热红外显微镜和红外显微镜并非同一事物，二者是包含与被包含的关系。红外显微镜是个广义概念，涵盖利用0.75-1000微米红外光进行分析的设备，依波长分近、中、远红外等，通过样品对红外光的吸收、反射等特性分析化学成分，比如识别材料中的官能团，应用于材料科学、生物学等领域。而热红外显微镜是其分支，专注7-14微米的热红外波段，无需外部光源，直接探测样品自身的热辐射，依据黑体辐射定律生成温度分布图像，主要用于研究温度分布与热特性，像定位电子芯片的热点、分析复合材料热传导均匀性等。前者侧重成分分析，后者聚焦热特性研究。半导体芯片内部缺陷定位是工艺优化与失效分析的关键技术基础。非制冷热红外显微镜功能

热红外显微镜（Thermal EMMI）技术，作为半导体失效分析领域的关键手段，通过捕捉器件内部产生的热辐射，实现失效点的精细定位。它凭借对微观热信号的高灵敏度探测，成为解析半导体故障的 “火眼金睛”。然而，随着半导体技术不断升级，器件正朝着超精细图案制程与低供电电压方向快速演进：线宽进入纳米级，供电电压降至 1V 以下。这使得失效点（如微小短路、漏电流区域）产生的热量急剧减少，其辐射的红外线信号强度降至传统检测阈值边缘，叠加芯片复杂结构的背景辐射干扰，信号提取难度呈指数级上升。
IC热红外显微镜选购指南热红外显微镜可实时监测电子设备运行中的热变化，预防过热故障 。

在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

半导体制程已逐步进入 3 纳米及更先进阶段，芯片内部结构日趋密集，供电电压也持续降低，这使得微观热行为对器件性能的影响变得更为明显。致晟光电热红外显微镜是在传统热发射显微镜基础上，经迭代进化而成的精密工具。在先进制程研发中，它在应对热难题方面能提供一定支持，在芯片设计验证、失效排查以及性能优化等环节，都能发挥相应的作用。其通过不断优化的技术，适应了先进制程下对微观热信号检测的需求，为相关研发工作提供了有助于分析和解决问题的热分布信息，助力研发人员更好地推进芯片相关的研究与改进工作。
热红外显微镜对集成电路进行热检测，排查内部隐藏故障 。

热红外显微镜（Thermal EMMI ）技术不仅可实现电子设备的故障精细定位，更在性能评估、热管理优化及可靠性分析等领域展现独特价值。通过高分辨率热成像捕捉设备热点分布图谱，工程师能深度解析器件热传导特性，以此为依据优化散热结构设计，有效提升设备运行稳定性与使用寿命。此外，该技术可实时监测线路功耗分布与异常发热区域，建立动态热特征数据库，为线路故障的早期预警与预防性维护提供数据支撑，从根本上去降低潜在失效风险。热红外显微镜可捕捉物体热辐射，助力电子元件热分布与散热性分析。非制冷热红外显微镜功能

热红外显微镜在 SiC/GaN 功率器件检测中，量化评估衬底界面热阻分布。非制冷热红外显微镜功能

热红外显微镜与光学显微镜虽同属微观观测工具，但在原理、功能与应用场景上存在明显差异，尤其在失效分析等专业领域各有侧重。

从工作原理看，光学显微镜利用可见光（400-760nm 波长）的反射或透射成像，通过放大样品的物理形态（如结构、颜色、纹理）呈现细节，其主要是捕捉 “可见形态特征”；而热红外显微镜则聚焦 3-10μm 波长的红外热辐射，通过检测样品自身发射的热量差异生成热分布图，本质是捕捉 “不可见的热信号”。

在主要功能上，光学显微镜擅长观察样品的表面形貌、结构缺陷（如裂纹、变形），适合材料微观结构分析、生物样本观察等；热红外显微镜则专注于微观热行为解析，能识别因电路缺陷、材料热导差异等产生的温度异常，即使是纳米级的微小热点（如半导体芯片的漏电区域）也能精确捕捉，这是光学显微镜无法实现的。

从适用场景来看，光学显微镜是通用型观测工具，广泛应用于基础科研、教学等领域；而热红外显微镜更偏向专业细分场景，尤其在半导体失效分析中，可定位短路、虚焊等隐性缺陷引发的热异常，在新材料研发中能分析不同组分的热传导特性，为解决 “热相关问题” 提供关键依据。 非制冷热红外显微镜功能

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