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径向插件TVS测试

来源: 发布时间:2023-09-03

9)R-6/P600封装:3KP系列(3000W)、5KP系列(5000W)、LDP系列(6000W)、15KP系列(15000W)、30KP系列(30000W);10)NA封装:蓝宝宝浪涌抑制器KA系列;1)DO-218AB封装:SM5S系列(3600W)、SM6S系列(4600W)、SM8S系列(6600W)、SM8T系列(6600W);4)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC系列(1500W)、SMCJ系列(1500W)、TPSMCJ系列(1500W)、SMDJ系列(3000W)、TPSMDJ系列(3000W)、5.0SMDJ系列(5000W)、TP5.0SMDJ系列(5000W)。SMA封装的TVS一般一盘是3000个。径向插件TVS测试

平时在做浪涌测试时,总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压,如差模2KV,共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时,也就经??悸钦飧鑫侍猓琓VS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。在TVS选型时,有很多参数需要考虑,如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。这里不讨论其他参数,只关注如何计算出所能承受的浪涌电压。下图中提到了的两个参数:比较大钳位电压和脉冲峰值电流,其承受的比较大浪涌功率为比较大钳位电压*脉冲峰值电流=24.4V*24.6A=600.24W。这也是我们常说的SMB系列TVS能承受600W功率。如果没有特殊说明,这个功率是在10/1000us浪涌测试波形下测量的。径向插件TVS测试车规级TVS要求具有较高的可靠性,一般要通过AEC-Q认证要求。

要减少 TVS 短路失效,首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次,做到 TVS 的正确选型与安装,比较好对 TVS 进行降额使用,这样可使 TVS 承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使 TVS 发生短路失效时对被?;さ缱由璞傅挠跋旖档奖冉系?,通??稍?TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。

TVS瞬态抑制二极管失效模式:1:当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2:当电路中通过的电流太大,可能会造成TVS炸裂,失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全,TVS通流量过小造成的。3:电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致(器件内部结构变化、散热能力下降)过热烧毁。TVS的瞬态功率一般是在10/1000μs的波形下测量。

TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲,其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容,或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号,那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下:正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态;反向浪涌时,TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。。。车规级TVS的制作工艺更加严格,一般要用车规级的硅片。江西玻璃TVS失效模式

来明电子在电路?;ば幸瞪罡?,具有丰富的经验。径向插件TVS测试

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。径向插件TVS测试

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