特点:1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下??榻晕科确缋洌?00A以上??榧瓤裳∮梅缋?,也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便典型应用:1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、如果产品装机配型不适用,可退换货给您满意贴心的服务,是我们一贯的宗旨!有10多年功率半导体元器件制造经验,是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的****,多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的...
它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力??晒囟暇д⒐芤彩粲赑NPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成??樾问?。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界...
晶闸管??榈缌鞴娓竦难∪? 1、根据负载性质及负载额定电流进行选取 (1)电阻负载的较大电流应是负载额定电流的2倍。 (2)感性负载的较大电流应为额定负载电流的3倍。 (3)负载电流变化较大时,电流倍数适当增大。 (4)在运行过程中,负载的实际工作电流不应超过??榈慕洗蟮缌?。 2、散热器风机的选用 ??檎9ぷ魇北匦肱浔干⑷绕骱头缁萍霾捎贸Ъ遗涮椎纳⑷绕骱头缁?。如果用户是自己提供的,则使用以下原则来选择: (1)??檎9ぷ魇?,必须能保证冷却底板温度不超过75℃; (2)当??楦涸亟锨崾?,可减小散热器的尺寸或采用自然冷却; (3...
电力半导体器件有:全系列功率???MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX),大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源,充电电源,电机调速,感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件,实现了自动轧机原器件的国产化;6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化,使用寿命超过...
下面描述中的附图**是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明的立式晶闸管??榈囊痪咛迨凳┓绞降钠矫媸疽馔?。具体实施方式下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的?;し段е?。如图1所示,本发明的立式晶闸管??榘ǎ和饪?、盖板2、铜底板3、形成于所述盖板2上的接头4、第二接头5和第三接头6、封装于所述外壳1内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元。其中,任一...
500Vdc)比较大容抗10pf使用温度范围-30℃~+75℃电网频率47-63Hz㈥不同电流等级的固体继电器的外形㈦LSR的输入驱动电路在逻辑电路驱动时应尽可能采用低电平输出进行驱动,以保证有足够的带负载能力和尽可能低的零电平。下图为正确的灌电流驱动的电路图(一般适合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常与单相或三相LSR移相触发器配合使用。A3型(90-430Vac)为交流控制交流型,在90-430Vac极宽的范围内均能可靠触发继电器导通,且输入与输出没有相位要求:㈧LSR过压的保护:除LSR内部本身有RC吸收回路保护外,还可以采取并联金属氧化物压敏电阻(MOV),MOV面积...
1(1)晶闸管智能控制??榫捎帽竟?*开发的全数字移相触发集成电路,实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化,使模块具备了弱电控制强电的电力调控功能。2(2)晶闸管智能??椴捎媒诜叫涡酒?、高级芯片支撑板,??檠菇敌?、功耗低,效率高,节电效果好。3(3)晶闸管智能??椴捎媒谔?保证了触发控制电路的可靠性。4(4)晶闸管智能模块采用(DBC)陶瓷覆铜板,经独特处理方法和特殊焊接工艺,保证焊接层无空洞,导热性能好。热循环负载次数高于国家标准近10倍。5(5)晶闸管智能??椴捎酶呒兜既染捣庾安牧?,绝缘、防潮性能优良。6(6)晶闸管模块采用触发控制电路、主电路与导热底板相互隔离,导...
VDRM)的计算:由公式:Ud=考虑两倍的选择余量后VRRM;VDRM=2xxU2=2x因此选择耐压200V-300V的器件足够。2、器件额定电流IT(AV)的计算:由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,根据公式:Ie=:Ie=(此值为交流有效值)折算为平均值IT(AV)=Ie/考虑选型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A显然,目前没有如此大电流的???应建议客户采用400-500A的平板式可控硅为宜。以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的。后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍,但通流能力要求大两倍。四、使用??椴纷⒁馐孪睿簂电力半导体模...
强型120A增强型150A增强型200A增强型300A增强型400A型号LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...
三)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。(四)按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、**率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。(五)按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。晶体闸流管工作原理编辑晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸...
当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流...
强型120A增强型150A增强型200A增强型300A增强型400A型号LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...
它可以用控制移相触发脉冲来方便地改变负载的交流工作电压,从而应用于精确地调温、调光等阻性负载及部分感性负载场合。⑵双向可控硅输出的普通型与单向可控硅反并联输出的增强型的区别在感性负载的场合,当LSR由通态关断时,由于电流、电压的相位不一致,将产生一个很大的电压上升率dv/dt(换向dv/dt)加在双向可控硅两端,如此值超过双向可控硅的换向dv/dt指标(典型值为10V/μs)则将导致延时关断,甚至失败。而单向可控硅为单极性工作状态,只受静态电压上升率dv/dt(典型值为100V/μs)影响,由两只单向可控硅反并联构成的增强型LSR比由一只双向可控硅构成的普通型LSR的换向dv/dt有了...
晶闸管??橥ǔ0桓龌蚨喔鼍д⒐埽⑶一箍赡馨艿绕渌氲继迳璞?。它们具有一个电气隔离基板,这样可以使其他元件安装在同一散热片上。这样可简化系统安装、包装和冷却。晶闸管??榈墓ぷ髟硎鞘裁??晶闸管模块可用作开关,在持续电流达到设定值时开启。它们持续导电(接通),直到设备电压反向为止。这些??橛蒔和N(正和负)型半导体交替层叠,形成四层半导体材料。它们设计用于中、高电流电源的控制应用,功能与硅控制设备相同。晶闸管??榭裳范疃ǖ缪购偷缌鹘细叩拇蠊β实缭?。晶闸管??榈挠τ镁д⒐苣?榭捎糜诟髦钟τ茫渲邪ǎ航涣鞯缍缭慈?温度控制(例如化学过程和大型商业烤箱)电焊机照明控制大...
3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压?;幌喙缪怪?,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行?;さ?。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有...
简称过零型)和随机导通型(简称随机型);按输出开关元件分有双向可控硅输出型(普通型)和单向可控硅反并联型(增强型);按安装方式分有印刷线路板上用的针插式(自然冷却,不必带散热器)和固定在金属底板上的装置式(靠散热器冷却);另外输入端①直流恒流控制型(D3),电压为3-36Vdc宽范围,驱动电流为5-15mA;②直流抗干扰控制型(D2),电压为18-30Vdc;③串电阻限流型(D1),电压为4-8Vdc,**于随机型LSR;④交流控制型(A3),电压为90-430Vac宽范围。⑴过零型(Z型)与随机型(P型)LSR的区别由于触发信号方式不同,过零型和随机型之间的区别主要在于负载交流电流导...
电力电子开关技术领域,尤其涉及一种立式晶闸管???。背景技术:电力电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件,如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。其中,现有的晶闸管*能够实现单路控制,不利于晶闸管所在电力系统的投切控制。因此,针对上述问题,有必要提出进一步的解决方案。技术实现要素:本发明的目的在于提供一种立式晶闸管???,以克服现有技术中存在的不足。为实现上述发明目的,本发明提供一种立式晶闸管模块,其包括:外壳、盖板、铜底板、形成于所述盖板上的接头、第二接头和第三接头、封装于所述外壳内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元;所述晶闸管单...
它可以用控制移相触发脉冲来方便地改变负载的交流工作电压,从而应用于精确地调温、调光等阻性负载及部分感性负载场合。⑵双向可控硅输出的普通型与单向可控硅反并联输出的增强型的区别在感性负载的场合,当LSR由通态关断时,由于电流、电压的相位不一致,将产生一个很大的电压上升率dv/dt(换向dv/dt)加在双向可控硅两端,如此值超过双向可控硅的换向dv/dt指标(典型值为10V/μs)则将导致延时关断,甚至失败。而单向可控硅为单极性工作状态,只受静态电压上升率dv/dt(典型值为100V/μs)影响,由两只单向可控硅反并联构成的增强型LSR比由一只双向可控硅构成的普通型LSR的换向dv/dt有了...
晶闸管??橐脖怀莆逭⒘鞴?,也被称为可控硅模块:它是一种功率半导体器件。它具有容量大、效率高、可控性好、使用寿命长、体积小等优点。它是弱电控制与受控强电之间的桥梁。从节能的角度看,电力电子技术被称为新的电气技术。我国能源利用率相对较低。按国民生产单位产值能耗计算。因此,所以晶闸管为**的电控装置是我国有效节能的重要措施。 晶闸管??槭枪ナ谐∩铣S玫囊恢旨赡??。根据不同的电流规格,它可以形成各种形式和电流规格的电路。MTC模块是一种单臂桥式???。根据芯片电流规格,它可以形成三个不同功率的(单)交(整)流电路。 正高电气公司在多年积累的客户好口碑下,不但在产品规格配套方面占据优势。...
软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX),大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源,充电电源,电机调速,感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件,实现了自动轧机原器件的国产化;6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化,使用寿命超过了进口元件。在自动控制方面,我公司成功开发出各种工控板,应用在各种不同的场合,真正形成了控制方式灵活,保护齐全,可靠...
3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压?;幌喙缪故怯捎诰д⒐艿牡缌鹘滴?时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压?;幌喙缪怪?,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有...
以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果*供参考,或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间*几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只...
晶闸管??榈纳⑷确椒? 晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行,散热器及其冷却方式的选择与功率半导体??樯杓浦械缌?、电压额定值的选择同等重要,不容忽视!散热器常用的散热方法有:自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是,控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。 选择晶闸管??樯⑷绕鞅匦肟悸堑脑兀? 1、晶闸管??榈墓ぷ鞯缌骶龆怂璧睦淙疵婊?。 2、晶闸管??榈氖褂没肪?。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式,包括自然冷却、强制风冷和...
并通过所述第二门极压接式组件对所述第三导电片、钼片、银片、铝片施加压合作用力,所述第三导电片、钼片、银片、铝片依次设置于所述铜底板上。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,任一所述接头包括:螺栓和螺母,所述螺栓与螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进,所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的导电片、第二导电片、瓷板进行固定。作为本发明的立式晶闸管??榈母慕?,所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的第三导电片、钼片、银片、铝片进行固定。作为本发明的立式晶闸管??榈母慕?,所述压块和第二压块上还设置有绝缘套管。作为本发明的立式晶闸管??榈母慕鼍堤坠苡攵杂Φ难箍橹浠股柚糜械嫒?..
晶闸管模块的散热方法 晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行,散热器及其冷却方式的选择与功率半导体??樯杓浦械缌?、电压额定值的选择同等重要,不容忽视!散热器常用的散热方法有:自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等??悸巧⑷鹊囊话阍蚴牵刂颇?橹泄苄镜牧游露萒j不超过产品数据表中给出的额定连接温度。 选择晶闸管??樯⑷绕鞅匦肟悸堑脑兀? 1、晶闸管??榈墓ぷ鞯缌骶龆怂璧睦淙疵婊? 2、晶闸管??榈氖褂没肪?。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式,包括自然冷却、强制风冷和...
晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的...
变压器磁路平衡,不存在磁化的问题。要求主变压器和平衡电抗器对称性好。2整流输出电压:Ud=。当负载电流小于额定值(Id)2~5%时,流过平衡电抗器的电流太小,达不到激磁所需的临界电流,平衡电抗器失去作用,其上的三角波形电压也就没有了,此时该线路输出电压与三相半波电路一样,该电压即为电焊机空载电压。输出电压:Ud=。2电阻R的作用是为电焊机在空载电压输出时,提供可控硅导通的擎制电流。因此擎制电流参数的大小或离散性对R的阻值有相当重要性。实例:1.晶闸管耐压的选择(VRRM;VDRM):已知条件:空载电压:100V,额定输出电流:630A;暂载率:60%根据公式:Ud=(大电流时:Ud=)...
750V通态平均电流IT(AV):5A比较大通态电压VT:3V(IT=30A)比较大反向导通电压VTR:<比较大门极触发电压VGT:4V比较大门极触发电流IGT:40mA关断时间toff:μs通态电压临界上升率du/dt:120V/μs通态浪涌电流ITSM:80A利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项:1.检查逆导性选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管开路。2.测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直...
产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻...
特点:1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下??榻晕科确缋?,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便典型应用:1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、电池充放电三相整流桥??楣β拾氲继迥?榭煽毓璨┓珊甏蟊本┎┓珊甏蟮缱涌萍加邢薰荆Ъ抑毕?,质量,价格有保证!如果您需要相关型号资料,电压电流,封装尺寸大小,可以随时给您发送该产品的PDF文档,供您参考!如果您订购量大,并且有长期合作意向,可免费先...