在失效分析的有损分析中,打开封装是常见操作,通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏,留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线,导致无法进行电动态分析,适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装,优点是开封过程不会损坏内部电路和引线,开封后仍可进行电动态分析,能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除,自动化操作可提高效率和精度,不过同样属于破坏性处理,会对样品造成一定程度的损伤。
热红外显微镜能透过硅片或封装材料,对半导体芯片内部热缺陷进行非接触式检测??蒲杏萌群焱庀晕⒕党上褚?/p>
无损热红外显微镜的非破坏性分析(NDA)技术,为失效分析提供了 “保全样品” 的重要手段。它在不损伤高价值样品的前提下,捕捉隐性热信号以定位内部缺陷,既保障了分析的准确性,又为后续验证、复盘保留了完整样本,让失效分析从 “找到问题” 到 “解决问题” 的闭环更高效、更可靠。
相较于无损热红外显微镜的非侵入式检测,这些有损分析方法虽能获取内部结构信息,但会破坏样品完整性,更适合无需保留样品的分析场景,与无损分析形成互补。 检测用热红外显微镜厂家电话热红外显微镜凭借≤0.001℃的温度分辨率,助力复杂半导体失效分析 。
热红外显微镜和红外显微镜并非同一事物,二者是包含与被包含的关系。红外显微镜是个广义概念,涵盖利用0.75-1000微米红外光进行分析的设备,依波长分近、中、远红外等,通过样品对红外光的吸收、反射等特性分析化学成分,比如识别材料中的官能团,应用于材料科学、生物学等领域。而热红外显微镜是其分支,专注7-14微米的热红外波段,无需外部光源,直接探测样品自身的热辐射,依据黑体辐射定律生成温度分布图像,主要用于研究温度分布与热特性,像定位电子芯片的热点、分析复合材料热传导均匀性等。前者侧重成分分析,后者聚焦热特性研究。
热红外显微镜与光学显微镜虽同属微观观测工具,但在原理、功能与应用场景上存在明显差异,尤其在失效分析等专业领域各有侧重。
从工作原理看,光学显微镜利用可见光(400-760nm 波长)的反射或透射成像,通过放大样品的物理形态(如结构、颜色、纹理)呈现细节,其主要是捕捉 “可见形态特征”;而热红外显微镜则聚焦 3-10μm 波长的红外热辐射,通过检测样品自身发射的热量差异生成热分布图,本质是捕捉 “不可见的热信号”。
在主要功能上,光学显微镜擅长观察样品的表面形貌、结构缺陷(如裂纹、变形),适合材料微观结构分析、生物样本观察等;热红外显微镜则专注于微观热行为解析,能识别因电路缺陷、材料热导差异等产生的温度异常,即使是纳米级的微小热点(如半导体芯片的漏电区域)也能精确捕捉,这是光学显微镜无法实现的。
从适用场景来看,光学显微镜是通用型观测工具,广泛应用于基础科研、教学等领域;而热红外显微镜更偏向专业细分场景,尤其在半导体失效分析中,可定位短路、虚焊等隐性缺陷引发的热异常,在新材料研发中能分析不同组分的热传导特性,为解决 “热相关问题” 提供关键依据。 热红外显微镜助力科研人员研究新型材料的热稳定性与热性能 。
除了热辐射,电子设备在出现故障或异常时,还可能伴随微弱的光发射增强。热红外显微镜搭载高灵敏度的光学探测器,如光电倍增管(PMT)或电荷耦合器件(CCD),能够有效捕捉这些低强度的光信号。这类光发射通常源自电子在半导体材料中发生的能级跃迁、载流子复合或其他物理过程。通过对光发射信号的成像和分析,热红外显微镜不仅能够进一步验证热点区域的存在,还可辅助判断异常的具体机制,为故障定位和性能评估提供更精确的信息。热红外显微镜在 3D 封装检测中,通过热传导分析确定内部失效层 。制冷热红外显微镜规格尺寸
热红外显微镜结合多模态检测(THERMAL/EMMI/OBIRCH),实现热 - 电信号协同分析定位复合缺陷。科研用热红外显微镜成像仪
RTTLIT P10 热红外显微镜在光学配置上的灵活性,可通过多种可选物镜得以充分体现,为不同尺度、不同场景的热分析需求提供精细适配。
Micro 广角镜头擅长捕捉大视野范围的整体热分布,适合快速定位样品宏观热异常区域,如整片晶圆的整体散热趋势观测;0.2X 镜头在保持一定视野的同时提升细节捕捉能力,可用于中等尺寸器件(如传感器模组)的热行为分析,平衡效率与精度;0.4X 镜头进一步聚焦局部,能清晰呈现芯片封装级的热分布特征,助力排查封装缺陷导致的散热不均问题;1X 与 3X 镜头则聚焦微观尺度,1X 镜头可解析芯片内部功能模块的热交互,3X 镜头更是能深入到微米级结构(如晶体管阵列、引线键合点),捕捉纳米级热点的细微温度波动。
科研用热红外显微镜成像仪
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