微光显微镜无法检测不产生光子的失效（如欧姆接触、金属短路），且易受强光环境干扰；热红外显微镜则难以识别无明显温度变化的失效（如轻微漏电但功耗极低的缺陷），且温度信号可能受环境热传导影响。

实际分析中，二者常结合使用，通过 “光 - 热” 信号交叉验证，提升失效定位的准确性。致晟光电在技术创新的征程中，实现了一项突破性成果 —— 将热红外显微镜与微光显微镜集可以集成于一台设备，只需一次采购，便可以节省了重复的硬件投入。 通过调节探测灵敏度，它能适配不同漏电流大小的检测需求，灵活应对多样的检测场景。工业检测微光显微镜厂家

在半导体芯片漏电检测中，微光显微镜为工程师快速锁定问题位置提供了关键支撑。当芯片施加工作偏压时，设备即刻启动检测模式 —— 此时漏电区域因焦耳热效应会释放微弱的红外辐射，即便辐射功率为 1 微瓦，高灵敏度探测器也能捕捉到这一极微弱信号。这种检测方式的在于，通过热成像技术将漏电点的红外辐射转化为可视化热图，再与电路版图进行叠加分析，可实现漏电点的微米级精确定位。相较于传统检测手段，微光设备无需拆解芯片即可完成非接触式检测，既避免了对芯片的二次损伤，又能在不干扰正常电路工作的前提下，捕捉到漏电区域的细微热信号。半导体失效分析微光显微镜按需定制针对光器件，能定位光波导中因损耗产生的发光点，为优化光子器件的传输性能、降低损耗提供关键数据。

芯片制造工艺复杂精密，从设计到量产的每一个环节都可能潜藏缺陷，而失效分析作为测试流程的重要一环，是拦截不合格产品、追溯问题根源的 “守门人”。微光显微镜凭借其高灵敏度的光子探测技术，能够捕捉到芯片内部因漏电、热失控等故障产生的微弱发光信号，定位微米级甚至纳米级的缺陷。这种检测能力，能帮助企业快速锁定问题所在 —— 无论是设计环节的逻辑漏洞，还是制造过程中的材料杂质、工艺偏差，都能被及时发现。这意味着企业可以针对性地优化生产工艺、改进设计方案，从而提升芯片良率。在当前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接转化为生产成本的降低，让企业在价格竞争中占据更有利的位置。

微光显微镜（EMMI）无法探测到亮点的情况:

一、不会产生亮点的故障有欧姆接触（OhmicContact）金属互联短路（MetalInterconnectShort）表面反型层（SurfaceInversionLayer）硅导电通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮点被遮蔽的情况有掩埋结（BuriedJunctions）及金属下方的漏电点（LeakageSitesunderMetal）。此类情况可采用背面观测模式（backsidemode），但该模式*能探测近红外波段的发光，且需对样品进行减薄及抛光处理等。 我司微光显微镜探测芯片封装打线及内部线路短路产生的光子，快速定位短路位置，优势独特。

这一技术不仅有助于快速定位漏电根源（如特定晶体管的栅氧击穿、PN结边缘缺陷等），更能在芯片量产阶段实现潜在漏电问题的早期筛查，为采取针对性修复措施（如优化工艺参数、改进封装设计）提供依据，从而提升芯片的长期可靠性。例如，某批次即将交付的电源管理芯片在出厂前的EMMI抽检中，发现部分芯片的边角区域存在持续稳定的微弱光信号。结合芯片的版图设计与工艺参数分析，确认该区域的NMOS晶体管因栅氧层局部厚度不足导致漏电。技术团队据此对这批次芯片进行筛选，剔除了存在漏电隐患的产品，有效避免了缺陷芯片流入市场后可能引发的设备功耗异常、发热甚至烧毁等风险。其内置的图像分析软件，可测量亮点尺寸与亮度，为量化评估缺陷严重程度提供数据。科研用微光显微镜市场价

但欧姆接触和部分金属互联短路时，产生的光子十分微弱，难以被微光显微镜侦测到，借助近红外光进行检测。。工业检测微光显微镜厂家

相较于传统微光显微镜，InGaAs（铟镓砷）微光显微镜在检测先进制程组件微小尺寸组件的缺陷方面具有更高的适用性。其原因在于，较小尺寸的组件通常需要较低的操作电压，这导致热载子激发的光波长增长。InGaAs微光显微镜特别适合于检测先进制程产品中的亮点和热点（HotSpot）定位。InGaAs微光显微镜与传统EMMI在应用上具有相似性，但InGaAs微光显微镜在以下方面展现出优势：

1.侦测到缺陷所需时间为传统EMMI的1/5~1/10；

2.能够侦测到微弱电流及先进制程中的缺陷；

3.能够侦测到较轻微的MetalBridge缺陷；

4.针对芯片背面（Back-Side）的定位分析中，红外光对硅基板具有较高的穿透率。 工业检测微光显微镜厂家