal EMMI) 作为一种能够捕捉微观尺度热辐射信号的精密仪器，其优势在于对材料、器件局部温度分布的高空间分辨率观测。

然而，在面对微弱热信号（如纳米尺度结构的热辐射、低功耗器件的散热特性等）时，传统热成像方法易受环境噪声、背景辐射的干扰，难以实现精细测量。锁相热成像技术的引入，为热红外显微镜突破这一局限提供了关键解决方案。通过锁相热成像技术的赋能，热红外显微镜从 “可见” 微观热分布升级为 “可测” 纳米级热特性，为微观尺度热科学研究与工业检测提供了不可或缺的工具。 半导体芯片内部缺陷定位是工艺优化与失效分析的关键技术基础。什么是热红外显微镜分析

致晟光电推出的多功能显微系统，创新实现热红外与微光显微镜的集成设计，搭配灵活可选的制冷/非制冷模式，可根据您的实际需求定制专属配置方案。这套设备的优势在于一体化集成能力：只需一套系统，即可同时搭载可见光显微镜、热红外显微镜及InGaAs微光显微镜三大功能模块。这种设计省去了多设备切换的繁琐，更通过硬件协同优化提升了整体性能，让您在同一平台上轻松完成多波段观测任务。相比单独购置多套设备，该集成系统能大幅降低采购与维护成本，在保证检测精度的同时，为实验室节省空间与预算，真正实现性能与性价比的双重提升。非制冷热红外显微镜原理热红外显微镜的高精度热检测，为电子设备可靠性提供保障 。

在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

热点区域对应高温部位，可能是发热源或故障点；等温线连接温度相同点，能直观呈现温度梯度与热量传导规律。目前市面上多数设备受红外波长及探测器性能限制，普遍存在热点分散、噪点多的问题，导致发热区域定位不准，图像对比度和清晰度下降，影响温度分布判断的准确性。

而我方设备优势是设备抗干扰能力强，可有效减少外界环境及内部器件噪声影响，保障图像稳定可靠；等温线明显，能清晰展现温度相同区域，便于快速掌握温度梯度与热传导情况，提升热特性分析精度；成像效果大幅提升，具备更高的空间分辨率、温度分辨率及对比度，可清晰呈现细微细节，为分析提供高质量的图像支持。 热红外显微技术可透过硅片或封装材料，实现非接触式热斑定位。

致晟光电热红外显微镜的软件算法优化，信号处理逻辑也是其竞争力之一。

其搭载的自适应降噪算法，能通过多帧信号累积与特征学习，精细识别背景噪声的频谱特征 —— 无论是环境温度波动产生的低频干扰，还是电子元件的随机噪声，都能被针对性滤除，使信噪比提升 2-3 个数量级。

针对微弱热信号提取，算法内置动态阈值调节机制，结合热信号的时域相关性与空间分布特征，可从噪声中剥离 0.05mK 级的微小温度变化，即使纳米尺度结构的隐性感热信号也能被清晰捕捉。同时，软件支持热分布三维建模、温度梯度曲线分析、多区域热演化对比等多元功能，通过直观的可视化界面呈现数据 —— 从热点定位的微米级标记到热传导路径的动态模拟，为用户提供从信号提取到深度分析的全流程支持，大幅提升微观热分析效率。 热红外显微镜支持芯片、电路板等多类电子元件热检测。半导体失效分析热红外显微镜货源充足

热红外显微镜凭借高灵敏度探测器，实现芯片微米级红外热分布观察，锁定异常热点 。什么是热红外显微镜分析

非破坏性分析（NDA）以非侵入方式分析样品内部结构和性能，无需切割、拆解或化学处理，能保留样品完整性，为后续研究留有余地，在高精度、高成本的半导体领域作用突出。

无损分析，通过捕捉样品自身红外热辐射成像，全程无接触，无需对晶圆、芯片等进行破坏性处理。在半导体制造中，可识别晶圆晶体缺陷；封装阶段，能检测焊接点完整性或封装层粘结质量；失效分析时，可定位内部短路或断裂区域的隐性热信号，为根源分析提供依据，完美适配半导体行业对高价值样品的保护需求。 什么是热红外显微镜分析