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氮化铝陶瓷因出众的热导性及与硅相匹配的热膨胀系数，成为电子领域备受关注的材料。氮化铝陶瓷是一种六方晶系钎锌矿型结构形态的共价键化合物，其具有一系列优良特性，包括优良的热导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，也可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，应用前景广阔。AlN的晶体结构决定了其出色的热导性和绝缘性。根据《氮化铝陶瓷的流延成型及烧结体性能研究》的研究中提到，由于组成AlN分子的两种元素的原子量小，晶体结构较为简单，简谐性好，形成的Al-N键键长短，键能大，而且共价键的共振有利于声子传热...

氮化铝陶瓷具有高的热导率、低的相对介电常数、耐高温.耐腐蚀.无毒.良好的力学性能以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良性能,在许多高技术领域的应用越来越普通,这其中很多情况下要求氮化铝为异形件和微型件,但是传统的模压和等静压工艺无法制备出复杂形状的陶瓷零部件,加上氮化铝陶瓷材料所固有的韧性低、脆性大、难于加工的缺点,,使得用传统机械加工的方法很难制备出复杂形状的氮化铝陶瓷零部件.为了充分发挥氮化铝的性能优势,拓宽它的应用范围,解决好氮化铝陶瓷的复杂形状成形技术问题是其中非常关键的一环.来图加工定制氮化铝板。南京医用行业氮化铝陶瓷 氮化铝结构陶瓷还可以用于制造化学反应器、高...

氮化铝陶瓷结构件的用途：（1）在冶金工业上制作坩埚，马弗炉炉、燃烧嘴、加热夹具、铸模、铝导管、热电偶保护套管、铝电解槽衬里等热工设备上的零件。（2）在机械制作工业制作高速车刀、轴承、金属零件热处理支撑件、转子发动机刮刀、燃气轮机导向叶片、涡轮叶片等。（3）在化学工业上用作球阀、泵体、密封环、过滤器、换热器部件、固定触媒载体、燃烧船、蒸发皿等。（4）在半导体、航空、原子能等工业中，用于制造开关电路基板、薄膜电容器、电绝缘体、雷达电线罩、导弹尾喷管、原子反应堆中的支撑件和隔离件、核裂变载体。（5）在医药工业中可做人工关节。精密氮化铝陶瓷螺纹加工源头厂家--鑫鼎陶瓷。惠州半导体工业氮...

反应烧结也是氮化铝陶瓷制备的工艺之一。 反应烧结一般是通过坯体与气相在烧结温度下的化学反应，使得坯体质量增加,孔隙减少。一般反应烧结过程中制备的陶瓷收缩率较小，或者保持原形。反应了烧结氮化铝陶瓷是利用铝粉在氮气中的氮化反应形成氮化铝粉末并在高温下烧结在一起。反应烧结氮化铝陶瓷的反应过程实质上就是铝粉直接氮化法制备氮化铝粉，此反应为放热反应并且非常剧烈。由于铝在下已熔化，会影响反应的进行，所以一般反应烧结原料为氮化铝和铝的混合粉末。 专业工程师对接氮化铝零件生产厂家。无锡耐高温氮化铝陶瓷棒 AIN(氮化铝）薄膜性能的特殊性和优异性决定了其在多方面的应用。氮化铝...

氮化铝分子式为Si3N4,属于共价键结合的化合物，氮化铝陶瓷属多晶材料，晶体结构属六方晶系，一般分为α、β两种晶向，均由[SiN4]4-四面体构成，其中β-Si3N4对称性较高，摩尔体积较小，在温度上是热力学稳定相，而α-Si3N4在动力学上较容易生成，高温（1400℃～1800℃）时，α相会发生相变，成为β型，这种相变是不可逆的，故α相有利于烧结。 外观不同晶相得氮化铝外观是不同的，α-Si3N4呈白色或灰白色疏松羊毛状或针状体，β-Si3N4则颜色较深，呈致密的颗粒状多面体或短棱柱体，氮化铝晶须是透明或半透明的，氮化铝陶瓷的外观呈灰色、蓝灰到灰黑色，因密度、相比例...

由于具有优良的热、电、力学性能。氮化铝陶瓷引起了国内外研究者关注，随着现代科学技术的飞速发展，对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为很大的应用!虽然多年来通过许多研究者的不懈努力，在粉末的制备、成形、烧结等方面的研究均取得了长足进展。为了促进氮化铝研究和应用的进一步发展，必须做好下面两个研究工作。研究低成本的粉末制备工艺和方法!制约氮化铝商品化的主要因素就是价格问题。若能以较低的成本制备出氮化铝粉末，将会提高其商品化程度!高温自蔓延法和低温碳热还原合成工艺是很有发展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和适合大规模生产的特点!研究复杂形状的氮化铝陶瓷零部件...

氮化铝陶瓷是一种高性能陶瓷材料，具有优异的物理、化学和机械性能，因此在许多领域得到了认可。 氮化铝结构陶瓷在航空航天领域中应用广。由于其强度高、硬度高和高温稳定性，氮化铝结构陶瓷可以用于制造高温发动机部件、导弹外壳、航空航天器热防护材料等。此外，氮化铝结构陶瓷还可以用于制造航空航天器的结构件，如航天器的热保护板、航天器的结构支撑件等。 氮化铝结构陶瓷在电子领域中也有很大的应用。由于其高绝缘性、高热导率和高耐腐蚀性，氮化铝结构陶瓷可以用于制造高功率电子器件、高频电子器件、微波器件等。此外，氮化铝结构陶瓷还可以用于制造半导体器件的基板、电子元器件的封装材料等。 ...

氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。用氮化铝陶瓷做成的基片，其热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。 氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中...

氮化铝分子式为Si3N4,属于共价键结合的化合物，氮化铝陶瓷属多晶材料，晶体结构属六方晶系，一般分为α、β两种晶向，均由[SiN4]4-四面体构成，其中β-Si3N4对称性较高，摩尔体积较小，在温度上是热力学稳定相，而α-Si3N4在动力学上较容易生成，高温（1400℃～1800℃）时，α相会发生相变，成为β型，这种相变是不可逆的，故α相有利于烧结。 外观不同晶相得氮化铝外观是不同的，α-Si3N4呈白色或灰白色疏松羊毛状或针状体，β-Si3N4则颜色较深，呈致密的颗粒状多面体或短棱柱体，氮化铝晶须是透明或半透明的，氮化铝陶瓷的外观呈灰色、蓝灰到灰黑色，因密度、相比例...

散热基板及电子器件封装散热基板及电子器件封装是氮化铝陶瓷的主要应用。氮化铝陶瓷具有优异的导热性能，热胀系数接近硅，机械强度高，化学稳定性好而且环保无毒，被认为是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，非常适合于混合功率开关的封装以及微波真空管封装壳体材料，同时也是大规模集成电路基片的理想材料。 结构陶瓷晶圆加工用静电吸盘就是常见的结构陶瓷应用。氮化铝结构陶瓷的机械性能好，硬度高，韧性好于Al2O3陶瓷，并且耐高温耐腐蚀。利用AIN陶瓷耐热耐侵蚀性，可用于制作坩埚、Al蒸发皿、半导体静电卡盘等高温耐蚀部件。 精密加工工业氮化铝陶瓷异形件。南京半导体工业氮化铝陶...

氮化铝结构陶瓷还可以用于制造化学反应器、高温炉具、磨料等。在化学反应器中，氮化铝结构陶瓷可以用于制造高温、高压的反应器，如氮化铝还原反应器、氢氧化铝反应器等。在高温炉具中，氮化铝结构陶瓷可以用于制造高温炉具的内衬、加热元件等。在磨料中，氮化铝结构陶瓷可以用于制造高硬度、高耐磨的磨料，如砂轮、砂带等。 氮化铝结构陶瓷是一种高性能陶瓷材料，具有很大的应用前景。随着科技不断发展，氮化铝结构陶瓷的应用领域将会越来越广。 氮化铝陶瓷有哪些种类及应用呢？南京抗氧化氮化铝陶瓷柱塞 氮化铝陶瓷可作为电子膜材料。 电子膜材料是微电子技术和光电子技术的基础,因而对...

氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料，具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。另外，用氮化铝陶瓷作成的熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件，同时可作为耐高温耐腐蚀结构陶瓷、透明氮化铝陶瓷制品，因而成为一种具有很大应用前景的无机材料。找实力氮化铝陶瓷异型件厂家？推荐鑫鼎陶瓷。南京抗氧化氮化铝陶瓷球 压烧结是氮化铝陶瓷传统的制备工艺。氮化铝陶瓷在经过常压烧结的过程中，坯体不受外加压力作用，可在一般气压下经加热由粉...

氮化铝陶瓷拥有高硬度和高温强度性能，在机械行业上可用作切割工具、砂轮和拉丝模以及制造工具材料、金属陶瓷材料的原料。还具有优良的耐磨损性能，可用作耐磨损零件，但由于造价高，只能用于磨损严重的部位。将某些易氧化的金属或非金属表面包覆AlN涂层，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的处理器和容器的衬里等。 氮化铝陶瓷在常温和高温下都具有良好的耐蚀性、稳定性，在2450℃下才会发生分解，可以用作高温耐火材料，如坩埚、浇铸模具。氮化铝陶瓷能够不被铜、铝、银等物质润湿以及耐铝、铁、铝合金的溶蚀，可以成为良好的容器和高温保护层，如热电偶保护管和烧...

氮化铝陶瓷零件特点 1.硬度大：氮化铝陶瓷经中科院上海硅酸盐研究所测定，其洛氏硬度为hra80-90，硬度次于金刚石，远远超过耐磨钢和不锈钢的耐磨性能。 2.耐磨性能极好：经中南大学粉末冶金研究所测定，其耐磨性相当于锰钢的266倍，高铬铸铁的171.5倍。根据我们十几年来的客户跟踪，在同等工况下，可至少延长设备使用寿命十倍以上。 3.重量轻：其密度为3.5g/cm3，为钢铁的一半，可有利减轻设备负荷。 氮化铝陶瓷零件精加工：有些氮化铝陶瓷材料在完成烧结后，尚需进行精加工。如可用作人工骨的制品要求表面有很高的光洁度...

为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷材料的致密化，可以利用热压烧结制备氮化铝陶瓷。我们口中所说的热压烧结,其实就是在一定压力下烧结陶瓷，可以使加热烧结和加压成型同时进行。在高温下坯体持续受到压力作用，粉末原料处于热塑性状态，有利物质的流动和扩散，并且外加压力抵消了形变阻力促进了粉末颗粒之间的接触。热压烧结陶瓷晶体内容易产生晶格畸变，由于热压烧结较常压烧结烧结温度低,但是它的保温时间是比较短的，所以晶颗较细小。由于热压烧结所制备的氮化铝陶瓷致密化程度高，气孔率小，很多学者都对氮化铝的热压烧结进行了研究。鑫鼎精密陶瓷专业加工隔热氮化铝片。广州机械零件氮化铝陶瓷管 氮化铝陶瓷是一...

氮化铝陶瓷作为耐热材料可用其作坩埚、保护管、浇注模具等。氮化铝可在2000℃非氧化气氛下，仍具有稳定的性能，是一种优良的高温耐火材料，抗熔融金属侵蚀的能力强。 热交换器件氮化铝陶瓷热导率高、热膨胀系数低，导热效率和抗热冲击性能优良，可用作理想的耐热冲和热交换材料，例如氮化铝陶瓷可以作为船用燃气轮机的热交换器材料和内燃机的耐热部件。由于氮化铝材料的优良导热性能，有效提高了热交换器的传热能力。 氮化铝陶瓷具有优良的电绝缘性，高导热，介电性能良好，与高分子材料相容性好， 是电子产品高分子材料的添加剂，可用于 TIM 填料、FCCL 导热介电层填料，应用...

氮化铝陶瓷可用于制造能够在高温或者存在一定辐射的场景下使用的高频大功率器件， 如高功率电子器件、高密度固态存储器等。作为第三代半导体材料之一的氮化铝，具 有宽带隙、高热导率、高电阻率、良好的紫外透过率、高击穿场强等优良性能。氮化铝的禁带宽度为 6.2 eV，极化作用较强，在机械、微电子、光学以及声表面波 器件(SAW)制造、高频宽带通信等领域都有应用，如氮化铝压电陶瓷及薄膜等。另外， 高纯度的 氮化铝陶瓷是透明的，具有优良的光学性能，再结合其电学性能，可制作红外 导流罩、传感器等功能器件。可定制加工氮化铝电子绝缘高温工业配件。潮州氮化铝陶瓷板 为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度...

压烧结是氮化铝陶瓷传统的制备工艺。氮化铝陶瓷在经过常压烧结的过程中，坯体不受外加压力作用，可在一般气压下经加热由粉末颗粒的聚集体转变为晶粒结合体，在烧结工艺方面常压烧结是简单的一种方法，也是常用的一种烧结方法。常压烧结氮化铝陶瓷一般温度范围为1600℃一2000℃，适当升高烧结温度和延长保温时间，可以提高氮化铝陶瓷的致密度。由于氮化铝为共价键结构，纯氮化铝粉末难以进行固相烧结，所以经常在原料中会加入烧结助剂来促进氮化铝陶瓷烧结致密化。在一般的情况下，常压烧结制备氮化铝陶瓷需要烧结温度高，保温的时间也相对比较长，但其设备与工艺流程简单，操作方便。来图加工定制氮化铝板。成都氮化铝陶瓷块 ...

氮化铝陶瓷可用于制造能够在高温或者存在一定辐射的场景下使用的高频大功率器件， 如高功率电子器件、高密度固态存储器等。作为第三代半导体材料之一的氮化铝，具 有宽带隙、高热导率、高电阻率、良好的紫外透过率、高击穿场强等优良性能。氮化铝的禁带宽度为 6.2 eV，极化作用较强，在机械、微电子、光学以及声表面波 器件(SAW)制造、高频宽带通信等领域都有应用，如氮化铝压电陶瓷及薄膜等。另外， 高纯度的 氮化铝陶瓷是透明的，具有优良的光学性能，再结合其电学性能，可制作红外 导流罩、传感器等功能器件。源头厂家氮化铝陶瓷零件加工---鑫鼎精密。鹤壁硬度高隔热氮化铝陶瓷源头生产厂家 随着大...

氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料，具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的重视。理论上，氮化铝的热导率接近于氧化铍的热导率，但由于氧化铍有剧毒，在工业生产中逐渐被停止使用。与其它几种陶瓷材料相比较，氮化铝陶瓷综合性能优良，非常适用于半导体基片和结构封装材料，在电子工业中的应用潜力非常巨大。另外，氮化铝还耐高温，耐腐蚀，不为多种熔融金属和融盐所浸润，因此，可用作高级耐火材料和坩埚材料，也可用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的容器和处理器...

氮化铝陶瓷耐磨管综合性能较好，既有足够的强度，又有极好的塑性同时硬度也不高，这也是它们被很好采用的原因之一。耐磨管同绝大多数的其它金属相似，氮化铝陶瓷耐磨管抗拉强度、屈服强度和硬度，随着温度的降低而提高:氮化铝陶瓷耐磨管塑性则随着温度降低而减小。其抗拉强度在温度15-80℃范围内增大较快，温度进一步降低时则变化缓慢，而屈服强度的增长是较为均匀的。更重要的是随着氮化铝陶瓷耐磨管温度的降低，其冲击韧度减少缓慢，并不存在脆性转变温度。所以18一8型不氮化铝陶瓷耐磨管在低温时能保持足够的塑性和韧性，如在温度一196℃时，冲击吸收功可达392J;甚至在液氦温度(一2700C)下具有阻止应力集中部位发生脆...

氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料，具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的重视。理论上，氮化铝的热导率接近于氧化铍的热导率，但由于氧化铍有剧毒，在工业生产中逐渐被停止使用。与其它几种陶瓷材料相比较，氮化铝陶瓷综合性能优良，非常适用于半导体基片和结构封装材料，在电子工业中的应用潜力非常巨大。另外，氮化铝还耐高温，耐腐蚀，不为多种熔融金属和融盐所浸润，因此，可用作高级耐火材料和坩埚材料，也可用作防腐蚀涂层，如腐蚀性物质的容器和处理器...

氮化铝陶瓷具有优良的热、电、力学性能，所以它的应用范围比较广。可以制成氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电耗损小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。氮化铝陶瓷硬度高，超过氧化铝陶瓷，也可用于磨损严重的部位。利用氮化铝陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。氮化铝新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、...

为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷材料的致密化，可以利用热压烧结制备氮化铝陶瓷。我们口中所说的热压烧结,其实就是在一定压力下烧结陶瓷，可以使加热烧结和加压成型同时进行。在高温下坯体持续受到压力作用，粉末原料处于热塑性状态，有利物质的流动和扩散，并且外加压力抵消了形变阻力促进了粉末颗粒之间的接触。热压烧结陶瓷晶体内容易产生晶格畸变，由于热压烧结较常压烧结烧结温度低,但是它的保温时间是比较短的，所以晶颗较细小。由于热压烧结所制备的氮化铝陶瓷致密化程度高，气孔率小，很多学者都对氮化铝的热压烧结进行了研究。品质保证氮化铝陶瓷结构件厂家---找鑫鼎陶瓷。北京耐磨损氮化铝陶瓷管 氮...

氮化铝(AlN)陶瓷是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的热传导性,可靠的申绝缘性,低的介电常数和介电损耗.无毒以及与硅相匹配的热膨胀系教等一系列优良特性.被认为是新-代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外研究者的高度重视.理论上,氮化铝的热导率为320W/(m)工业上实际制备的多晶氮化铝的热导率也可达100~250 W/(m).该数值是传统基片材料氧化铝热导离的5倍~10倍,接近于氧化铍的热导率,但由于氧化铍有剧毒,在工业生产中逐渐被停止使用.与其它几种陶瓷材料相比较,氮化铝陶瓷综合性能优良,非常适用于半导体基片和结构封装材料,在电子工业中的应用潜力非常...

氮化铝的理论密度为3100±10kg/m3，实际测得α- Si3N4的真比重为3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重为3187 kg/m3。氮化铝陶瓷的体积密度因工艺而变化较大，一般为理论密度的80%以上，大约在2200～3200 kg/m3之间，气孔率的高低是密度不同的主要原因，反应烧结氮化铝的气孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而热压氮化铝气孔率在5%以下，密度达3000～3200 kg/m3，与用途相近的其他材料比较，不仅密度低于所有高温合金，而且在高温结构陶瓷中也是密度较低的一种。找技术支持、服务至上的氮化铝零件厂家--推荐鑫鼎。济南高韧性绝缘...

用氮化铝陶瓷作成的基板材料可以满足现代电子功率器件发展的需要。 高电阻率、同热导率和低介电常数是集成电路对封装用基片的基本要求.封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配. 易成型 高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能.大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料,具有优异的综合性能.是电子封装中常用的基片材料,具有较高的绝缘性能和优异的高频特性,同时线膨胀系数与电子元器件非常相近,,化学性能非常稳定且热导率高.长期以来,绝大多数大功率混合集成电路的基板材料-直沿用A1203和BeO陶瓷,但A1203基板的热导率低，热膜胀系数和硅不太匹配∶BeO虽然具有优良的综合性能.但其...

氮化铝陶瓷作为耐热材料可用其作坩埚、保护管、浇注模具等。氮化铝可在2000℃非氧化气氛下，仍具有稳定的性能，是一种优良的高温耐火材料，抗熔融金属侵蚀的能力强。 热交换器件氮化铝陶瓷热导率高、热膨胀系数低，导热效率和抗热冲击性能优良，可用作理想的耐热冲和热交换材料，例如氮化铝陶瓷可以作为船用燃气轮机的热交换器材料和内燃机的耐热部件。由于氮化铝材料的优良导热性能，有效提高了热交换器的传热能力。 氮化铝陶瓷具有优良的电绝缘性，高导热，介电性能良好，与高分子材料相容性好， 是电子产品高分子材料的添加剂，可用于 TIM 填料、FCCL 导热介电层填料，应用...

氮化铝陶瓷可用作高功率器件材料。 功率传输的绝缘材料需具备一定的电绝缘性能及较高的热传导性能，还需要具有优异的机械承载能力，氮化铝陶瓷具有大于10^13Ω·cm的电阻率，190W/(m·K)以上的热导率以及高达400MPa的弯曲强度，与高功率器件高导热、电绝缘和机械承载的要求相吻合。在无线收发系统中，收发组件(TR组件)的固态放大电路采用输出功率更高的宽禁带半导体功率器件，具备高导热特性的氮化铝（AlN）可以将内部热量传导至散热器，避免组件内部温度过高。TR组件充分利用氮化铝基板的高导热、强度高特性，采用多层高温共烧技术，解决层叠结构高密度装配的射频信号垂直互联...

氮化铝在陶瓷在常温和高温下都具有良好的耐蚀性、稳定性，在2450℃下才会发生分解，可以用作高温耐火材料，如坩埚、浇铸模具。氮化铝陶瓷能够不被铜、铝、银等物质润湿以及耐铝、铁、铝合金的溶蚀，可以成为良好的容器和高温保护层，如热电偶保护管和烧结器具；也可以抵御高温腐蚀性气体的侵蚀，用于制备氮化铝陶瓷静电卡盘这种重要的半导体制造装备的重要零部件。由于氮化铝对砷化镓等熔盐表现稳定，用氮化铝坩埚代替玻璃来合成砷化镓半导体，可以消除来自玻璃中硅的污染，获得高纯度的砷化镓半导体。找生产氮化铝陶瓷零件实力厂家----推荐鑫鼎。宁波高精度氮化铝陶瓷杆 氮化铝陶瓷摩擦系数较小，在高温高速的条...